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公开(公告)号：CN107612514A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
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公开(公告)号：CN107612514B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
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公开(公告)号：CN107833923A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034834.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66446 , H01L29/66484
Abstract: 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III-V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。
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公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207441705U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721428381.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489515B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201511021788.5
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片的共晶焊接方法，在芯片硅衬底背面蒸镀金属层，在一定温度下，使金属层与框架表面受压接触，在接触面发生键合形成共晶，实现共晶焊接，在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu，形成四层结构的金属层，其中W层厚度为Al层厚度为Ni层的厚度为Cu层的厚度为1.1～1.2μm，Cu层与框架表面的镀层形成共晶。本发明不需镀金或镀银，大大节约了生产成本，且提高了封装产品热导率，增长产品使用寿命。
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公开(公告)号：CN105428282B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510989316.2
申请日：2015-12-25
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: Y02P80/30
Abstract: 本发明公开一种具有防叠功能的贴片机，包括框架容置盒、传送轨道、贴装头和防叠框架检测机构。传送轨道位于框架容置盒的前端，贴装头位于传送轨道的后端。该防叠框架检测机构包括固定支架、活动杠杆、检测辊轮、传感器、控制器和报警器组成。当传送轨道上传送的引线框架的厚度大于检测辊轮的下端面与传送轨道之间的间隙时，检测辊轮被向上抬起，活动杠杆随之上升，此时传感器检测到活动杠杆的上升运动，发出信号到控制器，并通过控制器控制报警器发出报警。本发明能有效检查出两片及两片以上框架重叠送到轨道，使设备停机报警，提醒员工处理，这样直接地提高了焊接质量，减少原材料损耗，从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105489533B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201511024792.7
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种贴片机停电摆臂防撞系统，由不间断电源、输入输出接口控制板、马达驱动板、X轴马达、Y轴马达和θ轴马达组成。其中不间断电源的输入端与市电相连，不间断电源的输出端经输入输出控制接口板与马达驱动板的输入端相连，马达驱动板的输出端分别与X轴马达、Y轴马达和θ轴马达相连。本发明能够避免了贴片机在遭遇突然停电，摆臂因惯性撞击轨道，而导致设备的损坏，降低了维修费用，保证了生产效率。
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公开(公告)号：CN106269547A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610791205.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: B07C5/00
CPC classification number: B07C5/00
Abstract: 本发明公开一种测试分选机用的器件定位座，包括定位杆，所述定位杆的上方设有定位凸台，所述定位凸台中心线上沿着其中心对称设有两块长度导入板，所述两块长度导入板相对定位凸台中心向外倾斜设置，所述两块长度导入板的两侧均设有与其倾斜方向一致、且相对定位凸台中心对称设置的宽度导入板，所述长度导入板的高度高于宽度导入板的高度。本发明结构简单、易于制造，有效矫正半导体器件的中心偏移吸嘴中心的现象，从而实现器件精确定位，避免半导体器件管脚的变形和分选机报警停机的现象，既减少员工的劳动量，同时提高半导体器件的生产效率。
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公开(公告)号：CN104299906B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310305389.6
申请日：2013-07-19
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种掩埋式势垒分压场效应管及其生产方法，其在外延层上根据耐压的需要确定向下挖槽的深度，提前掩埋分压势垒，并以与栅极相似的网格结构连接到源极，分两层制作高压功率场效应器件，当源极（Source）和漏极Drain）有电压（不导通）时，掩埋的势垒之间形成耗尽层（在两者之间形成空乏区），起到耐压的作用。同时，上述结构中掩埋分压势垒和上面的沟槽的栅极（Gate）形成耗尽层（在两者之间形成空乏区），可以大幅消除Gate和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充电时间（Qg可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。
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