公开(公告)号：CN1040461A

公开(公告)日：1990-03-14

申请号：CN89106675.6

申请日：1989-08-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浦田一男 ,  小山到 ,  石田典也 ,  佐佐木麻里 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  广濑直树

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  Y10T29/49121 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 介绍了一种经改进的电气器件及其制造方法。该器件是个例如装在模制件中的集成电路芯片。在进行模制之前，将集成电路芯片涂以氮化硅，以保护集成电路芯片免受湿气通过裂纹或缝隙的侵袭。氮化硅涂层是在用等离子体化学汽相淀积法清洗集成电路芯片的表面之后进行的。

公开(公告)号：CN1115722C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN96103218.9

申请日：1993-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  小山到 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/84 ,  Y10S438/911

Abstract: 本发明公开了一种制造绝缘栅型场效应晶体管的改进的方法的。根据此方法，栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液巾，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀除去连接的布线。

公开(公告)号：CN1145533A

公开(公告)日：1997-03-19

申请号：CN96103218.9

申请日：1993-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  小山到 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/84 ,  Y10S438/911

Abstract: 本发明公开了一种制造绝缘栅型场效应晶体管的改进的方法的。根据此方法，栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液中，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀除去连接的布线。

公开(公告)号：CN1033769C

公开(公告)日：1997-01-08

申请号：CN93106335.3

申请日：1993-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  小山到 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型场效应晶体管。其栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液中，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀，除去连接的布线。

公开(公告)号：CN1081282A

公开(公告)日：1994-01-26

申请号：CN93106335.3

申请日：1993-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  小山到 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了一种制造绝缘栅型场效应晶体管的改进的方法。根据此方法，栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液中，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀，除去连接的布线。

公开(公告)号：CN1019250B

公开(公告)日：1992-11-25

申请号：CN89106675.6

申请日：1989-08-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浦田一男 ,  小山到 ,  石田典也 ,  佐佐木麻里 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  广濑直树

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  Y10T29/49121 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 介绍了一种经改进的电气器件的制造方法。该器件是个例如装在模制件中的集成电路芯片。在进行模制之前，将集成电路芯片涂以氮化硅，以保护集成电路芯片免受湿气通过裂纹或缝隙的侵袭。氮化硅涂层是在用等离子体化学汽相淀积法清洗集成电路芯片的表面之后进行的。

公开(公告)号：CN1041849A

公开(公告)日：1990-05-02

申请号：CN89108372.3

申请日：1989-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浦田一男 ,  广濑直树 ,  小山到 ,  今任慎二 ,  中下一寿

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 介绍一种改进的电子器件及其制造方法。该器件，比如说是一种其中带有引线，模压塑料封装的IC芯片。在模压工序之前，将IC芯片，连同引线结构，在高真空条件下涂覆一层氮化硅或其它电绝缘材料，以便保护IC芯片免遭通过封装的裂痕或间隙入侵的湿气的侵蚀。在IC芯片及其连带的结构表面清洗之后，用等离子CVD法很方便地实施氮化硅层的涂覆。