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公开(公告)号：CN87106283A
公开(公告)日：1988-03-23
申请号：CN87106283
申请日：1987-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/0245 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/482 , C23C16/488 , C23C16/517 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/31608 , H01L21/31612 , Y10S148/017 , Y10S148/043 , Y10S148/045 , Y10S438/905
Abstract: 一种改进的用于沉积均匀薄膜的CVD装置。该装置包括一个反应室，一个底物支持器和多个用于光化CVD的光源，或一对用于等离子体CVD的电极。底物支持器是被光源包围的圆筒形底物加热车，并且是由驱动装置带动绕轴自转。利用这种配置，应用光或等离子体可使装在加热车上的底物及其周围，从而使整个待覆涂表面均匀地进行激发。
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公开(公告)号：CN87102347A
公开(公告)日：1987-09-30
申请号：CN87102347
申请日：1987-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01J61/52
Abstract: 一种汞汽灯设有一个储蓄池，冗余的汞以液态形式贮存于其中。储蓄池中的液态汞被冷却到一定的温度。汞汽的压强自动地降低到被冷却的液态汞的饱和压强。以此配置，调节贮存于储蓄池中的液态汞的温度，就可控制汞汽的压强。
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公开(公告)号：CN1020290C
公开(公告)日：1993-04-14
申请号：CN87106283
申请日：1987-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/0245 , C23C16/402 , C23C16/4405 , C23C16/482 , C23C16/488 , C23C16/517 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/31608 , H01L21/31612 , Y10S148/017 , Y10S148/043 , Y10S148/045 , Y10S438/905
Abstract: 一种改进的用于沉积均匀薄膜的CVD装置。该装置包括一个反应室，一个底物支持器和多个用于光化CVD的光源，或一对用于等离子体CVD的电极。底物支持器是被光源包围的圆筒形底物加热车，并且是由驱动装置带动绕轴自转。利用这种配置，应用光或等离子体可使装在加热车上的底物及其周围，从而使整个待覆涂表面均匀地进行激发。
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公开(公告)号：CN1009883B
公开(公告)日：1990-10-03
申请号：CN87102347
申请日：1987-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01J61/52
Abstract: 一种汞汽灯设有一个储蓄池，冗余的汞以液态形式贮存于其中，储蓄池中的液态汞被冷却到一定的温度。汞汽的压强自动地降低到被冷却的液态汞的饱和压强。以此配置，调节贮存于储蓄池中的液态汞的温度，就可控制汞汽的压强。
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