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公开(公告)号:CN106227003A
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:CN201610861011.8
申请日:2016-09-29
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: G03F7/32
CPC classification number: G03F7/322
Abstract: 本发明涉及一种显影液,重量百分比组成如下:有机碱:0.01-60%,非离子表面活性剂:0.01-10%,两性表面活性剂:0.01-15%,有机溶剂:1-10%,余量为水。本发明应用有机强碱显影液,对光刻胶的渗透性好,显影速率快,金属含量为ppb级别,从而消除了金属离子杂质对TFT晶体管的不利影响;添加非离子表面活性剂及两性离子表面活性剂等,不仅兼顾了消泡性、分散稳定性,而且克服了现有技术显影液膜渣残留及操作温度范围窄的缺点;添加了水溶性有机溶剂,大大提高了显影使用时的持久性。该显影液在拥有优异的显影性能的同时,还具有低泡沫、对彩色光阻具有良好的分散稳定性,有效降低膜渣的形成,显影性能好,无残渣,操作温度范围宽等特点。
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公开(公告)号:CN105908188A
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201610342582.0
申请日:2016-05-23
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管铜钼层叠膜蚀刻技术领域,具体涉及一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,对于组合物的总重量,由以下组分组成:1?30%重量的过氧化氢;0.01?8%重量的过氧化氢稳定剂;0.5?8%重量的磷酸盐类;0.1?8%重量的无机酸;1?10%重量的金属螯合剂;0.01?5%重量的金属缓蚀剂;余量为水。本发明的蚀刻液组成物无含氟化合物,不会对玻璃基板或硅板产生腐蚀,对环境无污染,反应温和易于控制;金属螯合剂可以螯合产生的铜钼离子,避免双氧水的分解而降低寿命和产线的危险性;使用磷酸盐通过原电池反应自我调节铜钼的蚀刻速率,配合金属缓蚀剂,避免了铜缩进或者钼缩进,蚀刻过程稳定,蚀刻速率适中,蚀刻角度稳定在30~60°,临界尺寸损失小,改善后期铜制程性能。
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