公开(公告)号：CN106479505A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610860973.1

申请日：2016-09-29

Applicant: 杭州格林达化学有限公司

Inventor： 胡涛 ,  刘志彪 ,  陈虹飞 ,  邢攸美 ,  尹云舰

IPC: C09K13/06

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法，重量百分比组成如下：硝酸2～8％，硫酸2～12％，添加剂0.01～2％，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6-三羟基苯甲酸中的任意一种。本发明的蚀刻液以硝酸和硫酸为主要成分，工艺简单，酸浓度适中，对ITO导电薄膜具有优异的蚀刻性能，蚀刻速率适中，蚀刻精度高无残留，能够满足不同厚度ITO的蚀刻要求。同时采用一种碱金属盐和一种有机物作为添加剂，对下层金属Al或者Mo都具有优异的抗蚀效果，能够很好的满足技术工艺和制程要求。另外，该蚀刻液以低成本硫酸为原料，在满足技术工艺和制程要求的基础上有利于降低蚀刻液的成本。

公开(公告)号：CN106701085A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611231750.5

申请日：2016-12-28

Applicant: 杭州格林达化学有限公司

Inventor： 刘志彪 ,  邢攸美 ,  尹云舰 ,  胡涛 ,  陈虹飞

IPC: C09K13/06

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 本发明涉及一种ITO返工蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液由三氯化铁、硫酸、添加剂、表面活性剂和纯水组成，其中添加剂为硫脲及其衍生物或咪唑啉衍生物，表面活性剂为直链烷基苯磺酸钠盐、铵盐或乙醇胺盐阴离子表面活性剂。其制备方法如下:按比例将三氯化铁溶解于高纯水，并添加到混合釜中，然后依次加入硫酸、添加剂及表面活性剂，搅拌循环后进行微滤，得到该配方产品。该蚀刻液成分性能稳定，蚀刻速率快，能很快去除基板制程表面铟锡氧化物(ITO)膜层，添加的添加剂有效的保护下层制程(金属)膜层不被腐蚀，添加的表面活性剂有效的提高蚀刻液浸润性，减少了ITO残留，且该制备工艺简单，原料廉价易得，能更有效地降低工业化生产成本及提高生产效率。