公开(公告)号：CN1294618C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN02126134.2

申请日：2002-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  水上真由美 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13613 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/44 ,  H01L2227/326 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种不会损伤剥离层的剥离方法，目的在于不仅能够剥离具有较小面积的剥离层，而且能够以出色的生产率剥离掉在整个表面上具有较大面积的剥离层。在基片上提供金属层或氮化物层(11)，并且，提供与前述金属层或氮化物层(11)接触的氧化层(12)，此外，如果进行叠层膜形成或者500℃或更高温度的热处理，可以通过物理方式容易地并且明确地在与氧化层(12)的界面上将层分开。

公开(公告)号：CN1708852A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102145.2

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  村上雅一 ,  浜谷敏次 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L31/105 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5253 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本发明的课题是提供在各种各样的基体材料粘贴被剥离层的轻量的半导体装置及其制作方法。本发明在衬底上形成被剥离层，在该被剥离层上用粘接材料粘贴设有刻蚀阻止膜的密封衬底，然后，仅刻蚀或研磨去除密封衬底。残留的刻蚀阻止膜直接作为阻挡膜。另外，粘接材料也可采用粘接磁片。

公开(公告)号：CN1706044A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101620.4

申请日：2003-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  福本由美子

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L23/12 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/524 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够防止由于水份或氧气进入而导致损坏的半导体装置，例如具有形成于塑料基片上的有机发光装置的发光设备、采用塑料基片的液晶显示设备。根据本发明，在玻璃基片或石英基片上形成的装置(TFT、具有有机化合物的发光装置、液晶装置、存储装置、薄膜二极管、销连接硅光电转换器、硅电阻元件等)从基片上分离，并转移至具有高热导率的塑料基片上。

公开(公告)号：CN1658389A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510009401.4

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体膜；形成在半导体膜中的一对第一杂质区；形成在一对第一杂质区之间的第一沟道区；形成在半导体膜中的一对第二杂质区；形成在一对第二杂质区之间的第二沟道区；形成在半导体膜上的栅绝缘膜；第一栅电极，形成为与第一沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；第二栅电极，形成为与第二沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；形成在第一栅电极和第二栅电极上的绝缘膜；形成在绝缘膜中的接触孔；以及形成在绝缘膜上的连线，其中一对第一杂质区中的一个第一杂质区与一对第二杂质区中的一个第二杂质区接触；其中连线电连接到一对第一杂质区中的一个第一杂质区和一对第二杂质区中的一个第二杂质区。

公开(公告)号：CN1638094A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410101934.0

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  神野洋平

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  G06K19/0704 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/07703 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  G06K19/07758 ,  G06K19/07779 ,  G06K19/07781 ,  G06K19/07783 ,  H01L23/49855 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00011

Abstract: 随着非接触式和接触式IC芯片日益普遍，必须以低成本批量生产出应用于对人、动植物、商品、钞票等的巨大数量的IC芯片。譬如，制造用于商品、钞票等物的IC芯片的成本应为每IC芯片1到几日元，1日元以下则更好，人们期盼实现以低成本批量生产的IC芯片的一种结构和IC芯片的一种制作工艺。根据本发明，制作薄膜集成电路器件的方法包括以下步骤：在热氧化的硅衬底上形成一剥离层；在剥离层上形成多个薄膜集成电路器件，在其间插入基底膜；在多个薄膜集成电路器件之间刻槽；向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体和液体以去除剥离层，分离成多个薄膜集成电路器件。

公开(公告)号：CN1542929A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410035166.3

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。

公开(公告)号：CN1542909A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410043013.3

申请日：2004-02-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 今井馨太郎 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括在从基板上分离形成在基板上的包括半导体元件或集成电路的元件形成层将其粘结到另一个基板上的情况下能够控制基板和元件形成层的附着力的转移步骤。在形成在基板(第一基板)上的半导体元件或由多个半导体元件构成的集成电路与基板之间形成由好的附着力的材料制成的粘合剂，由此，能够在制造半导体元件的过程中防止半导体元件从基板上脱落，而且，通过在形成半导体元件之后去除粘合剂，更容易从基板上分离半导体元件。

公开(公告)号：CN1540721A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410043485.9

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供的半导体器件包括，有绝缘表面的基片以及半导体膜，它包括绝缘表面上形成的结晶硅，半导体膜中含有促进结晶的金属，其浓度不大于1原子％。该半导体器件的制法包括：在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜；选择地形成含一种金属的层，它与半导体膜的第一部分接触；对它们进行加热，使半导体膜由第一部分至第二部分结晶，金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。

公开(公告)号：CN1525393A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410007026.5

申请日：2004-02-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  石川明 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  馆村祐子

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07749 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603

Abstract: 用硅片制成的集成电路由于其厚度厚，如果搭载到容纳商品的容器自身上，势必使容器的表面出现凸凹不平，这样就会给商品的设计性带来负面影响。本发明的目的是提供一种厚度极薄的薄膜集成电路，以及具备该薄膜集成电路的薄膜集成电路器件。本发明的薄膜集成电路有一个特征是它和常规的用硅片形成的集成电路不同，具有作为激活区(比如如果是薄膜晶体管，则指沟道形成区域)的半导体膜。由于本发明的薄膜集成电路厚度极其薄，所以即使搭载到卡或容器等商品，也不会损伤商品的设计性。

公开(公告)号：CN1161831C

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN99124812.0

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治 ,  大谷久 ,  竹山顺一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。