一种ITO返工蚀刻液及其制备方法

    公开(公告)号:CN106701085A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611231750.5

    申请日:2016-12-28

    CPC classification number: C09K13/06

    Abstract: 本发明涉及一种ITO返工蚀刻液及其制备方法,该蚀刻液由三氯化铁、硫酸、添加剂、表面活性剂和纯水组成,其中添加剂为硫脲及其衍生物或咪唑啉衍生物,表面活性剂为直链烷基苯磺酸钠盐、铵盐或乙醇胺盐阴离子表面活性剂。其制备方法如下:按比例将三氯化铁溶解于高纯水,并添加到混合釜中,然后依次加入硫酸、添加剂及表面活性剂,搅拌循环后进行微滤,得到该配方产品。该蚀刻液成分性能稳定,蚀刻速率快,能很快去除基板制程表面铟锡氧化物(ITO)膜层,添加的添加剂有效的保护下层制程(金属)膜层不被腐蚀,添加的表面活性剂有效的提高蚀刻液浸润性,减少了ITO残留,且该制备工艺简单,原料廉价易得,能更有效地降低工业化生产成本及提高生产效率。

    一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法

    公开(公告)号:CN106479504A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610860875.8

    申请日:2016-09-29

    CPC classification number: C09K13/06

    Abstract: 本发明涉及一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法,其重量百分比组成如下:硝酸5~15%,硫酸5~15%,醋酸5~25%,添加剂0.01~1%,余量为水,所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中,然后加入添加剂和余量高纯水,搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强,蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料,不含磷酸,蚀刻液黏度低,蚀刻过程中药液带出量少,蚀刻液寿命长,有利于降低蚀刻液的成本。

    在线测定和控制ITO蚀刻液中各酸浓度的方法

    公开(公告)号:CN102967686A

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201210455850.1

    申请日:2012-11-14

    Abstract: 本发明提供一种在线测定和控制ITO蚀刻液中各酸浓度的方法,通过对ITO蚀刻液供应槽在线取样,样品进入自动滴定仪并溶入有机溶剂,以标定过的碱性有机标准滴定溶液为滴定液,采用动态pH滴定模式进行滴定,滴定结果及相关数据输入电脑主机,根据pH电极信号的变化曲线找到各酸在滴定终点所对应的滴定溶液的消耗体积,进而计算出样品中各种酸的浓度,然后电脑主机向控制阀发出控制信号,从预先设置的酸液调节槽内输送适量的高浓度酸进入供应槽,使蚀刻液浓度达标。本发明检测速度快,准确度和精密度俱佳,能实时反馈各酸浓度,完全可以满足在线检测和控制的要求,为准确控制蚀刻机台的蚀刻速度和蚀刻参数、最终获得高精度的蚀刻图案提供了技术保障。

    在线测定和控制铝蚀刻液中各种酸浓度的方法

    公开(公告)号:CN102981523A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210455892.5

    申请日:2012-11-14

    Abstract: 本发明提供一种在线测定和控制铝蚀刻液中各种酸浓度的方法,通过在线取样进入自动滴定仪,利用动态pH滴定模式,通过pH电极信号的变化,找到各酸的滴定终点,然后依据滴定剂的标定结果和消耗量,计算样品中硝酸、磷酸和醋酸的含量,测定结果输入电脑主机,进而控制醋酸、硝酸和磷酸向供应槽的补充量,维持槽内铝蚀刻液中三种酸的浓度在规定范围之内。这种检测方法的相对误差低于6%,相对标准偏差低于3%,且可以随时取样,检测速度快,能及时反馈各酸的在线数据,实现铝蚀刻液中各酸浓度的有效控制,使蚀刻机台的蚀刻效果达到最佳。

    光刻胶剥离液废液的回收方法

    公开(公告)号:CN102951761A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210455979.2

    申请日:2012-11-14

    Abstract: 本发明提供了一种光刻胶剥离液废液的回收方法,特别是指将半导体基材上残留的光刻胶除去后的光刻胶剥离液废液的回收方法。本发明首先采用适量的水在酸性条件下分两个步骤沉淀光刻胶主要成分线性酚醛树脂,得到可再次作为光刻胶使用的线性酚醛树脂;然后利用活性炭吸附脱色并除去金属离子;最后经两步式减压蒸馏,除去水分等低沸物质,回收得到纯的光刻胶剥离液。该方法工艺简单,避免了使用昂贵的耐有机溶剂过滤膜或过滤器,有利于工业化大规模回收光刻胶剥离液废液,降低光刻胶剥离液和光刻胶的使用成本。

    一种玻璃减薄刻蚀液补充液

    公开(公告)号:CN102923963A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210461629.7

    申请日:2012-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种玻璃减薄刻蚀液补充液,可显著延长玻璃刻蚀液的使用寿命,减少或免除刻蚀废液的处理过程。其主要组成为:HF为20-55%,碱金属盐为0.1-5%,0.001-0.1%脂肪醇聚氧乙烯醚类表面活性剂,其余为水。优选HF浓度为30-45%,碱金属盐浓度0.2-1%。碱金属盐可为锂盐,钠盐,和钾盐,可优选钠盐;对应酸根离子可为无机酸根离子如氟离子,氯离子,硝酸根离子,硫酸(氢)根离子,磷酸(氢)根离子,碳酸(氢)根离子等;或有机酸根离子如醋酸和带有上述酸根离子的离子型表面活性剂。可选择一种或几种碱金属盐的混合物。可适用于槽式或淋洗式处理工艺。

    一种对玻璃减薄刻蚀废液进行处理回收利用的方法

    公开(公告)号:CN102745837A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201210249598.9

    申请日:2012-07-18

    Abstract: 本发明涉及一种对玻璃减薄刻蚀废液进行处理回收利用的方法,该方法包括以下步骤:(1)将玻璃减薄刻蚀废液中与碱金属盐混合,使玻璃减薄废液中的氟硅酸生成氟硅酸盐沉淀析出;(2)经过沉降、过滤进行固液分离;(3)将滤液通入扩散渗析装置,移除滤液中多余的碱金属离子,得到酸液;(4)对酸液进行成分补加使其达到玻璃减薄刻蚀使用要求回收利用;(5)对步骤(2)中过滤得到的氟硅酸盐沉淀与纯碱溶液反应,生成金属氟化物以及硅胶沉淀;(6)分离生成的金属氟化物以及硅胶沉淀,金属氟化物返回用于氟硅酸处理,硅胶待销。与现有技术相比,本发明可实现蚀刻废液的回收利用,减少了废液、废渣的排放,降低了环境污染风险,节约生产成本。

    一种管式反应器缩合反应制备四甲基碳酸氢铵的方法

    公开(公告)号:CN101314572A

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200810062961.X

    申请日:2008-07-08

    Abstract: 本发明公开了一种管式反应器缩合反应制备四甲基碳酸氢铵的方法,包括:将原料碳酸二甲酯(DMC)和三甲胺(TMA)以摩尔比0.5-1.5∶1与溶剂混合预热,然后通入管式反应器进行缩合反应,制得四甲基碳酸氢铵,反应后溶剂回收,循环利用。本发明方法采用连续管式反应,能够有效解决间歇釜式反应存在的弊端,并且设施上述方法的设备简单、紧凑,占地面积小,节约投资,使用效率高,很大程度上提升设备的安全系数,产品质量稳定,生产过程控制简洁,有效降低消耗与成本。

    一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法

    公开(公告)号:CN106479505A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610860973.1

    申请日:2016-09-29

    CPC classification number: C09K13/06

    Abstract: 一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法,重量百分比组成如下:硝酸2~8%,硫酸2~12%,添加剂0.01~2%,余量水,所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物,有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6-三羟基苯甲酸中的任意一种。本发明的蚀刻液以硝酸和硫酸为主要成分,工艺简单,酸浓度适中,对ITO导电薄膜具有优异的蚀刻性能,蚀刻速率适中,蚀刻精度高无残留,能够满足不同厚度ITO的蚀刻要求。同时采用一种碱金属盐和一种有机物作为添加剂,对下层金属Al或者Mo都具有优异的抗蚀效果,能够很好的满足技术工艺和制程要求。另外,该蚀刻液以低成本硫酸为原料,在满足技术工艺和制程要求的基础上有利于降低蚀刻液的成本。

    一种显影液组合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN106227003A

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201610861011.8

    申请日:2016-09-29

    CPC classification number: G03F7/322

    Abstract: 本发明涉及一种显影液,重量百分比组成如下:有机碱:0.01-60%,非离子表面活性剂:0.01-10%,两性表面活性剂:0.01-15%,有机溶剂:1-10%,余量为水。本发明应用有机强碱显影液,对光刻胶的渗透性好,显影速率快,金属含量为ppb级别,从而消除了金属离子杂质对TFT晶体管的不利影响;添加非离子表面活性剂及两性离子表面活性剂等,不仅兼顾了消泡性、分散稳定性,而且克服了现有技术显影液膜渣残留及操作温度范围窄的缺点;添加了水溶性有机溶剂,大大提高了显影使用时的持久性。该显影液在拥有优异的显影性能的同时,还具有低泡沫、对彩色光阻具有良好的分散稳定性,有效降低膜渣的形成,显影性能好,无残渣,操作温度范围宽等特点。

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