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公开(公告)号：CN117364084A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311120523.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及曲轴连杆制造技术领域，尤其涉及一种曲轴连杆颈表面强化与抛光处理方法以及测试方法，包括以下步骤：步骤一，前处理；步骤二，零件装夹；步骤三，使用真空泵对电子束机真空室进行抽真空处理；步骤四，开启电子枪开关，使电子束束流以聚焦方式下束，在非同轴连杆颈移动过程中，电子枪距连杆颈母线最高点始终恒定；步骤五，对电子束机进行工艺参数进行修改，通过对偏转线圈施加偏转电流，使束流以环形方式作用于连杆颈顶部；步骤六，对曲轴连杆下一节进行处理；步骤七，重复步骤六，完成整根曲轴连杆颈的表面强化与抛光处理。本发明在电子束处理过程中，组织与性能保持恒定，满足曲轴内部具有一定韧性需求。
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公开(公告)号：CN117702124A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311620474.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及金属表面改性技术领域，尤其涉及一种可提升高碳钢表面光洁度的电子束熔融复合磨削方法，包括以下步骤：步骤一，安装磨抛棒；步骤二，将高碳钢试样放置在载台上；步骤三，抽真空；步骤四，将电子束枪头对准高碳钢试样边角处，下调磨抛棒高度；步骤五，开启电子束发射装置和磨抛棒；步骤六，调控载台水平移动，实现水平方向的抛光和打磨；步骤七，调节电子束枪和磨抛棒位置，使得电子束枪正对高碳钢试样未抛光打磨部分；步骤八，开启电子束发射装置和磨抛棒；步骤九，重复步骤六至步骤八，完成抛光打磨处理。本发明的有益效果是：适用于硬度较高的钢材料，通过先熔化后液态抛光的方式，可实现无去除零损耗的镜面抛光效果。
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公开(公告)号：CN117945755A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410116121.6
申请日：2024-01-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , B01J23/31 , B01J35/39
Abstract: 本发明涉及光催化陶瓷技术领域，具体公开了一种光催化陶瓷的制备方法。本发明采用氨水溶解MoO3获得Mo6+(钼源)，乙酸溶解Bi2O3获得Bi3+(铋源)。将钼源和铋源放入模具中，将模具升到一定温度，并施加一定压力，在模具中反应制备Bi2MoO6陶瓷。相比常规制备Bi2MoO6陶瓷的方法，本发明在模具中直接反应制备出Bi2MoO6陶瓷，避免了制备Bi2MoO6粉体的中间环节，为陶瓷的制备提供了新的方法和思路。
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公开(公告)号：CN117364097A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311231898.9
申请日：2023-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及高能束表面改性技术领域，尤其涉及一种电子束除锈抛光金属蒸汽回收装置以及除锈抛光方法，所述Y轴移动机构安装在所述X轴移动机构上，所述Y轴移动机构上安装有工作台；所述工作台上安装有载台，所述载台上设有用于放入待处理金属试样的冷凝筒组件，所述冷凝筒组件的外周设有用于限制所述冷凝筒组件移动的活动插板组件，所述活动插板组件与所述工作台可拆卸连接。本发明的有益效果是：冷凝筒组件可充分将锈蚀层蒸汽附着于回收板表面，防止真空室内部发生污染，方便带动置于冷凝筒组件内的金属试样进行需要的轨道进行移动，方便对金属试样进行电子束除锈和抛光处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110451949A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910720062.2
申请日：2019-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及低温烧结陶瓷技术领域，尤其涉及一种Bi2O3陶瓷的冷压烧结方法及冷压烧结装置，包括固定连接在一起的控制箱、进料装置和烧结装置，所述烧结装置包括机壳，所述机壳的上端面固定安装有上成型液压机，所述上成型液压机的主轴上固定安装有上模具芯，所述机壳的下端面于上成型液压机对应的位置固定安装有下成型液压机，所述下成型液压机的主轴上固定安装有下模具芯，所述机壳的侧壁上固定安装有安装台，所述安装台上可拆卸安装有模具，所述模具的外壁上安装有加热机构。本发明的一种Bi2O3陶瓷的冷压烧结方法及冷压烧结装置，可以实现高致密的Bi2O3陶瓷，所加工的Bi2O3陶瓷具有成品率高、表面清洁和具备工业化批量流水线制造的优点。
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公开(公告)号：CN115814701A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211705098.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束辐照原位诱导纳米金刚石生成的方法，属于纳米金刚石制备领域。首先，将WC‑(8‑20)Co/Ni混合粉末采用等离子热喷涂技术将合金粉末引入到洁净的合金结构钢表面，然后采用电子束对基体表面的碳材料进行辐照，利用高能量密度的电子束流瞬间轰击材料表面，并在亚表面将动能转变成热能，使材料表面快速升温，而后快速冷却，通过瞬间高能量的输入产生碳材料相变的条件，原位诱导纳米金刚石的生成。本发明制备的纳米金刚石尺寸可控；整个制备工艺简单，环保，成本低，效率高，突破了纳米金刚石制备工艺繁琐，制备成本高等难题。
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公开(公告)号：CN109133911A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811114758.2
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/602 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/786
Abstract: 一种超低温冷烧结ZnO基陶瓷的方法，其步骤包括：以一定浓度乙酸溶液与ZnO基粉体经研磨分散得到ZnO基粉体的浆料，把浆料放入模具中施加适当的压力，同时将模具加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密ZnO基陶瓷。本发明通过控制乙酸浓度及添加量、施加压力大小、烧结温度和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的ZnO基陶瓷。相比传统的高温烧结陶瓷技术，具有烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于ZnO基陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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公开(公告)号：CN109336595B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811119443.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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公开(公告)号：CN109336595A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811119443.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种超低温冷烧结MoO3陶瓷的制备方法，其步骤包括：以纯水或一定浓度的氨水溶液或乙酸溶液与MoO3粉体经研磨分散得到MoO3粉体的浆料，把浆料放入模具中施加一定的压力，同时将模具按一定的升温速率加热至一定的温度，并保温保压一定时间即得到致密MoO3陶瓷。本发明通过控制纯水或氨水浓度或乙酸及添加量、施加压力和时间，在≤300℃的条件下即可制备出晶粒细小均匀且相对密度大于98%的MoO3陶瓷。相比传统高温烧结陶瓷技术，其烧结温度低、工艺简单、节约能源以及有利于获得纳米晶粒陶瓷的特点，可广泛应用于MoO3陶瓷的超低湿冷烧结制备。
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