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公开(公告)号：CN1090889A
公开(公告)日：1994-08-17
申请号：CN93120148.9
申请日：1989-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室，真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压，以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压，基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。
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公开(公告)号：CN1041790A
公开(公告)日：1990-05-02
申请号：CN89107899.1
申请日：1989-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/26
Abstract: 用化学汽相淀积法在一个表面上涂覆碳质薄膜。在淀积该碳质薄膜之前，在该表面上先涂覆一层氮化硅薄膜，以防该碳质膜和衬底表面之间的相互扩散。
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公开(公告)号：CN1020290C
公开(公告)日：1993-04-14
申请号：CN87106283
申请日：1987-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/0245 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/482 , C23C16/488 , C23C16/517 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/31608 , H01L21/31612 , Y10S148/017 , Y10S148/043 , Y10S148/045 , Y10S438/905
Abstract: 一种改进的用于沉积均匀薄膜的CVD装置。该装置包括一个反应室，一个底物支持器和多个用于光化CVD的光源，或一对用于等离子体CVD的电极。底物支持器是被光源包围的圆筒形底物加热车，并且是由驱动装置带动绕轴自转。利用这种配置，应用光或等离子体可使装在加热车上的底物及其周围，从而使整个待覆涂表面均匀地进行激发。
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公开(公告)号：CN1009883B
公开(公告)日：1990-10-03
申请号：CN87102347
申请日：1987-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01J61/52
Abstract: 一种汞汽灯设有一个储蓄池，冗余的汞以液态形式贮存于其中，储蓄池中的液态汞被冷却到一定的温度。汞汽的压强自动地降低到被冷却的液态汞的饱和压强。以此配置，调节贮存于储蓄池中的液态汞的温度，就可控制汞汽的压强。
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公开(公告)号：CN1041189A
公开(公告)日：1990-04-11
申请号：CN89107237.3
申请日：1989-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室，真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压，以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压，基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1029991C
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN89107899.1
申请日：1989-10-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/26
Abstract: 用化学汽相淀积法在一个表面上涂覆碳质薄膜。在淀积该碳质薄膜之前，在该表面上先涂覆一层氮化硅薄膜，以防该碳质膜和衬底表面之间的相互扩散。
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公开(公告)号：CN1041188A
公开(公告)日：1990-04-11
申请号：CN89107368.X
申请日：1989-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/509 , Y02T70/32
Abstract: 汽车或类似装置的、镀有碳质薄膜的车架或部件包括：从导体和具有导电表面的构件的一类部件中选用的基底构件；在该基底构件上形成的、其中包含有机物的涂料，从由碳或以碳为主要成分并加有卤素的材料构成的一类薄膜中选出的透明碳质薄膜。
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公开(公告)号：CN87106283A
公开(公告)日：1988-03-23
申请号：CN87106283
申请日：1987-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/0245 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/482 , C23C16/488 , C23C16/517 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/31608 , H01L21/31612 , Y10S148/017 , Y10S148/043 , Y10S148/045 , Y10S438/905
Abstract: 一种改进的用于沉积均匀薄膜的CVD装置。该装置包括一个反应室，一个底物支持器和多个用于光化CVD的光源，或一对用于等离子体CVD的电极。底物支持器是被光源包围的圆筒形底物加热车，并且是由驱动装置带动绕轴自转。利用这种配置，应用光或等离子体可使装在加热车上的底物及其周围，从而使整个待覆涂表面均匀地进行激发。
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公开(公告)号：CN1025353C
公开(公告)日：1994-07-06
申请号：CN89107237.3
申请日：1989-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室，真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压，以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压，基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。
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