公开(公告)号：CN105428236A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201511025094.9

申请日：2015-12-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  康维华 ,  首照宇 ,  高喜 ,  丁志华 ,  莫如愚 ,  李琦 ,  肖功利 ,  蒋行国 ,  翟江辉 ,  徐卫林

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT射频器件及其栅极自对准制备方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：材料结构从下到上包括半绝缘SiC衬底、AlGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层；有源区台面隔离；临时栅脚制作；栅脚边墙制作；二次外延区域刻蚀；n+GaN二次外延；源漏极欧姆接触制作；表面平坦化；临时栅脚保形移除；T形栅制作。本发明采用栅极自对准工艺，可实现很小的栅源、栅漏间距，极大提高器件频率性能。还可以通过利用样品上已有图形对后续工艺进行尺度控制，仅通过一次电子束光刻即可得到多个纳米尺度的图形，极大节约了工艺成本。此外，此工艺精确度远远高于普通套刻工艺。