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公开(公告)号：CN1017726B
公开(公告)日：1992-08-05
申请号：CN87107779
申请日：1987-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C16/274 , C23C16/26 , C23C16/277 , C23C16/458 , C23C16/481 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32678
Abstract: 本说明书叙述了一种新型的化学汽相淀积法。这里化学汽相反应的主要的激发动力不是电子回旋共振(这时的电子作为独立粒子能够运动而不相互作用)而是混合回旋共振。在这种新提出的共振中，共振空间较大，因而用此新方法可将金刚石之类的高熔点物质淀积成薄膜状。
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公开(公告)号：CN1041188A
公开(公告)日：1990-04-11
申请号：CN89107368.X
申请日：1989-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/509 , Y02T70/32
Abstract: 汽车或类似装置的、镀有碳质薄膜的车架或部件包括：从导体和具有导电表面的构件的一类部件中选用的基底构件；在该基底构件上形成的、其中包含有机物的涂料，从由碳或以碳为主要成分并加有卤素的材料构成的一类薄膜中选出的透明碳质薄膜。
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公开(公告)号：CN1040461A
公开(公告)日：1990-03-14
申请号：CN89106675.6
申请日：1989-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L24/48 , H01L21/56 , H01L23/3135 , H01L23/49586 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , Y10T29/49121 , H01L2924/05042 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 介绍了一种经改进的电气器件及其制造方法。该器件是个例如装在模制件中的集成电路芯片。在进行模制之前，将集成电路芯片涂以氮化硅，以保护集成电路芯片免受湿气通过裂纹或缝隙的侵袭。氮化硅涂层是在用等离子体化学汽相淀积法清洗集成电路芯片的表面之后进行的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN87107779A
公开(公告)日：1988-05-25
申请号：CN87107779
申请日：1987-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/274 , C23C16/26 , C23C16/277 , C23C16/458 , C23C16/481 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32678
Abstract: 本说明书叙述了一种新型的化学汽相淀积法。这里化学汽相反应的主要的激发动力不是电子回旋共振(这时的电子作为独立粒子能够运动而不相互作用)而是混合回旋共振。在这种新提出的共振中，共振空间较大，因而用此新方法可将金刚石之类的高熔点物质淀积成薄膜状。
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公开(公告)号：CN1025353C
公开(公告)日：1994-07-06
申请号：CN89107237.3
申请日：1989-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室，真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压，以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压，基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。
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公开(公告)号：CN1090889A
公开(公告)日：1994-08-17
申请号：CN93120148.9
申请日：1989-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室，真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压，以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压，基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。
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公开(公告)号：CN1019250B
公开(公告)日：1992-11-25
申请号：CN89106675.6
申请日：1989-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L24/48 , H01L21/56 , H01L23/3135 , H01L23/49586 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48624 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , Y10T29/49121 , H01L2924/05042 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 介绍了一种经改进的电气器件的制造方法。该器件是个例如装在模制件中的集成电路芯片。在进行模制之前，将集成电路芯片涂以氮化硅，以保护集成电路芯片免受湿气通过裂纹或缝隙的侵袭。氮化硅涂层是在用等离子体化学汽相淀积法清洗集成电路芯片的表面之后进行的。
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公开(公告)号：CN1041849A
公开(公告)日：1990-05-02
申请号：CN89108372.3
申请日：1989-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/56 , H01L23/3135 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 介绍一种改进的电子器件及其制造方法。该器件，比如说是一种其中带有引线，模压塑料封装的IC芯片。在模压工序之前，将IC芯片，连同引线结构，在高真空条件下涂覆一层氮化硅或其它电绝缘材料，以便保护IC芯片免遭通过封装的裂痕或间隙入侵的湿气的侵蚀。在IC芯片及其连带的结构表面清洗之后，用等离子CVD法很方便地实施氮化硅层的涂覆。
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