公开(公告)号：CN1021100C

公开(公告)日：1993-06-02

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体处理方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN1009883B

公开(公告)日：1990-10-03

申请号：CN87102347

申请日：1987-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大岛乔 ,  浦田一男 ,  田代卫 ,  店村悠尔 ,  今任慎二 ,  伊藤健二 ,  尾高政一 ,  林茂则 ,  宏濑直树

IPC: H01J61/52 ,  H01J61/24

CPC classification number: H01J61/52

Abstract: 一种汞汽灯设有一个储蓄池，冗余的汞以液态形式贮存于其中，储蓄池中的液态汞被冷却到一定的温度。汞汽的压强自动地降低到被冷却的液态汞的饱和压强。以此配置，调节贮存于储蓄池中的液态汞的温度，就可控制汞汽的压强。

公开(公告)号：CN1036681A

公开(公告)日：1989-10-25

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体产生方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN87102347A

公开(公告)日：1987-09-30

申请号：CN87102347

申请日：1987-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大岛乔 ,  浦田一男 ,  田代卫 ,  店村悠尔 ,  今任慎二 ,  伊藤健二 ,  尾高政一 ,  林茂则 ,  宏濑直树

IPC: H01J61/24 ,  H01J61/52 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01J61/52

Abstract: 一种汞汽灯设有一个储蓄池，冗余的汞以液态形式贮存于其中。储蓄池中的液态汞被冷却到一定的温度。汞汽的压强自动地降低到被冷却的液态汞的饱和压强。以此配置，调节贮存于储蓄池中的液态汞的温度，就可控制汞汽的压强。