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公开(公告)号：CN112185785A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN112135977A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033168.3
申请日：2019-04-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 丹尼尔·麦吉利卡迪 , 詹姆士·P·布诺德诺
Abstract: 本发明公开一种使用弹簧力来附接两个组件的紧固系统。紧固系统利用O形环来提供弹簧力，因而不需要任何金属组件。O形环可设置在具有多个辐条的O形环保持器中。当受压缩时，辐条会对O形环形成压迫。辐条的数目以及其大小及形状决定紧固系统的弹簧力。在另一实施例中，利用垂直定向的O形环。紧固系统可用于紧固离子源的各种组件。
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公开(公告)号：CN111937130A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980024138.6
申请日：2019-03-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 保罗·E·佩尔甘德 , 詹姆斯·D·史瑞斯奈
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本文中提供用于冷却处理腔室窗的方式。在一些实施例中，一种处理腔室窗冷却用系统可包括用于处理晶片的处理腔室，其中所述处理腔室包括窗。在一些实施例中，所述窗容许来自灯总成的光被递送到晶片。所述系统还包括能够与所述处理腔室一起操作的冷却装置，所述冷却装置用于将气体递送到所述窗。所述冷却装置包括用于支撑所述窗的支撑环。所述支撑环包括周边壁、以及透过所述周边壁形成的多个狭槽。所述多个狭槽可穿过所述窗递送气体(例如，空气)。
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公开(公告)号：CN111902904A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021860.4
申请日：2019-02-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 亚当·M·麦劳克林 , 詹姆士·A·萨金特 , 约书亚·M·阿比沙斯
IPC: H01J37/09 , H01J37/317
Abstract: 公开一种包括多个箔层的箔衬垫。所述箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。
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公开(公告)号：CN107533960B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201680022679.1
申请日：2016-04-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙世宇 , 吉田尚美 , 班杰明·科伦贝亚努 , 汉斯-乔辛·L·格斯曼
IPC: H01L21/265 , H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种形成三维装置的方法以及一种形成多栅极式晶体管的方法。所述形成三维装置的方法可包括：将离子引导至鳍片结构的延伸区的端面，所述鳍片结构自基板平面垂直地延伸且具有平行于所述基板平面的鳍片轴线，其中所述离子具有在垂直于所述基板平面且平行于所述鳍片轴线的平面中延伸的轨迹，其中所述鳍片结构的一部分被栅极结构覆盖，所述栅极结构定义通道区，且其中所述端面不被所述栅极结构覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111742388A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980013322.0
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
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公开(公告)号：CN111627788A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010528406.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/04
Abstract: 一种弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备，包括：后扫描电极，以扇形束包络的形式接收及传输经扫描束，其中所述经扫描束界定视在扫描原点，其中所述后扫描电极的至少一部分具有弯曲形状以实质上维持所述视在扫描原点的位置。通过使用具有与扇形束包络线传播方向垂直的形状(例如，弯曲形状)的后扫描电极，可有利地避免视在扫描原点相比于扫描原点的折射移位。使用具有弯曲形状或弧形状的后扫描电极使得能够在扫描板以及后扫描电极上使用与传统扫描系统中使用的电压相比显著更高的电压。
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公开(公告)号：CN111279451A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880069665.4
申请日：2018-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/16 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种利用通过密度的变化来控制热梯度及热能流的构件的系统。本发明还公开制作所述构件的方法。所述构件是使用加成制造来制造。这样一来，可视需要来定制构件的不同区的密度。举例来说，可在构件的区的内部中形成格构图案，以减小所使用的材料量。这减小重量并且还降低所述区的导热性。通过使用低密度区及高密度区，可控制热能流以适应设计约束。
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公开(公告)号：CN107464772B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201710699405.2
申请日：2014-03-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , B25J11/00 , B25J15/00
Abstract: 本发明所公开的是晶片支撑及校准设备。晶片支撑及校准设备包括适用于固定、校准及支撑晶片的多个晶片支撑元件。晶片支撑元件包括至少一个平坦部分以支撑晶片、至少一个校准边缘部分从至少一个平坦部分向上突出以及由至少一个平坦部分的一部分雕刻而成的至少一个凹陷袋区。至少一个凹陷袋区适用于接收至少一个垫。可保持硅晶片的校准以及在(其)位置(上)，防止在制造程序中移动硅晶片从站至站的机械终端作用设备在线性和旋转移动时滑动。
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公开(公告)号：CN106133208B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201580014648.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 南帝斯·德塞
Abstract: 本发明提供一种用于控制熔体内的热流的装置及其处理方法。装置可包括坩埚，用以容纳熔体，而熔体具有暴露面。装置也可包括加热器与散热屏障总成。加热器配置于坩埚的第一侧的下方，用以提供热以穿过熔体而至暴露面。散热屏障总成包括至少一散热屏障，配置于坩埚内，并在熔体中定义隔离区与外围区。所述装置用以容纳或限制热流，所以表面的热流会受规范。
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