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公开(公告)号：CN107612514B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
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公开(公告)号：CN107833923A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034834.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66446 , H01L29/66484
Abstract: 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III-V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。
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公开(公告)号：CN107612514A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711034833.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。
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公开(公告)号：CN207441705U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721428381.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207442796U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721410659.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119776773A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411877105.5
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN119536451A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411720875.9
申请日：2024-11-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种自偏置低温漂的带隙基准电压源，通过引入预稳压电路将电源电压与自偏置运算放大器以及带隙基准核心电路隔离，使得带隙基准电压源的偏置电流和输出电压不依赖电源电压的变化，提高了带隙基准电压源的低频电源抑制比；利用自偏置技术简化了运算放大器的偏置电路，并为预稳压电路提供受温度漂移影响较小的参考电压；考虑带隙基准核心电路输出一阶基准电压温度漂移系数较大，采用一种结构简单的低功耗分段补偿电路，在设定的高、低温温度区间内输出不同大小的高低温补偿电流，实现对一阶基准电压的高阶补偿，在拓宽基准电压温度范围的同时，大幅降低了基准电压温度漂移系数，提升了输出基准电压精度。
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公开(公告)号：CN119277181A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411661445.4
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林艾瑞科技有限公司
Abstract: 本申请涉及基于超透镜的高清X射线成像系统，包括闪烁体、成像透镜组和成像模块；所述闪烁体将入射的X射线转换成可见光，所述可见光经过所述成像透镜组进行聚焦，所述成像模块进行图像采集；所述成像透镜组包括透镜组、超透镜和反光镜；所述闪烁体的发光峰的半高全宽在所述超透镜的工作波长±10nm范围内；通过引入具有小型化、轻量化、可集成和多功能化特征的超透镜，能过够获得更高空间分辨成像的同时方便集成，解决了现有技术存在的困难，对推进超透镜的实用化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118890957A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410921181.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于微电子存储技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器及其制备方法，该基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器由下至上依次为云母基底层、SrTiO3缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3底电极层、BiFeO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待薄膜生长；S2、制备缓冲层；S3、制备底电极层；S4、原位退火；S5～S6、制备BiFeO3铁电功能氧化物层；S7、原位退火；S8、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3作为缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3作为底电极、BiFeO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性器件中实现数据的读取和存储功能。本发明适用于可穿戴设备、柔性人工突触等领域。
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公开(公告)号：CN118112790A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410468389.6
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于偏振和拉伸控制的焦距可调超透镜设计方法。当x偏振和y偏振入射时，拉伸可调谐范围分别为11.4～20.6um、20.7～36.4um，动态聚焦范围为最小焦距的213.8％。以同样的条件，我们还构造了一个仅偏振控制和一个仅拉伸控制超透镜。对比表明，双控制的方案有效地克服了传统偏振复用超透镜不能连续变焦问题。此外，与单一控制的可调谐超透镜相比，该设计拥有可观的焦距可调谐范围。因此，在VR/AR显示技术、全息成像等方面，它具有广泛的应用前景。
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