公开(公告)号：CN1090889A

公开(公告)日：1994-08-17

申请号：CN93120148.9

申请日：1989-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋三宪 ,  林茂则 ,  广濑直树 ,  石田典也 ,  佐佐木麻里 ,  川野笃

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/50

Abstract: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室，真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压，以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压，基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。

公开(公告)号：CN1021100C

公开(公告)日：1993-06-02

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体处理方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN1041189A

公开(公告)日：1990-04-11

申请号：CN89107237.3

申请日：1989-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋三憲 ,  林茂则 ,  广濑直樹 ,  石田典也 ,  佐佐木麻里 ,  川野笃

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/26

Abstract: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室，真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压，以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压，基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。

公开(公告)号：CN1025353C

公开(公告)日：1994-07-06

申请号：CN89107237.3

申请日：1989-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋三宪 ,  林茂则 ,  广濑直树 ,  石田典也 ,  佐佐木麻里 ,  川野笃

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/26

Abstract: 介绍了一种等离子体化学汽相淀积法和设备。该设备包括一真空室，真空室中设有两对电极。往其中一对电极加高频电压，以便在真空室中产生反应气体的等离子体。待涂敷的基片配置在另一对电极之间。往该另一对电极加频率较低的电压。借助于该低频电压，基片在淀积的过程中就受到等离子体的轰击。轰击的作用在于除去淀积材料较软的部分。

公开(公告)号：CN1036681A

公开(公告)日：1989-10-25

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体产生方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。