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公开(公告)号：CN204516792U
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201420601236.6
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层之间设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层之间设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层为掺杂Te第一型电流扩展层。本实用新型可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN204144300U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420449810.0
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本实用新型解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。
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公开(公告)号：CN205428991U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620103259.3
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本实用新型包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本实用新型的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
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公开(公告)号：CN204720452U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520158094.5
申请日：2015-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有立体发光结构的高压发光二极管，由至少两层相互错开键合的子级发光二级管组成，其中一层设置n+1个子级发光二极管为底层，底层各子级发光二极管处于同一平面，另一层设置n个子级发光二极管为顶层，顶层各子级发光二极管处于同一平面，底层与顶层相邻的子级发光二极管设置于两个不同水平面上；各子级发光二级管具有独立发光结构，各子级发光二级管串联连接。本实用新型将各子级发光二极管串联连接，构成立体的至少双层发光结构，明显地增加单位面积发光的功率，且使得同样电压的高压芯片模块的面积缩小近一倍，有效地降低高压芯片模块的封装成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204303856U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420601218.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本实用新型可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN204257688U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420601237.0
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有电极出光的发光二极管，在外延发光结构上形成第一电极及第二电极，其中，第一电极或第二电极作为焊台电极，在作为焊台电极的第一电极或第二电极内部设置若干规则的微细透明柱体，且透明柱体与外延发光结构形成连接。本实用新型可以减少电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN204243043U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201420699609.8
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本实用新型可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN204167348U
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201420601588.1
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构，在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、应力平衡层、InxGa1-xN/GaN有源层、空穴注入层、电子阻挡层及P型掺杂层；InxGa1-xN/GaN有源层由多组InxGa1-xN量子阱层及GaN量子垒层构成，其中0.1
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公开(公告)号：CN205282496U
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201521027641.2
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及发光二极管的技术领域，特别是公开一种高效发光二极管芯片，包括一衬底，一缓冲层，一非故意掺杂层，一N型导电层，一有源区，一电子阻挡层，一P型导电层，一P型接触层，一电流阻挡层，一ITO导电层，一P电极，一N电极以及一电极隔离层。本实用新型无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
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