公开(公告)号：CN105253954A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510726910.2

申请日：2015-10-29

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 唐艳平 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  黄湖江 ,  朱金华

IPC: C02F1/42 ,  C02F103/04

Abstract: 本发明公开一种制纯水装置，包括第一和第二离子交换树脂塔，两个离子交换树脂塔的顶部均设有两个进水口、底部均设有两个出水口，第一离子交换树脂塔的出水口、进水口分别与第二离子交换树脂塔的进水口、出水口串联连接。本发明结构简单、易于实现，将两个离子交换树脂塔进行串联连接，延长离子交换树脂塔再生后纯水使用寿命和树脂延长使用年限，有效节约再生使用酸碱材料，制备的纯水水质高；同时水与树脂的有效接触面大、填料的传质效率高、塔内液体的均匀分布等特点，值得广泛推广。

公开(公告)号：CN104299906A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310305389.6

申请日：2013-07-19

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 李勇昌 ,  彭顺刚 ,  邹锋 ,  王常毅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开一种掩埋式势垒分压场效应管及其生产方法，其在外延层上根据耐压的需要确定向下挖槽的深度，提前掩埋分压势垒，并以与栅极相似的网格结构连接到源极，分两层制作高压功率场效应器件，当源极（Source）和漏极（Drain）有电压（不导通）时，掩埋的势垒之间形成耗尽层（在两者之间形成空乏区），起到耐压的作用。同时，上述结构中掩埋分压势垒和上面的沟槽的栅极（Gate）形成耗尽层（在两者之间形成空乏区），可以大幅消除Gate和Drain之间的电容，可以大幅减少Gate开关时的充电时间（Qg可以大幅降低），从而提高了MOS管的开关速度。

公开(公告)号：CN103681781A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210346537.4

申请日：2012-09-18

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 关仕汉 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  邹锋 ,  王常毅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0646

Abstract: 本发明公开一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其通过在原有硅外延层的上方增设一层附加硅外延层，这样有多个掩埋体掩埋在附加外延表面以下，形成多个隔离的PN结，在反向电压的情况下，这些PN结形成的空泛层会防护肖特基势垒介面而减低反向电压的电场影响，因而减少反向电压增加对反向漏电变大的负面效应，并且肖特基势垒介面也保持其原先的面积，在正向电压情况下，可以保持其正向电流导通的功能及效率。

公开(公告)号：CN105499147A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201511021814.4

申请日：2015-12-31

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 邹锋 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  朱金华 ,  邹波

IPC: B07C5/02 ,  B07C5/00

CPC classification number: B07C5/02 ,  B07C5/00 ,  B07C2301/0008

Abstract: 本发明公开一种测试分选机用的器件定位座，包括定位杆，所述定位杆的上方设有定位凸台，所述定位凸台中心线上沿着其中心对称设有两块长度导入板，所述两块长度导入板相对定位凸台中心向外倾斜设置，所述两块长度导入板的两侧均设有与其倾斜方向一致、且相对定位凸台中心对称设置的宽度导入板，所述长度导入板的高度高于宽度导入板的高度。本发明结构简单、易于制造，有效矫正半导体器件的中心偏移吸嘴中心的现象，从而实现器件精确定位，避免半导体器件管脚的变形和分选机报警停机的现象，既减少员工的劳动量，同时提高半导体器件的生产效率。

公开(公告)号：CN105489533A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201511024792.7

申请日：2015-12-30

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 邹波 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  邹锋 ,  蒋振荣 ,  朱金华

IPC: H01L21/67 ,  B25J19/06 ,  H02J9/06

CPC classification number: H02J9/061 ,  B25J19/06 ,  H01L21/67121

Abstract: 本发明公开一种贴片机停电摆臂防撞系统，由不间断电源、输入输出接口控制板、马达驱动板、X轴马达、Y轴马达和θ轴马达组成。其中不间断电源的输入端与市电相连，不间断电源的输出端经输入输出控制接口板与马达驱动板的输入端相连，马达驱动板的输出端分别与X轴马达、Y轴马达和θ轴马达相连。本发明能够避免了贴片机在遭遇突然停电，摆臂因惯性撞击轨道，而导致设备的损坏，降低了维修费用，保证了生产效率。

公开(公告)号：CN105442024A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201511021805.5

申请日：2015-12-30

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 唐艳平 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  黄湖江 ,  朱金华

IPC: C25D17/00 ,  C25D21/14

CPC classification number: C25D17/00 ,  C25D21/14

Abstract: 本发明公开一种药液自动添加系统，包括通过管道依次连接的第一药液子槽、第二药液子槽、第二药液母槽和第一药液母槽，其中第一药液母槽还与第一药液子槽通过管道连接，其特征在于：还包括控制器、PH值监测器、药液添加子槽、入液控制阀和入水控制阀；所述药液添加子槽通过入液管与第一药液母槽连接，入液控制阀设置于入液管上；第一药液母槽还与入水管连接，所述入水控制阀设置于入水管上；所述PH值监测器设置于第一药液母槽内，并且PH值监测器与控制器的输入端连接，控制器的输出端均与入液控制阀和入水控制阀连接。本发明可以保持母槽中药液浓度PH值平衡，提高产品品质质量，同时产生节能降耗效益，同时提高员工工作效率。

公开(公告)号：CN105239145A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510716856.3

申请日：2015-10-29

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 唐艳平 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  黄湖江 ,  朱金华

IPC: C25F1/00

Abstract: 本发明公开一种去溢料装置，包括药液子槽、药液母槽，药液子槽与药液母槽之间连接有管道，所述管道上设有过滤分离器，所述过滤分离器内设有转轴，所述转轴与位于过滤分离器顶部的驱动装置连接。本发明结构简单、易于实现，有效去除因电解工艺残留于药液中溢料、杂质等浮尘物，无需人工清理，大大减少工作量从而降低生产成本，有效提高工作效率和产品的品质。

公开(公告)号：CN104952731A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410127294.4

申请日：2014-03-31

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 关仕汉 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  邹锋 ,  王常毅

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/06 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种具有积累效应的场效应晶体管及其生产方法，其将承担反压的空间电荷区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，在承受反压时，利用沟槽间有效距离形成全部空乏区，实现可承受较高反压的结构。缩小外延层的厚度，同时可增加外延浓度，降低外延电阻率，保证在较薄的外延层情况下能够承担较高反压，并实现导通时较低的内阻。在沟槽底部通过注入硼离子以形成-P型区域，加上沟槽底部的厚氧化层，既保证承担反压，又可大幅提高MOS管的开关速度。利用了壁垒累积效应，在栅极加电压时沟槽外壁聚集自由电荷，形成一层高浓度的导电通道，电流经此通道导通，不须经过电阻较高的外延层，从而进一步降低了导通时的内阻。

公开(公告)号：CN104934355A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510329307.0

申请日：2015-06-15

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 秦年科 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  朱金华 ,  邹波

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/677 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明使用数字负压表检测流量传感器的输出端的电信号，根据晶片被吸取所需要的真空吸力设置一个对照值，通过比对该电信号值与对照值来判断吸嘴是否有晶片，其检测时间从吸嘴吸取到晶片的瞬间到取晶臂运动到固晶位置后再次回到原点位置的瞬间，是一种时间段的检测，单片机模块对这段时间内数字负压表输出端电平的变化做出判断，给出取晶移晶是否成功的信号，其检测并不局限在某个固定位置、某个固定时间点进行，也不存在受光线、晶体透明度影响的问题，能解决现有漏晶检测装置检测精度低的问题。

公开(公告)号：CN105425083B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201511009592.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 王常毅 ,  李勇昌 ,  邹锋 ,  彭顺刚 ,  朱金华

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开一种MOS器件PK仪，主要由壳体，固定在壳体上的电源开关、2个液晶显示屏、2组测试档位选择键和2组调节旋钮，以及设置在壳体内的2套测试平台组成；其中电源开关同时与2套测试平台的电源端相连；每套测试平台的输入端各连接1组测试档位选择键和1组调节旋钮的输出端；每套测试平台的输出端各连接1个液晶显示屏。本发明操作简单，对比情况直观，不需要购买昂贵的检测/试验设备，便可轻松了解样品性能对比情况；体积小重量轻，便于携带，有利于业务人员为客户直观演示产品性能，有利于研发人员现场快速了解样品性能对比情况。