公开(公告)号：CN1021100C

公开(公告)日：1993-06-02

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体处理方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN1036681A

公开(公告)日：1989-10-25

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体产生方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。