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公开(公告)号：CN117079982A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311212932.8
申请日：2023-09-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种碳量子点嵌入的氮掺杂多孔碳片材料及其在超级电容器中的应用，属于碳材料技术领域。本发明的碳材料的制备方法为：(1)将硝酸铜溶液加入邻苯二胺溶液中，混合均匀后搅拌，经离心、洗涤和真空干燥之后，得到聚邻苯二胺片；(2)将邻苯二胺与无水甲醇进行混合，经过水热反应，得到碳量子点溶液；(3)将碳量子点溶液与聚邻苯二胺片进行混合，经高温碳化，冷却至室温，得到碳量子点嵌入的氮掺杂多孔碳片材料。本发明先将邻苯二胺氧化聚合为聚邻苯二胺片，再与碳量子点溶液混合后，经过高温碳化，得到具有许多活性位点的碳材料，大大提高碳材料的电子导电性，将该材料应用于超级电容器中，对超级电容器的性能起到显著的促进作用。
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公开(公告)号：CN115094378A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210659042.0
申请日：2022-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多层复合ITO薄膜，所述多层复合ITO薄膜包括两ITO层和一M层，其中所述M层位于两ITO层之间，M层的In含量为≥In2O3中In含量的含In层，以保障M层与两层ITO层之间相互结合的稳定性而保障所述多层复合ITO薄膜的结构稳定性；所述M层具有8nm～16nm的厚度，M层并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障所述多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
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公开(公告)号：CN108821331B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811035848.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN109741960A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811606987.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及超级电容器电极材料技术领域，尤其涉及一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，包括非晶Ni-P纳米球的制备-中间产物的制备-中间产物的制备步骤，制备所得到的Ni3P具有卵壳结构。本发明的一种超级电容器用卵壳结构Ni3P及其制备方法，制备方法简单、成本低廉，可用于工业生产，同时制备所得卵壳结构Ni3P作为超级电容器电极材料，可表现出高的比容量等优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN109133911A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811114758.2
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/602 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/786
Abstract: 一种超低温冷烧结ZnO基陶瓷的方法，其步骤包括：以一定浓度乙酸溶液与ZnO基粉体经研磨分散得到ZnO基粉体的浆料，把浆料放入模具中施加适当的压力，同时将模具加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密ZnO基陶瓷。本发明通过控制乙酸浓度及添加量、施加压力大小、烧结温度和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的ZnO基陶瓷。相比传统的高温烧结陶瓷技术，具有烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于ZnO基陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115074666B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210659052.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种多层复合ITO薄膜的制备方法，所述多层复合ITO薄膜包括以氩气为工作气体，在1Pa～2Pa的腔压环境，通过磁控溅射方式在一基片上溅射的一层ITO层；并以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在ITO层上溅射的一层M层，其中M层为In含量≥In2O3中In含量的含In层；以及以上述腔压环境，通过磁控溅射方式在M层上溅射的另一层ITO层，其中对两层ITO层和M层的溅射满足所述M层具有8nm～16nm的厚度，并与两层ITO层具有200nm～600nm的总厚度，以保障多层复合ITO薄膜的透光性的同时降低所述多层复合ITO薄膜的片阻。
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公开(公告)号：CN116053054A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211705330.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种镍掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料的制备方法及应用，本方法是通过在二硫化钼基体上原位生长金属氧化物前驱体，然后通过煅烧得到目标产物，避免使用粘结剂，从而提高了该复合材料的导电性，弥补了二硫化钼材料易团聚的缺陷；同时采用了镍原子的共掺杂与二硫化钼进行复合，镍原子提供了更多的活性位点，改善了离子电导率，从而提高电极的赝电容，使其发挥出双金属氧化物自身的高电容和高效的循环稳定性的优势，本方法采用常规设备、成本低、资源丰富、环境友好、操作过程简单高效，有利于产业化生产。
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公开(公告)号：CN111359541B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010178071.6
申请日：2020-03-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J6/00 , C04B35/453 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种水热法制备陶瓷装置的方法，水热法制备陶瓷装置中，内壳位于外壳内，且与外壳形成空腔，釜盖覆盖空腔，载物台位于内壳内，陶瓷生坯放置于载物台上，釜盖具有进口和出口，导管与进口和压力泵连通，气体流量调节阀与导管固定连接，安全泄压阀与釜盖固定连接，并与出口连通，温度传感器和压力传感器均固定于内壳内，加热组件环绕内壳四周于空腔内，压力泵、气体流量调节阀、安全泄压阀、温度传感器、压力传感器、加热组件均与控制器电连接。利用水热烧结，将陶瓷生坯在低于400℃的温度下，通过控制压力和保温时间，实现对陶瓷体的水热致密化，获得相对密度大于90%的陶瓷体，具有精准可控、低耗能、可规模化生产的特点。
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公开(公告)号：CN109234711B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811114750.6
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其步骤包括：1）制备ITO溶胶；2）在干净的基片上匀胶；3）干燥；4）真空退火生长（400）晶面择优取向的ITO薄膜。本发明通过向ITO溶胶添加表面活性剂甲基纤维素MC‑400，并通过控制表面活性剂加入量、干燥和真空退火的温度及时间等工艺参数即可生长具有（400）择优取向的ITO薄膜。本发明采用一种新颖的溶胶‑凝胶技术实现了（400）晶面择优取向ITO薄膜的制备，具有工艺简单，成本低廉，易于实现工业化的特点，光电性能优异。
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公开(公告)号：CN109607597A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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