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公开(公告)号：CN109607597A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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公开(公告)号：CN108681707A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810463134.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G06K9/00825 , G06K9/00744 , G06K9/6292 , G06K2209/23 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统，当车辆经过车型识别采集区时截取出包含车辆的图像，首先对截取的包含车辆的图像进行裁剪，得到去除复杂背景的车辆图片，将车辆图片分割为车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块。再将车辆图片、车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块导入到深层多分支卷积神经网络中对车辆的全局和局部特征进行特征训练，并将车辆图片特征和各个分块特征进行特征融合。后通过分类器对融合后的特征进行分类识别。本发明将大角度车辆的全局和局部特征进行融合，能够明显的提高大角度车型识别的准确率。
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公开(公告)号：CN102230912B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110067272.X
申请日：2011-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种光寻址电位传感器测量池，由正方形阵列(6)、圆孔(7)、正方形阵列(8)组成，正方形阵列(6)等间距排列在测量池(1)的顶盖上，正方形阵列(8)等间距排列在测量池底部，并与顶盖的正方形阵列上下对齐，一一对应；在硅片上涂覆不同的敏感膜就可以对溶液可以进行多参数、多点测量，还可以适用于同一溶液成分在不同测量域的浓度分布的测量。整体结构是标准的长方体，比依靠控制步进电机步进步数的方法结构简单，寻址精确，易于集成，而且容易操作。本发明解决了现有的光寻址传感器测量池存在外围控制和制造工艺复杂、操作麻烦、不能精确寻址的缺点。
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公开(公告)号：CN102253093A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110067261.1
申请日：2011-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种适用于光寻址电位传感器(LAPS)的二氧化钛溶胶-凝胶分子印迹味觉传感器敏感膜的制备方法。通过水解法制备含有味觉物质作为模板分子的二氧化钛溶胶溶液，浸涂于结构为SiO2/Si/Al的硅片上，除去模板剂后氮气吹干，即得到味觉物质分子印迹的味觉传感器凝胶敏感膜。本发明中的味觉敏感膜具有光学透明性，可以保证寻址光源透过敏感膜而不损失光强；对不同的味觉物质表现出不同的响应灵敏度，具有交互响应性能；敏感膜结构在液相环境中稳定，具有较长的使用寿命；制造工艺简单，无需昂贵复杂的仪器。含有本敏感膜的LAPS味觉传感器可用于对酸、甜、苦、咸、鲜五种基本味觉物质的定性识别和定量测定。
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公开(公告)号：CN107478597B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710719825.2
申请日：2017-08-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/359
Abstract: 本发明公开了一种基于双透射峰的金属矩形狭缝阵列结构等离子光纤传感器，包括金属薄膜以及开设在金属薄膜上的周期矩形狭缝阵列结构，单个周期矩形狭缝阵列结构为在金属薄膜中心处开设一个纵向矩形狭缝，在矩形狭缝一侧的上下端面处分别开设一个横向矩形狭缝，横向与纵向矩形狭缝的上下界面相互平齐，矩形狭缝宽度相等相互连通并贯穿金属膜上下表面形成统一的整体狭缝结构。本发明的传感器结构在近红外频段内具有高品质因数高透射率的双透射峰特性，并且通过修改相关结构参数可以达到调整双透射峰频谱位置与双透射峰间频谱间距的目的，从而可以实现利用率高、适用范围广、检测精度高、易于加工的等离子光纤传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269441B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410564619.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN104269441A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410564619.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0603 , H01L29/7393
Abstract: 本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN109607597B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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公开(公告)号：CN108821331A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811035848.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106595661A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611007932.4
申请日：2016-11-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种惯性传感器信号重构方法，首先，利用量子编码的叠加性构造蜜源，通过量子旋转门更新量子蜜蜂的搜寻方式，加速最优蜜源的搜索进程；然后针对量子蜂群算法易陷入局部最优的缺陷，引入一种自适应的量子交叉和量子变异方法对算法进行改进以产生新蜜源，提高种群多样性，避免算法陷入局部最优；进而选出与惯性传感器信号最为匹配的蜜源以完成信号的重构，实现在提高惯性传感器信号输出精度的同时满足信号实时处理的要求。本发明在缩短运行时间的同时，还提高了信号的信噪比，有利于惯性传感器信号的实时处理。
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