公开(公告)号：CN1009883B

公开(公告)日：1990-10-03

申请号：CN87102347

申请日：1987-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大岛乔 ,  浦田一男 ,  田代卫 ,  店村悠尔 ,  今任慎二 ,  伊藤健二 ,  尾高政一 ,  林茂则 ,  宏濑直树

IPC: H01J61/52 ,  H01J61/24

CPC classification number: H01J61/52

Abstract: 一种汞汽灯设有一个储蓄池，冗余的汞以液态形式贮存于其中，储蓄池中的液态汞被冷却到一定的温度。汞汽的压强自动地降低到被冷却的液态汞的饱和压强。以此配置，调节贮存于储蓄池中的液态汞的温度，就可控制汞汽的压强。

公开(公告)号：CN1019250B

公开(公告)日：1992-11-25

申请号：CN89106675.6

申请日：1989-08-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浦田一男 ,  小山到 ,  石田典也 ,  佐佐木麻里 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  广濑直树

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  Y10T29/49121 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 介绍了一种经改进的电气器件的制造方法。该器件是个例如装在模制件中的集成电路芯片。在进行模制之前，将集成电路芯片涂以氮化硅，以保护集成电路芯片免受湿气通过裂纹或缝隙的侵袭。氮化硅涂层是在用等离子体化学汽相淀积法清洗集成电路芯片的表面之后进行的。

公开(公告)号：CN1041849A

公开(公告)日：1990-05-02

申请号：CN89108372.3

申请日：1989-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浦田一男 ,  广濑直树 ,  小山到 ,  今任慎二 ,  中下一寿

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 介绍一种改进的电子器件及其制造方法。该器件，比如说是一种其中带有引线，模压塑料封装的IC芯片。在模压工序之前，将IC芯片，连同引线结构，在高真空条件下涂覆一层氮化硅或其它电绝缘材料，以便保护IC芯片免遭通过封装的裂痕或间隙入侵的湿气的侵蚀。在IC芯片及其连带的结构表面清洗之后，用等离子CVD法很方便地实施氮化硅层的涂覆。

公开(公告)号：CN1021100C

公开(公告)日：1993-06-02

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体处理方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN1040461A

公开(公告)日：1990-03-14

申请号：CN89106675.6

申请日：1989-08-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浦田一男 ,  小山到 ,  石田典也 ,  佐佐木麻里 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  广濑直树

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  Y10T29/49121 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 介绍了一种经改进的电气器件及其制造方法。该器件是个例如装在模制件中的集成电路芯片。在进行模制之前，将集成电路芯片涂以氮化硅，以保护集成电路芯片免受湿气通过裂纹或缝隙的侵袭。氮化硅涂层是在用等离子体化学汽相淀积法清洗集成电路芯片的表面之后进行的。

公开(公告)号：CN1036681A

公开(公告)日：1989-10-25

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体产生方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN87102347A

公开(公告)日：1987-09-30

申请号：CN87102347

申请日：1987-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大岛乔 ,  浦田一男 ,  田代卫 ,  店村悠尔 ,  今任慎二 ,  伊藤健二 ,  尾高政一 ,  林茂则 ,  宏濑直树

IPC: H01J61/24 ,  H01J61/52 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01J61/52

Abstract: 一种汞汽灯设有一个储蓄池，冗余的汞以液态形式贮存于其中。储蓄池中的液态汞被冷却到一定的温度。汞汽的压强自动地降低到被冷却的液态汞的饱和压强。以此配置，调节贮存于储蓄池中的液态汞的温度，就可控制汞汽的压强。