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公开(公告)号：CN1305227A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN00133102.7
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/092 , G02F1/13
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度,即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内,源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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公开(公告)号：CN1908738A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610093447.3
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13 , H01L21/00 , H01L29/786 , H04N5/225
CPC classification number: H01L29/66757
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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公开(公告)号：CN1603924B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200410088064.8
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/13 , H01L29/786 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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公开(公告)号：CN1479137A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03133133.5
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/3205
Abstract: 一种用于如摄像机的电子器件的半导体显示器件，包括：一阻挡膜，在一个衬底上形成；一个薄膜晶体管，在所述阻挡膜上形成，所述薄膜晶体管包括：一个半导体层，具有源区和漏区，在该两区之间夹有沟道区，在所述沟道区和所述源区和漏区至少之一之间有至少一个轻掺杂区，一个栅极，毗邻所述沟道区，栅极与沟道区之间有一个栅绝缘膜；一个层间绝缘膜，在所述薄膜晶体管上形成；一个平面化膜，在所述层间绝缘膜上形成；和一个像素电极，在所述有机树脂膜上形成并电连接到所述薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1183599C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN00133102.7
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/092 , G02F1/13
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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公开(公告)号：CN1266519C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN03133133.5
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/3205
Abstract: 一种用于如摄像机的电子器件的半导体显示器件，包括：一阻挡膜，在一个衬底上形成；一个薄膜晶体管，在所述阻挡膜上形成，所述薄膜晶体管包括：一个半导体层，具有源区和漏区，在该两区之间夹有沟道区，在所述沟道区和所述源区和漏区至少之一之间有至少一个轻掺杂区，一个栅极，毗邻所述沟道区，栅极与沟道区之间有一个栅绝缘膜；一个层间绝缘膜，在所述薄膜晶体管上形成；一个平面化膜，在所述层间绝缘膜上形成；和一个像素电极，在所述有机树脂膜上形成并电连接到所述薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1603924A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410088064.8
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/13 , H01L29/786 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(off set)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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