公开(公告)号：CN107464864B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710718915.X

申请日：2017-08-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  吕孟奇 ,  卓祥景 ,  汪洋

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底，及依次设置的缓冲层、多个碳纳米管、形成于多个碳纳米管之间的非故意掺杂层和第一掺杂层，碳纳米管的高度大于非故意掺杂层的厚度，且小于非故意掺杂层和第一掺杂层的厚度之和，第一掺杂层包括上表面、下表面和第一平台，第一平台低于所述上表面，且高于下表面，第一平台上暴露出多个碳纳米管的横截面和第一掺杂层的部分横截面；仅与第一平台直接接触的第一电极；依次设置在第一掺杂层上的活性层、电流阻挡层、第二掺杂层、第二电极，以及实现各结构间电性隔离的隔离层。本发明利用碳纳米管的超导效果，使电流在含有碳纳米管的体材料中均匀分布，解决了传统发光二极管电流拥挤的问题。

公开(公告)号：CN107464864A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710718915.X

申请日：2017-08-21

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  吕孟奇 ,  卓祥景 ,  汪洋

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底，及依次设置的缓冲层、多个碳纳米管、形成于多个碳纳米管之间的非故意掺杂层和第一掺杂层，碳纳米管的高度大于非故意掺杂层的厚度，且小于非故意掺杂层和第一掺杂层的厚度之和，第一掺杂层包括上表面、下表面和第一平台，第一平台低于所述上表面，且高于下表面，第一平台上暴露出多个碳纳米管的横截面和第一掺杂层的部分横截面；仅与第一平台直接接触的第一电极；依次设置在第一掺杂层上的活性层、电流阻挡层、第二掺杂层、第二电极，以及实现各结构间电性隔离的隔离层。本发明利用碳纳米管的超导效果，使电流在含有碳纳米管的体材料中均匀分布，解决了传统发光二极管电流拥挤的问题。