半导体芯片的共晶焊接方法

    公开(公告)号:CN105489515B

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201511021788.5

    申请日:2015-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片的共晶焊接方法,在芯片硅衬底背面蒸镀金属层,在一定温度下,使金属层与框架表面受压接触,在接触面发生键合形成共晶,实现共晶焊接,在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu,形成四层结构的金属层,其中W层厚度为Al层厚度为Ni层的厚度为Cu层的厚度为1.1~1.2μm,Cu层与框架表面的镀层形成共晶。本发明不需镀金或镀银,大大节约了生产成本,且提高了封装产品热导率,增长产品使用寿命。

    具有防叠功能的贴片机

    公开(公告)号:CN105428282B

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201510989316.2

    申请日:2015-12-25

    CPC classification number: Y02P80/30

    Abstract: 本发明公开一种具有防叠功能的贴片机,包括框架容置盒、传送轨道、贴装头和防叠框架检测机构。传送轨道位于框架容置盒的前端,贴装头位于传送轨道的后端。该防叠框架检测机构包括固定支架、活动杠杆、检测辊轮、传感器、控制器和报警器组成。当传送轨道上传送的引线框架的厚度大于检测辊轮的下端面与传送轨道之间的间隙时,检测辊轮被向上抬起,活动杠杆随之上升,此时传感器检测到活动杠杆的上升运动,发出信号到控制器,并通过控制器控制报警器发出报警。本发明能有效检查出两片及两片以上框架重叠送到轨道,使设备停机报警,提醒员工处理,这样直接地提高了焊接质量,减少原材料损耗,从而降低生产成本。

    一种Ka波段MMIC低噪声放大器

    公开(公告)号:CN107612514A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201711034833.X

    申请日:2017-10-30

    Abstract: 本发明涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器,主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络,该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器,第一级栅极偏置网络,第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络,第二级放大器,第二级栅极偏置网络,第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络;该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网,以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案,较好的解决了该问题,能够用于Ka波段的通信领域。

    贴片机停电摆臂防撞系统

    公开(公告)号:CN105489533B

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201511024792.7

    申请日:2015-12-30

    Abstract: 本发明公开一种贴片机停电摆臂防撞系统,由不间断电源、输入输出接口控制板、马达驱动板、X轴马达、Y轴马达和θ轴马达组成。其中不间断电源的输入端与市电相连,不间断电源的输出端经输入输出控制接口板与马达驱动板的输入端相连,马达驱动板的输出端分别与X轴马达、Y轴马达和θ轴马达相连。本发明能够避免了贴片机在遭遇突然停电,摆臂因惯性撞击轨道,而导致设备的损坏,降低了维修费用,保证了生产效率。

    一种测试分选机用的器件定位座

    公开(公告)号:CN106269547A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610791205.5

    申请日:2016-08-31

    CPC classification number: B07C5/00

    Abstract: 本发明公开一种测试分选机用的器件定位座,包括定位杆,所述定位杆的上方设有定位凸台,所述定位凸台中心线上沿着其中心对称设有两块长度导入板,所述两块长度导入板相对定位凸台中心向外倾斜设置,所述两块长度导入板的两侧均设有与其倾斜方向一致、且相对定位凸台中心对称设置的宽度导入板,所述长度导入板的高度高于宽度导入板的高度。本发明结构简单、易于制造,有效矫正半导体器件的中心偏移吸嘴中心的现象,从而实现器件精确定位,避免半导体器件管脚的变形和分选机报警停机的现象,既减少员工的劳动量,同时提高半导体器件的生产效率。

    一种掩埋式势垒分压场效应管及其生产方法

    公开(公告)号:CN104299906B

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:CN201310305389.6

    申请日:2013-07-19

    Abstract: 本发明公开一种掩埋式势垒分压场效应管及其生产方法,其在外延层上根据耐压的需要确定向下挖槽的深度,提前掩埋分压势垒,并以与栅极相似的网格结构连接到源极,分两层制作高压功率场效应器件,当源极(Source)和漏极Drain)有电压(不导通)时,掩埋的势垒之间形成耗尽层(在两者之间形成空乏区),起到耐压的作用。同时,上述结构中掩埋分压势垒和上面的沟槽的栅极(Gate)形成耗尽层(在两者之间形成空乏区),可以大幅消除Gate和Drain之间的电容,可以大幅减少Gate开关时的充电时间(Qg可以大幅降低),从而提高了MOS管的开关速度。

    半导体芯片的共晶焊接方法

    公开(公告)号:CN105489515A

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201511021788.5

    申请日:2015-12-30

    CPC classification number: H01L24/27 H01L2224/04026

    Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片的共晶焊接方法,在芯片硅衬底背面蒸镀金属层,在一定温度下,使金属层与框架表面受压接触,在接触面发生键合形成共晶,实现共晶焊接,在半导体芯片硅衬底背面自里向外依次蒸镀W、Al、Ni、Cu,形成四层结构的金属层,其中W层厚度为Al层厚度为Ni层的厚度为Cu层的厚度为1.1~1.2μm,Cu层与框架表面的镀层形成共晶。本发明不需镀金或镀银,大大节约了生产成本,且提高了封装产品热导率,增长产品使用寿命。

    一种中央空调过滤器的监测装置

    公开(公告)号:CN105485851A

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201511021803.6

    申请日:2015-12-30

    CPC classification number: F24F11/30 F24F11/39 F24F2110/00 F24F2110/40

    Abstract: 本发明公开了一种中央空调过滤器的监测装置,包括箱体和设于箱体上的空气入口及空气出口,在空气入口和空气出口之间的箱体内依次间隔安装有初效过滤器、中效过滤器和高效过滤器,在初效过滤器的进风口与初效过滤器的出风口之间设有差压检测器,在中效过滤器的进风口与中效过滤器的出风口之间设有差压检测器,在高效过滤器的进风口与高效过滤器的出风口之间设有差压检测器,且各差压检测器上均连接有一报警器。本发明可以实时监测初效、中效和高效各级过滤器是否堵塞或破损,并及时发出报警信号,具有结构简单、自动化程度高,实用性强的特点,有利于对中央空调的维护检修工作。

    一种防卡料分选机
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105374720A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510988290.X

    申请日:2015-12-25

    CPC classification number: H01L21/67271

    Abstract: 本发明公开一种防卡料分选机,其增设的震动机构的震动锤线圈的一端和续流二极管的负极连接震动锤电源的正极;震动锤线圈的另一端和续流二极管的正极连接固态继电器SSR的一个输出端;固态继电器的另一个输出端连接震动锤电源的负极。转向闪光器的供电端与控制电源的正极相连;转向闪光器的转向信号输出端连接稳压二极管的负极和负载电阻的一端;稳压二极管的正极连接固态继电器的一个输入端;负载电阻的另一端连接控制电源的负极和固态继电器另一个输入端。本发明能够控制直线轨道上的震动锤作连续不断有节奏敲打使直线轨道产生震动,在压缩空气和震动锤的作用下,产品在轨道中向前移动流畅,从而使得设备能连续运行。

    制作掩埋PN结势垒肖特基二极管的方法

    公开(公告)号:CN103681317A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201210345795.0

    申请日:2012-09-18

    CPC classification number: H01L29/872 H01L29/66143

    Abstract: 本发明公开一种制作掩埋PN结势垒肖特基二极管的方法,该方法通过在原有的基础硅外延层的上方增设一层新的附加硅外延层,这样有多个掩埋体掩埋在新的外延表面以下,形成多个隔离的PN结,在反向电压的情况下,这些PN结形成的空泛层会防护肖特基势垒介面而减低反向电压的电场影响,因而减少反向电压增加对反向漏电变大的负面效应,并且肖特基势垒介面也保持其原先的面积,在正向电压情况下,可以保持其正向电流导通的功能及效率。

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