公开(公告)号：CN103858212B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280047608.9

申请日：2012-07-24

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  永濑正明 ,  山下哲 ,  日高敦志 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  池田信一 ,  平尾圭志

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明提供能够使气化器内的压力的举动稳定的气化器。本发明的气化器具备：腔，其具备流入口以及流出口；加热装置，其加热该腔内；隔壁构造体(13)，其设于该腔内，并将该腔内的液体材料划分到多个区划；以及液体流通部(20)，其设于隔壁构造体(13)的下部，以容许利用隔壁构造体(13)划分的各区划之间的液体流通，所述隔壁构造体具有格子状、蜂窝状、网孔状、或管状的隔壁。

公开(公告)号：CN103688058A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280036240.6

申请日：2012-06-27

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 岩城征道 ,  大见忠弘 ,  大山健二 ,  阿久津功

IPC: F04C18/16 ,  F04C29/00

CPC classification number: F04D3/02 ,  F04C18/086 ,  F04C18/16 ,  F04C25/02 ,  F04C27/004 ,  F04C2230/602 ,  F04C2230/91 ,  F05C2225/00 ,  Y10T29/49236

Abstract: 本发明提供即便使螺杆转子与定子的间隙的宽与以往相比格外狭小也可以充分确保旋转的安全性、可以大幅提高泵的排气性能的定子。本发明的定子（106）以由加工成定子用的不锈钢等金属形成的基材为构成母体，在基材的与螺杆转子的齿的前端面（201）相对向的内壁面（203）上设置有PFA膜。PFA膜为通过在内壁面（203）上涂装PFA后，经过熔融与再熔融的过程而形成，从而赋予其自由表面以高平滑性。本发明的定子以定子（106）的内壁面（203）与螺杆齿槽部（103）的齿的前端面（201）之间存在间隔的方式被配置。对于内壁面（203）上的PFA膜的自由表面与前端面（201）的间隔的宽，通过按规定设置有本发明的PFA膜，从而可以比以往更加狭小。

公开(公告)号：CN102037423B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN200980118159.0

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  永濑正明 ,  杉田胜幸 ,  平田薰 ,  广濑隆 ,  筱原努 ,  池田信一 ,  吉田俊英 ,  田中久士

IPC: G05D7/06 ,  G01F1/00 ,  G01F1/42 ,  G01F7/00 ,  G05D16/20

CPC classification number: G05D7/0635 ,  G01F1/42 ,  G01F7/005 ,  Y10T137/0379

Abstract: 本发明是使用了流量范围可变型流量控制装置的流体流量控制方法，该装置使得压力式流量控制装置的控制阀的下游侧和流体供给用管道之间的流体通道为至少两个以上的并列状流体通道，并且使流体流量特性不同的孔口分别位于所述各并列状的流体通道中，在第1流量域的流体的流量控制中，使所述第1流量域的流体流过一个孔口，并且在第2流量域的流体的流量控制中使所述第2流量域的流体流过至少另一个孔口，选定所述各孔口的流量特性，使得所述小流量的第1流量域的流体的最大控制流量小于所述大流量的第2流量域的最大控制流量的10％，在规定的流量控制误差内流量控制将第1流量域中的可能的最小流量降低。

公开(公告)号：CN103443910A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280000929.3

申请日：2012-04-05

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67757 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。

公开(公告)号：CN101903562B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200880122240.1

申请日：2008-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  田中宏治

IPC: C23C16/511 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。

公开(公告)号：CN101652499B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880011109.8

申请日：2008-04-04

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种通过升高靶子上的瞬时的等离子体密度而提高成膜速度的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置是如下的磁控溅射装置，其具有被处理基板、与被处理基板相面对地设置的靶子、设置于靶子的与被处理基板相反一侧的旋转磁铁，在靶子表面形成多个等离子体环，并且该等离子体环随着旋转磁铁的旋转而在旋转磁铁的轴向上产生、移动、消除。

公开(公告)号：CN103282701A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201280004505.4

申请日：2012-01-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本华尔卡工业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  佐藤広嗣 ,  内野良则 ,  岩城征道

IPC: F16J15/08

CPC classification number: F16J15/08 ,  F16J15/027 ,  F16J15/0881 ,  F16J15/0893

Abstract: 提供一种能以比现有技术小的紧固力发挥出与现有技术相比同等以上的较高密封性的金属垫片。其是由形成有周向的开口且截面呈大致C字状的环状的外环和嵌装于该外环内侧的环状的内环构成，并通过在安装于构件间的状态下沿上下方向被按压来对构件间进行密封的环状的金属垫片，内环的截面形成为多边形，包括：与外环的内侧面的上侧抵接的上侧角部；与外环的内侧面的下侧抵接的下侧角部；以位于上侧角部与下侧角部之间的方式形成于内环的内周侧的内周侧角部；以及以位于上侧角部与下侧角部之间的方式形成于内环的外周侧的外周侧角部，在上侧角部与内周侧角部及外周侧角部之间、下侧角部与内周侧角部及外周侧角部之间分别形成有内角比180°大的弯曲部。

公开(公告)号：CN103262225A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201280004168.9

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其具有：第1牺牲层形成工序，形成与第1半导体层的至少一部分接触、第1半导体层中所包含的杂质的固溶度比第1半导体层高的第1牺牲层；退火工序，对第1牺牲层及第1半导体层进行退火；除去工序，用湿法工艺除去第1牺牲层；形成覆盖第1半导体层的至少一部分的绝缘层的工序，及对第1半导体层的一部分进行蚀刻的工序的至少一个工序；形成与第1半导体层电性地连接的电极层的电极形成工序。

公开(公告)号：CN103081056A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042487.4

申请日：2011-08-30

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  石井秀和

IPC: H01J61/06 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/30 ,  H01J9/022 ,  H01J61/0675

Abstract: 本发明提供一种阴极体，其具有：作为基体的圆筒形杯（30）；设置在圆筒形杯（30）的表面的具有SiC的阻挡层（303）；以及形成在阻挡层（303）的表面的具有稀土元素的硼化物的膜，该阴极体能够防止基体的成分元素与硼化物的相互扩散。

公开(公告)号：CN102792422A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011875.6

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522

Abstract: 一种半导体晶体管的制造方法，在由GaN系的半导体构成的活性层上形成欧姆电极，该半导体晶体管的制造方法具备：在活性层(3)上形成由钽氮化物构成的第1层(11)、和层叠于第1层(11)上的由Al构成的第2层(12)的工序；通过以520℃以上、600℃以下的温度来对第1以及第2层(11、12)进行热处理，来形成与活性层(3)取得欧姆接触的欧姆电极(9s、9d)的工序。