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公开(公告)号：CN112652686B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110001890.8
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层背离所述衬底的一侧表面设置隧穿结与若干个电流扩展复合层，其中，所述电流扩展复合层层叠于所述隧穿结背离所述外延叠层的一侧表面，且各所述电流扩展复合层包括沿第一方向依次堆叠的第二N型半导体层和欧姆接触层；所述电流扩展复合层具有第一通孔，所述第一通孔从顶层的欧姆接触层贯穿至部分所述第一N型半导体层，且裸露所述第一N型半导体层的部分表面；使所述P型半导体层与最底层的第二N型半导体层之间形成隧穿效应。从而实现通过外延材料层(即N型半导体层)替代传统结构的透明导电层，在保证其电流扩展效果的同时，可较好地实现稳定可靠的芯片结构。
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公开(公告)号：CN112349819B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202011214208.5
申请日：2020-11-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔填充式LED芯片及其制作方法，其所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔，所述通孔内设有填充结构；所述填充结构通过不同实施方式呈现。在保证接触的前提下，减少了由于开孔导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。
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公开(公告)号：CN113328017A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110562795.5
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。另外，与传统制作的PAD金属层不同，该集成金属层的侧壁包覆在绝缘层内，可以较好地耐受外部水汽、酸碱、盐雾等的侵蚀，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111883552A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010771244.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成式LED芯片模组及其制作、测试、切割方法，其LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述电极引线平铺于所述沟槽上方且相互间隔设置，并通过所述绝缘层与所述LED阵列单元和/或基板隔离设置；所述子电极沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面与所述电极引线形成电连接；基于本发明所提供的技术方案，可利用测试电极做打线金球，从而避免在LED阵列单元表面打线引起的遮光问题；同时，可通过将测试电极与外部控制电路连接，实现LED阵列单元的独立控制，并降低控制电路与各LED阵列单元的连接难度。
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公开(公告)号：CN108565320B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810029288.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管的外延结构的第一型导电层包括至少两个子导电层，并且每两个子导电层之间还设置有电流阻挡层，这些子导电层和电流阻挡层堆叠设置，使得子导电层之间具有一定的高度差；另外，所述发光二极管的第一电极包括种类与子导电层相匹配的第一型扩展电极，每类第一型扩展电极通过沟槽实现与一个子导电层的电连接，而由于子导电层之间具有一定的高度差及电阻差，且存在着一定的电流阻挡效果，有效引导流出第一型扩展电极的电流更大范围的横向扩展，有利于引导电流在第一型扩展电极与相邻的第二型扩展电极之间的合理分布，从而降低发光二极管的电流拥挤，从而提升发光二极管发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107482090B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710719752.7
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种发光二极管及其制作方法，在临时衬底上依次外延第一缓冲层、切割剥离层和基板层，后续再制作发光二极管外延结构层，通过制作切割道，所述切割道至少贯穿基板层，最后再去除切割剥离层，从而将发光二极管芯片切割分离为多个独立的发光二极管结构。也即本发明中采用切割剥离层与制作切割道结合，可以使用薄刀制作或者ICP工艺制作较窄的切割道，结合切割剥离层的剥离，使得发光二极管被切割为多个独立芯片，从而代替现有技术中，激光切割和切割刀结合的方式，或者薄厚刀相结合的方式，从而能够有效避免采用激光切割烧蚀对外延材料的损伤，也能够避免采用厚刀切割造成的发光面积减少的问题。
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公开(公告)号：CN107464864B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710718915.X
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底，及依次设置的缓冲层、多个碳纳米管、形成于多个碳纳米管之间的非故意掺杂层和第一掺杂层，碳纳米管的高度大于非故意掺杂层的厚度，且小于非故意掺杂层和第一掺杂层的厚度之和，第一掺杂层包括上表面、下表面和第一平台，第一平台低于所述上表面，且高于下表面，第一平台上暴露出多个碳纳米管的横截面和第一掺杂层的部分横截面；仅与第一平台直接接触的第一电极；依次设置在第一掺杂层上的活性层、电流阻挡层、第二掺杂层、第二电极，以及实现各结构间电性隔离的隔离层。本发明利用碳纳米管的超导效果，使电流在含有碳纳米管的体材料中均匀分布，解决了传统发光二极管电流拥挤的问题。
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公开(公告)号：CN107895753B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201711122687.6
申请日：2017-11-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成SiN缓冲层；在SiN缓冲层背离衬底的一侧形成SiN与AlN混合渐变层；在SiN与AlN混合渐变层背离SiN缓冲层的一侧形成AlN缓冲层；在AlN缓冲层背离SiN与AlN混合渐变层的一侧依次形成GaN缓冲层、非故意掺杂层、第一导电层、有源区以及第二导电层层；其中，SiN与AlN混合渐变层包括依次设置的多层SiN与AlN混合层。该制作方法通过在SiN缓冲层与AlN缓冲层之间设置多层SiN与AlN混合层，降低了Si衬底的发光二极管外延层中氮化物的应力，进而使有源区的晶体质量得以有效提高，最终有效的提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN109378379A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811209401.2
申请日：2018-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种封装组件，所述封装组件包括：发光二极管和封装基板；所述发光二极管包括第一焊盘；所述封装基板包括第二焊盘；所述发光二极管和所述封装基板之间通过所述第一焊盘和所述第二焊盘进行固定连接；所述第一焊盘和所述第二焊盘的数量相同，所述第一焊盘的数量至少为三个。该封装组件中第一焊盘的数量至少为三个，且第二焊盘的数量和第一焊盘的数量相同，那么，三个以上的焊盘数量会产生多个方向的张力，进而可以使发光二极管和封装基板的位置对准，不会发生偏移或歪斜，提高了发光二极管的封装稳定性。
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公开(公告)号：CN109166950A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811072704.4
申请日：2018-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法，其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极，其中其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同，通过这样的方式，能够改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量，以提高所述发光二极管的光效。
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