公开(公告)号：CN108231870A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810010042.1

申请日：2018-01-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  张昭阳 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  袁雷雷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种能够产生界面电荷，增强了表面横向电场，提高了表面横向耐压的具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件。该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件包括由上至下依次设置的漂移区、埋层一、衬底；所述漂移区的上方设置有埋层二，所述埋层二上方设置有表面结构；所述埋层二上设置有延伸到漂移区内的介质槽二，所述介质槽二沿横向均匀分布。采用该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件击穿电压能够达到427V,传统槽栅结构击穿电压为258V，提升了65.5％。采用具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件等势线分布均匀，电荷屏蔽效应使得表面高压对漂移区的作用降低，大幅提高漂移区浓度，降低电阻，提高击穿电压。

公开(公告)号：CN106847925A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710087033.8

申请日：2017-02-17

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  广西科技大学

Inventor： 李琦 ,  陆诗维 ,  李海鸥 ,  首照宇 ,  陈永和 ,  杨年炯 ,  李思敏 ,  张法碧 ,  高喜 ,  傅涛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明提供一种具有表面反型固定界面电荷的功率器件，该功率器件包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上；场氧层内还设有变掺杂的固定界面电荷区；固定电荷区的电荷极性与有源层离子所属的极性相反；固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。反型固定界面电荷之间相互作用，在场氧层中形成连续尖峰电场，该尖峰电场改善了有源层的电场分布，从而有效提高器件的击穿电压。同时，由于漂移区离子部分电力线终止于反型固定界面电荷，有源层优化掺杂浓度提高，导通电阻下降。

公开(公告)号：CN106595661A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611007932.4

申请日：2016-11-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 蒋行国 ,  罗珍珍 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  李琦 ,  张法碧

IPC: G01C21/20 ,  G06N3/00

CPC classification number: G01C21/20 ,  G06N3/006

Abstract: 本发明公开了一种惯性传感器信号重构方法，首先，利用量子编码的叠加性构造蜜源，通过量子旋转门更新量子蜜蜂的搜寻方式，加速最优蜜源的搜索进程；然后针对量子蜂群算法易陷入局部最优的缺陷，引入一种自适应的量子交叉和量子变异方法对算法进行改进以产生新蜜源，提高种群多样性，避免算法陷入局部最优；进而选出与惯性传感器信号最为匹配的蜜源以完成信号的重构，实现在提高惯性传感器信号输出精度的同时满足信号实时处理的要求。本发明在缩短运行时间的同时，还提高了信号的信噪比，有利于惯性传感器信号的实时处理。

公开(公告)号：CN105738990A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610281035.6

申请日：2016-04-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 肖功利 ,  刘小刚 ,  刘利 ,  杨宏艳 ,  王宏庆 ,  郑龙 ,  李海鸥 ,  李琦 ,  岳宏卫

IPC: G02B5/00 ,  G02B6/02 ,  G02B6/26

CPC classification number: G02B5/008 ,  G02B6/02052 ,  G02B6/262

Abstract: 本发明提供一种强透射特性的等离激元波导滤波器，属于微纳光电子领域，包括光纤衬底、金属膜和电介质层，光纤衬底设置在金属膜的正下方，电介质层铺设在金属膜的上表面，金属膜上均匀排列设置有N个单位孔阵列结构，其中，每个单位孔阵列结构的中心设置有一个纳米狭缝；纳米狭缝包括一个方形孔和四个圆形孔；方形孔和四个圆形孔形成花朵形；其中两个圆形孔与方形孔两边相连接，水平设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上，关于方形孔对称；另外两个圆形孔与方形孔另外两边相连接，竖直设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上；每个圆形孔均与其中两个圆形孔两两相连接；纳米狭缝贯通于金属膜和电介质层的上下表面。

公开(公告)号：CN105428236A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201511025094.9

申请日：2015-12-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  康维华 ,  首照宇 ,  高喜 ,  丁志华 ,  莫如愚 ,  李琦 ,  肖功利 ,  蒋行国 ,  翟江辉 ,  徐卫林

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。

公开(公告)号：CN103077891B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310021186.4

申请日：2013-01-21

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  黄伟 ,  吴笑峰 ,  李思敏 ,  首照宇 ,  于宗光 ,  李琦 ,  胡仕刚 ,  邓洪高

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法，其能够在低导通电阻的情况下提高器件击穿电压。所述基于超级结的氮化镓HEMT器件包括蓝宝石HEMT外延片、不掺杂AlN层、不掺杂GaN层、不掺杂AlGaN层、源极、栅极、漏极、栅漏极之间基于F离子处理技术形成的超级结区。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构，分别蒸发源漏极金属和栅极金属形成源、漏和栅极；采用基于F离子处理技术在栅极-漏极区域形成的超级结。本发明相对于常规的氮化镓HEMT器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关反应速度快、功耗低和缓冲层漏电小的特点，可用于大功率电力电子开关、汽车电子、太阳能模块、电动车、雷达和制导等方面。

公开(公告)号：CN221304699U

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202322980419.5

申请日：2023-11-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  管理 ,  陈永和 ,  翟江辉 ,  李海鸥 ,  崔现文 ,  程识 ,  叶健 ,  李佩 ,  牛玉龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，在现有功率半导体器件的沟道区内开设有至少一个倒V形的嵌入槽；嵌入槽纵向贯通沟道区，即嵌入槽的上表面与沟道区的上表面相平，嵌入槽的下表面与沟道区的下表面相平；嵌入槽的整个内侧表面覆有绝缘介质，嵌入槽内填充有栅极介质；填充在嵌入槽内的栅极介质形成嵌入栅，嵌入栅的上表面直接与环表面栅连接，嵌入栅的下表面通过绝缘介质与埋氧层连接。本实用新型利用倒V形的嵌入栅的倾斜交叉结构提高有效沟道长度以及宽度，降低器件的导通电阻，提高整体导通性能，实现沟道区的三维完全包裹。

公开(公告)号：CN209589089U

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201821559766.3

申请日：2018-09-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  刘飞 ,  傅涛 ,  李海鸥 ,  张法碧 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  孙堂友

IPC: G01D5/353

Abstract: 本实用新型提出了一种三孔缝结构的传感器，解决了现有技术中存在的三孔缝结构的传感器性能差、谱宽所需大的技术问题，采用包括三孔缝结构的传感器包括厚度小于工作波长的超表面；所述超表面的形状为规则几何形状，超表面内平行等间距对称的设置有三个矩形孔缝；所述超表面的材质为金属的技术方案，可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207441705U

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201721428381.9

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 李海鸥 ,  王博 ,  邹锋 ,  刘洪刚 ,  高喜 ,  李琦 ,  蒋振荣 ,  张法碧 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  李跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206643500U

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201720224867.4

申请日：2017-03-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  韦春荣 ,  首照宇 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  李思敏 ,  高喜 ,  傅涛 ,  王晓峰 ,  潘岭峰

IPC: B23K26/064 ,  B23K26/364 ,  H01L21/78

Abstract: 本实用新型公开一种含低介电常数介质晶圆片的激光划片系统，包括激光器、扩束镜、光阑、反射镜、分束元件、可变焦距系统和移动平台；激光器出射的激光光束经扩束镜扩束后垂直进入光阑，经过光阑滤掉边缘杂光后的激光光束入射到反射镜，经过反射镜反射后的激光光束入射到激光光束分束元件，激光光束分束元件输出性质完全一致的两束激光光束，两束激光光束进入可变焦距系统，经可变焦距系统调节后的两束激光光束聚焦于位移平台上的晶圆片，两束激光光束共同作用于晶圆片上实现同步化片。本实用新型采用分束元件和可变焦距系统进行组合调节光束间距，设备简便、通用型强，加工质量高、效率好，尤其适用于含low-k介质晶圆片的划片加工。