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公开(公告)号：CN106701085A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611231750.5
申请日：2016-12-28
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: C09K13/06
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 本发明涉及一种ITO返工蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液由三氯化铁、硫酸、添加剂、表面活性剂和纯水组成，其中添加剂为硫脲及其衍生物或咪唑啉衍生物，表面活性剂为直链烷基苯磺酸钠盐、铵盐或乙醇胺盐阴离子表面活性剂。其制备方法如下:按比例将三氯化铁溶解于高纯水，并添加到混合釜中，然后依次加入硫酸、添加剂及表面活性剂，搅拌循环后进行微滤，得到该配方产品。该蚀刻液成分性能稳定，蚀刻速率快，能很快去除基板制程表面铟锡氧化物(ITO)膜层，添加的添加剂有效的保护下层制程(金属)膜层不被腐蚀，添加的表面活性剂有效的提高蚀刻液浸润性，减少了ITO残留，且该制备工艺简单，原料廉价易得，能更有效地降低工业化生产成本及提高生产效率。
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公开(公告)号：CN106479504A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610860875.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: C09K13/06
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 本发明涉及一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法，其重量百分比组成如下：硝酸5～15％，硫酸5～15％，醋酸5～25％，添加剂0.01～1％，余量为水，所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中，然后加入添加剂和余量高纯水，搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强，蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料，不含磷酸，蚀刻液黏度低，蚀刻过程中药液带出量少，蚀刻液寿命长，有利于降低蚀刻液的成本。
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公开(公告)号：CN105908188A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610342582.0
申请日：2016-05-23
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管铜钼层叠膜蚀刻技术领域，具体涉及一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,对于组合物的总重量，由以下组分组成：1?30%重量的过氧化氢；0.01?8%重量的过氧化氢稳定剂；0.5?8%重量的磷酸盐类；0.1?8%重量的无机酸；1?10%重量的金属螯合剂；0.01?5%重量的金属缓蚀剂；余量为水。本发明的蚀刻液组成物无含氟化合物，不会对玻璃基板或硅板产生腐蚀，对环境无污染，反应温和易于控制；金属螯合剂可以螯合产生的铜钼离子，避免双氧水的分解而降低寿命和产线的危险性；使用磷酸盐通过原电池反应自我调节铜钼的蚀刻速率，配合金属缓蚀剂，避免了铜缩进或者钼缩进，蚀刻过程稳定，蚀刻速率适中，蚀刻角度稳定在30~60°，临界尺寸损失小，改善后期铜制程性能。
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公开(公告)号：CN105314770A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510858688.1
申请日：2015-12-01
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
Inventor： 邢攸美
Abstract: 本发明涉及一种四甲基氢氧化铵显影废液再生系统和再生方法。所述系统包括若干送料泵、中和分离装置、吸附装置、阳离子交换装置、阴离子交换装置和净化处理装置，所述中和分离装置、吸附装置、阳离子交换装置、阴离子交换装置和净化处理装置各至少设有一组，所述中和分离装置、吸附装置、阳离子交换装置、阴离子交换装置和净化处理依次通过带控制阀的料管连接，通过该系统能够长期稳定的循环再生高纯度的四甲基氢氧化铵显影液，达到节能环保的目的，同时降低半导体工厂废水排放的压力，为工厂节约废水处理的成本，从而达到资源有效循环利用的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102923963A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210461629.7
申请日：2012-11-15
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明公开了一种玻璃减薄刻蚀液补充液，可显著延长玻璃刻蚀液的使用寿命，减少或免除刻蚀废液的处理过程。其主要组成为：HF为20-55%，碱金属盐为0.1-5%，0.001-0.1%脂肪醇聚氧乙烯醚类表面活性剂，其余为水。优选HF浓度为30-45%，碱金属盐浓度0.2-1%。碱金属盐可为锂盐，钠盐，和钾盐，可优选钠盐；对应酸根离子可为无机酸根离子如氟离子，氯离子，硝酸根离子，硫酸（氢）根离子，磷酸（氢）根离子，碳酸（氢）根离子等；或有机酸根离子如醋酸和带有上述酸根离子的离子型表面活性剂。可选择一种或几种碱金属盐的混合物。可适用于槽式或淋洗式处理工艺。
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公开(公告)号：CN102745837A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210249598.9
申请日：2012-07-18
Applicant: 上海交通大学 , 杭州格林达化学有限公司
IPC: C02F9/04 , C01B33/148 , C01D3/02 , C02F1/44
Abstract: 本发明涉及一种对玻璃减薄刻蚀废液进行处理回收利用的方法，该方法包括以下步骤：(1)将玻璃减薄刻蚀废液中与碱金属盐混合，使玻璃减薄废液中的氟硅酸生成氟硅酸盐沉淀析出；(2)经过沉降、过滤进行固液分离；(3)将滤液通入扩散渗析装置，移除滤液中多余的碱金属离子，得到酸液；(4)对酸液进行成分补加使其达到玻璃减薄刻蚀使用要求回收利用；(5)对步骤(2)中过滤得到的氟硅酸盐沉淀与纯碱溶液反应，生成金属氟化物以及硅胶沉淀；(6)分离生成的金属氟化物以及硅胶沉淀，金属氟化物返回用于氟硅酸处理，硅胶待销。与现有技术相比，本发明可实现蚀刻废液的回收利用，减少了废液、废渣的排放，降低了环境污染风险，节约生产成本。
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公开(公告)号：CN106479505A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610860973.1
申请日：2016-09-29
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: C09K13/06
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法，重量百分比组成如下：硝酸2～8％，硫酸2～12％，添加剂0.01～2％，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6-三羟基苯甲酸中的任意一种。本发明的蚀刻液以硝酸和硫酸为主要成分，工艺简单，酸浓度适中，对ITO导电薄膜具有优异的蚀刻性能，蚀刻速率适中，蚀刻精度高无残留，能够满足不同厚度ITO的蚀刻要求。同时采用一种碱金属盐和一种有机物作为添加剂，对下层金属Al或者Mo都具有优异的抗蚀效果，能够很好的满足技术工艺和制程要求。另外，该蚀刻液以低成本硫酸为原料，在满足技术工艺和制程要求的基础上有利于降低蚀刻液的成本。
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公开(公告)号：CN106227003A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610861011.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: G03F7/32
CPC classification number: G03F7/322
Abstract: 本发明涉及一种显影液，重量百分比组成如下：有机碱：0.01-60％，非离子表面活性剂：0.01-10％，两性表面活性剂：0.01-15％，有机溶剂：1-10％，余量为水。本发明应用有机强碱显影液，对光刻胶的渗透性好，显影速率快，金属含量为ppb级别，从而消除了金属离子杂质对TFT晶体管的不利影响；添加非离子表面活性剂及两性离子表面活性剂等，不仅兼顾了消泡性、分散稳定性，而且克服了现有技术显影液膜渣残留及操作温度范围窄的缺点；添加了水溶性有机溶剂，大大提高了显影使用时的持久性。该显影液在拥有优异的显影性能的同时，还具有低泡沫、对彩色光阻具有良好的分散稳定性，有效降低膜渣的形成，显影性能好，无残渣，操作温度范围宽等特点。
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公开(公告)号：CN205193430U
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201520974377.7
申请日：2015-12-01
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
Inventor： 邢攸美
IPC: G03F7/30
Abstract: 本实用新型涉及一种显影液在线回收循环利用系统，包括送料泵、用于对显影废液进行吸附脱色的吸附装置、用于对显影废液进行浓缩净化的净化浓缩装置、用于对净化浓缩装置处理显影废液后进行洗脱的洗脱装置、用于对洗脱液进行过滤除杂的过滤装置以及用于对滤过液进行复配的复配装置，所述吸附装置、净化浓缩装置、过滤装置及复配装置各至少设有一组，所述过滤装置由粗过滤器和精过滤器串联组成，所述送料泵、吸附装置、净化浓缩装置、过滤装置及复配装置依次通过带控制阀的送料管连接。本实用新型提供一种显影液在线回收循环利用装置，该装置设备成本低，操作简单，并且具有高的回收率，使四甲基氢氧化铵显影废液获得高效的综合循环利用。
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