公开(公告)号：CN86107793A

公开(公告)日：1987-05-20

申请号：CN86107793

申请日：1986-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小沼利光 ,  浜谷敏次 ,  间濑晃 ,  山口利治 ,  坂间光范 ,  犬岛乔

IPC: G09F9/35

CPC classification number: G02F1/133345

Abstract: 本发明说明一种改进的，不受液晶污染影响的液晶装置。该液晶凭借其间的氮化物层来跟游离物质隔离，如：玻璃基质、透明电极等等。

公开(公告)号：CN1020290C

公开(公告)日：1993-04-14

申请号：CN87106283

申请日：1987-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  犬岛乔 ,  尾高政一 ,  林茂则 ,  広濑直树

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/482 ,  C23C16/488 ,  C23C16/517 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31612 ,  Y10S148/017 ,  Y10S148/043 ,  Y10S148/045 ,  Y10S438/905

Abstract: 一种改进的用于沉积均匀薄膜的CVD装置。该装置包括一个反应室，一个底物支持器和多个用于光化CVD的光源，或一对用于等离子体CVD的电极。底物支持器是被光源包围的圆筒形底物加热车，并且是由驱动装置带动绕轴自转。利用这种配置，应用光或等离子体可使装在加热车上的底物及其周围，从而使整个待覆涂表面均匀地进行激发。

公开(公告)号：CN87107779A

公开(公告)日：1988-05-25

申请号：CN87107779

申请日：1987-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 犬岛乔 ,  广濑直树 ,  山崎舜平 ,  田代卫

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/274 ,  C23C16/26 ,  C23C16/277 ,  C23C16/458 ,  C23C16/481 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32678

Abstract: 本说明书叙述了一种新型的化学汽相淀积法。这里化学汽相反应的主要的激发动力不是电子回旋共振(这时的电子作为独立粒子能够运动而不相互作用)而是混合回旋共振。在这种新提出的共振中，共振空间较大，因而用此新方法可将金刚石之类的高熔点物质淀积成薄膜状。

公开(公告)号：CN1017726B

公开(公告)日：1992-08-05

申请号：CN87107779

申请日：1987-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 犬岛乔 ,  广濑直树 ,  山崎舜平 ,  田代卫

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/22

CPC classification number: C23C16/274 ,  C23C16/26 ,  C23C16/277 ,  C23C16/458 ,  C23C16/481 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32678

Abstract: 本说明书叙述了一种新型的化学汽相淀积法。这里化学汽相反应的主要的激发动力不是电子回旋共振(这时的电子作为独立粒子能够运动而不相互作用)而是混合回旋共振。在这种新提出的共振中，共振空间较大，因而用此新方法可将金刚石之类的高熔点物质淀积成薄膜状。

公开(公告)号：CN1005946B

公开(公告)日：1989-11-29

申请号：CN87106448

申请日：1987-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/86 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。

公开(公告)号：CN85109696A

公开(公告)日：1986-07-16

申请号：CN85109696

申请日：1985-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L23/52 ,  H01L29/86 ,  H01L21/64 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面，然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。

公开(公告)号：CN1025383C

公开(公告)日：1994-07-06

申请号：CN86107793

申请日：1986-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小沼利光 ,  浜谷敏次 ,  间濑晃 ,  山口利治 ,  坂间光范 ,  犬岛乔

IPC: G09F9/35

CPC classification number: G02F1/133345

Abstract: 本发明说明一种改进的，不受液晶污染影响的液晶装置，该液晶凭借其间的氮化物层来跟游离物质隔离，如：玻璃基质、透明电极等等。

公开(公告)号：CN1005944B

公开(公告)日：1989-11-29

申请号：CN85109696

申请日：1985-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/31 ,  H01L29/86 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层爆光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。

公开(公告)号：CN87106448A

公开(公告)日：1988-05-11

申请号：CN87106448

申请日：1987-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃 ,  小沼利光 ,  坂间光范 ,  犬岛乔 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/86 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/12

Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分。使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。