公开(公告)号：CN1603924B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200410088064.8

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/13 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H04N5/225

Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

公开(公告)号：CN1909235A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610093456.2

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1143395C

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN99120393.3

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层，于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1479137A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03133133.5

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/3205

Abstract: 一种用于如摄像机的电子器件的半导体显示器件，包括：一阻挡膜，在一个衬底上形成；一个薄膜晶体管，在所述阻挡膜上形成，所述薄膜晶体管包括：一个半导体层，具有源区和漏区，在该两区之间夹有沟道区，在所述沟道区和所述源区和漏区至少之一之间有至少一个轻掺杂区，一个栅极，毗邻所述沟道区，栅极与沟道区之间有一个栅绝缘膜；一个层间绝缘膜，在所述薄膜晶体管上形成；一个平面化膜，在所述层间绝缘膜上形成；和一个像素电极，在所述有机树脂膜上形成并电连接到所述薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1073300A

公开(公告)日：1993-06-16

申请号：CN92112490.2

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L29/784 ,  H01L27/088 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层，于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1652312A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510008063.2

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1147004C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN99120389.5

申请日：1992-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  间濑晃 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

公开(公告)号：CN1305227A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN00133102.7

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: H01L27/092 ,  G02F1/13

Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度,即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内,源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

公开(公告)号：CN1014098B

公开(公告)日：1991-09-25

申请号：CN87105511

申请日：1987-08-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  坂寄宽幸

IPC: G02F1/13 ,  G02F1/133 ,  G09G3/18

CPC classification number: G02F1/134309 ,  G02F1/1339 ,  Y10T428/1055 ,  Y10T428/1059

Abstract: 公开了一种改进了的用以显示的液晶器件。该器件包括一对基片，在二基片的内侧面上该多个电极条形成一矩阵。在接近基片的外周缘部分对显示器的像素无用的地方也形成电极条。借助于这些多余的电极条可以无需对基片的特别注意而把它们连接起来。

公开(公告)号：CN87105952A

公开(公告)日：1988-07-27

申请号：CN87105952

申请日：1987-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 间濑晃

IPC: H05K3/100

CPC classification number: G02F1/13452 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1345 ,  H01L21/4867 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H05K1/095 ,  H05K3/245 ,  H05K2201/0326 ,  H05K2201/035 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49137 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014

Abstract: 公开了一种在基底上形成电极图案的改进方法。基底涂覆以一第一导电膜且受烘烤。然后在第一导电膜上叠复一第二导电膜，该第二导电膜修补了第一导电膜可能的裂缝，而且该裂缝在图案中会引起开路。