公开(公告)号：CN108231870B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201810010042.1

申请日：2018-01-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  张昭阳 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  袁雷雷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种能够产生界面电荷，增强了表面横向电场，提高了表面横向耐压的具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件。该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件包括由上至下依次设置的漂移区、埋层一、衬底；所述漂移区的上方设置有埋层二，所述埋层二上方设置有表面结构；所述埋层二上设置有延伸到漂移区内的介质槽二，所述介质槽二沿横向均匀分布。采用该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件击穿电压能够达到427V,传统槽栅结构击穿电压为258V，提升了65.5％。采用具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件等势线分布均匀，电荷屏蔽效应使得表面高压对漂移区的作用降低，大幅提高漂移区浓度，降低电阻，提高击穿电压。

公开(公告)号：CN108550628A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810399461.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  张昭阳 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  鲍婷婷

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件，包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N+电荷区表面电荷区结构，表面电荷区产生界面电荷，增强了电荷区内电场，提高了器件横向耐压；界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压，降低了漏极附近电场，防止器件表面过早击穿；由于采用等间距N+的表面电荷区结构，工艺简单可行，工艺容差较好，与常规CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN108231902A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810010047.4

申请日：2018-01-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  张昭阳 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  袁雷雷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种能够提高器件耐压，降低比导通电阻的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件；该结构的栅极采用了槽型结构，槽栅一直延伸到埋氧层，与p阱形成了纵向导电沟道，同时，槽栅与漂移区形成了纵向电子积累层，使电流传导区域在纵向得到显著扩展，降低了器件比导通电阻；漂移区包含多个与纵栅相连接P型的埋层，器件上部采用表面多晶硅氧化层结构，形成级联栅多个器件并联结构；采用该具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,有效提高了器件的击穿电压和降低比导通电阻,使得电场分布更加均匀，形成多个级联导通电流。

公开(公告)号：CN108231870A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810010042.1

申请日：2018-01-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  张昭阳 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  袁雷雷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种能够产生界面电荷，增强了表面横向电场，提高了表面横向耐压的具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件。该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件包括由上至下依次设置的漂移区、埋层一、衬底；所述漂移区的上方设置有埋层二，所述埋层二上方设置有表面结构；所述埋层二上设置有延伸到漂移区内的介质槽二，所述介质槽二沿横向均匀分布。采用该具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件击穿电压能够达到427V,传统槽栅结构击穿电压为258V，提升了65.5％。采用具有界面电荷槽高压互连结构的功率器件等势线分布均匀，电荷屏蔽效应使得表面高压对漂移区的作用降低，大幅提高漂移区浓度，降低电阻，提高击穿电压。

公开(公告)号：CN108550628B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201810399461.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  张昭阳 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  鲍婷婷

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件，包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N+电荷区表面电荷区结构，表面电荷区产生界面电荷，增强了电荷区内电场，提高了器件横向耐压；界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压，降低了漏极附近电场，防止器件表面过早击穿；由于采用等间距N+的表面电荷区结构，工艺简单可行，工艺容差较好，与常规CMOS工艺兼容。