公开(公告)号：CN107533960A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680022679.1

申请日：2016-04-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 孙世宇 ,  吉田尚美 ,  班杰明·科伦贝亚努 ,  汉斯-乔辛·L·格斯曼

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种形成三维装置的方法。所述方法可包括：将离子引导至鳍片结构的延伸区的端面，所述鳍片结构自基板平面垂直地延伸且具有平行于所述基板平面的鳍片轴线，其中所述离子具有在垂直于所述基板平面且平行于所述鳍片轴线的平面中延伸的轨迹，其中所述鳍片结构的一部分被栅极结构覆盖，所述栅极结构定义通道区，且其中所述端面不被所述栅极结构覆盖。

公开(公告)号：CN107533960B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201680022679.1

申请日：2016-04-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 孙世宇 ,  吉田尚美 ,  班杰明·科伦贝亚努 ,  汉斯-乔辛·L·格斯曼

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种形成三维装置的方法以及一种形成多栅极式晶体管的方法。所述形成三维装置的方法可包括：将离子引导至鳍片结构的延伸区的端面，所述鳍片结构自基板平面垂直地延伸且具有平行于所述基板平面的鳍片轴线，其中所述离子具有在垂直于所述基板平面且平行于所述鳍片轴线的平面中延伸的轨迹，其中所述鳍片结构的一部分被栅极结构覆盖，所述栅极结构定义通道区，且其中所述端面不被所述栅极结构覆盖。