公开(公告)号：CN1028117C

公开(公告)日：1995-04-05

申请号：CN89101005.X

申请日：1989-02-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤健二

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/26

CPC classification number: C23C16/517 ,  C23C16/26 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  Y02P20/129 ,  Y10T428/30

Abstract: 当以碳涂层涂敷基底的CVD(化学汽相淀积)法和加强的CVD法在最近引起极大的兴趣的时候，至今存在着碳涂层由于不同的热膨胀或热收缩而从下面的基底擦掉的情况。本发明公开了一种碳淀积的传统CVD工艺规格的改进，根据本发明淀积条件是变化的，旨在使涂层和下面的基底之间的界面处的碳涂层硬度低于在涂层的外表面处的硬度。

公开(公告)号：CN1036681A

公开(公告)日：1989-10-25

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体产生方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN87102347A

公开(公告)日：1987-09-30

申请号：CN87102347

申请日：1987-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大岛乔 ,  浦田一男 ,  田代卫 ,  店村悠尔 ,  今任慎二 ,  伊藤健二 ,  尾高政一 ,  林茂则 ,  宏濑直树

IPC: H01J61/24 ,  H01J61/52 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01J61/52

Abstract: 一种汞汽灯设有一个储蓄池，冗余的汞以液态形式贮存于其中。储蓄池中的液态汞被冷却到一定的温度。汞汽的压强自动地降低到被冷却的液态汞的饱和压强。以此配置，调节贮存于储蓄池中的液态汞的温度，就可控制汞汽的压强。

公开(公告)号：CN85108626A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85108626

申请日：1985-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  伊藤健二 ,  永山进

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L21/32131 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31105 ,  H05K3/027 ,  Y10S438/94

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中至少包括一步是形成被刻图形的层，该层可以是导电金属层，透明导电层和不透明导电层的或反射的重叠层，或非单晶半导体层；另一步是用波长为400毫微米或更短的激光束在绘有图形层部分刻出图形，这些层可以是刻有图形的导电金属层，刻有图形的透明导电层和非透明的或反射导电层的重叠层，或刻有图形的非单晶半导体层。本发明的优点在于形成的刻有图形层上没有任何缺陷。

公开(公告)号：CN1009883B

公开(公告)日：1990-10-03

申请号：CN87102347

申请日：1987-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大岛乔 ,  浦田一男 ,  田代卫 ,  店村悠尔 ,  今任慎二 ,  伊藤健二 ,  尾高政一 ,  林茂则 ,  宏濑直树

IPC: H01J61/52 ,  H01J61/24

CPC classification number: H01J61/52

Abstract: 一种汞汽灯设有一个储蓄池，冗余的汞以液态形式贮存于其中，储蓄池中的液态汞被冷却到一定的温度。汞汽的压强自动地降低到被冷却的液态汞的饱和压强。以此配置，调节贮存于储蓄池中的液态汞的温度，就可控制汞汽的压强。

公开(公告)号：CN85104934A

公开(公告)日：1986-03-10

申请号：CN85104934

申请日：1985-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  永山进 ,  伊藤健二

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H05K3/027 ,  Y02E10/50

Abstract: 在制造包括至少一层透明导电层的电子器件 的方法中，包括采用一束或多束点状或线状激光 束，形成至少一个透明导电层部件的步骤和至少 一个对透明导电层部件制作图线而形成透明导电 层的步骤。上述每一种激光束都具有400nm或更 短的波长和大于透明导电层光能带宽度的光能。

公开(公告)号：CN1029991C

公开(公告)日：1995-10-11

申请号：CN89107899.1

申请日：1989-10-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  林茂则 ,  石田典也 ,  佐佐木麻里 ,  竹山顺一 ,  伊藤健二 ,  小政弘 ,  角野真也

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/34 ,  C03C17/22

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/26

Abstract: 用化学汽相淀积法在一个表面上涂覆碳质薄膜。在淀积该碳质薄膜之前，在该表面上先涂覆一层氮化硅薄膜，以防该碳质膜和衬底表面之间的相互扩散。

公开(公告)号：CN1021100C

公开(公告)日：1993-06-02

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体处理方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN1035855A

公开(公告)日：1989-09-27

申请号：CN89101005.X

申请日：1989-02-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤健二

IPC: C23C16/26

CPC classification number: C23C16/517 ,  C23C16/26 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  Y02P20/129 ,  Y10T428/30

Abstract: 当以碳涂层涂敷基底的CVD(化学汽相淀积)法和加强的CVD法在最近引起极大的兴趣的时候，至今存在着碳涂层由于不同的热膨胀或热收缩而从下面的基底擦掉的情况。本发明公开了一种碳淀积的传统CVD工艺规程的改进，根据本发明淀积条件是变化的，旨在使涂层和下面的基底之间的界面处的碳涂层硬度低于在涂层的外表面处的硬度。

公开(公告)号：CN1004245B

公开(公告)日：1989-05-17

申请号：CN85108626

申请日：1985-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  伊藤健二 ,  永山进

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32131 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31105 ,  H05K3/027 ,  Y10S438/94

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制造方法，其中至少包括一步是形成被刻图形的层，该层可以是导电金属层，透明导电层和不透明导电层的或反射的得叠层，或非单晶半导体层；另一步是用波长为400毫微米或更短的激光束在绘有图形层部分刻出图形，这些层可以是刻有图形的导电金属层，刻有图形的透明导电层和非透明的或反射导电层的重叠层，或刻有图形的非单晶半导体层。本发明的优点在于形成的刻有图形层上没有任何缺陷。