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公开(公告)号：CN100521222C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510009161.8
申请日：1994-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/15 , H01L29/786 , G02F1/136 , G09G3/36 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , Y10S148/016 , Y10S438/918
Abstract: 一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法，包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤，这是由于使用促进晶化材料，诸如Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As和Sb。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内，并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是，就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。
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公开(公告)号：CN1361551A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN01142960.7
申请日：1995-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 一种制造具有结晶硅膜的半导体器件的方法,它由在非晶硅膜的表面区域形成晶核和利用激光从晶核生长晶体两个步骤组成。典型的晶核是硅晶体或具有与硅晶体相同结构的金属硅化物。
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公开(公告)号：CN1155991C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN99124811.2
申请日：1994-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1113032A
公开(公告)日：1995-12-06
申请号：CN95102929.0
申请日：1995-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 一种制造具有结晶硅膜的半导体器件的方法，它由在非晶硅膜的表面区域形成晶核和利用激光从晶核生长晶体两个步骤组成。典型的晶核是硅晶体或具有与硅晶体相同结构的金属硅化物。
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公开(公告)号：CN1267907A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN99124812.0
申请日：1994-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体,并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤,把催化剂元素添加到非晶硅膜中;在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1267902A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN99124811.2
申请日：1994-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体,并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤,把催化剂元素添加到非晶硅膜中;在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1248757A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN99117796.7
申请日：1994-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/35 , G02F1/13 , H01L29/786 , H01L27/14
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , Y10S148/016 , Y10S438/918
Abstract: 一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法,包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤,这是由于使用促进晶化材料,诸如Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As和Sb。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内,并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是,就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。
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公开(公告)号：CN1109211A
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：CN94112772.9
申请日：1994-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , Y10S148/016 , Y10S438/918
Abstract: 一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法，包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤，这是由于使用促进晶化材料，诸如Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As和Sb。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内，并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是，就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。
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公开(公告)号：CN1041790A
公开(公告)日：1990-05-02
申请号：CN89107899.1
申请日：1989-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/26
Abstract: 用化学汽相淀积法在一个表面上涂覆碳质薄膜。在淀积该碳质薄膜之前，在该表面上先涂覆一层氮化硅薄膜，以防该碳质膜和衬底表面之间的相互扩散。
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公开(公告)号：CN1645621A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510009161.8
申请日：1994-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/15 , H01L29/786 , G02F1/136 , G09G3/36 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , Y10S148/016 , Y10S438/918
Abstract: 一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法，包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤，这是由于使用促进晶化材料，诸如Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As和Sb。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内，并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是，就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。
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