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公开(公告)号：CN102439683A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080020420.6
申请日：2010-04-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/09 , H01J2237/0451 , H01J2237/0453 , H01J2237/0456 , H01J2237/065 , H01J2237/08 , H01J2237/083 , H01J2237/31 , H01J2237/31701 , Y10S438/961
Abstract: 一种离子源，包括具有萃取孔隙的电弧室及等离子体鞘调制器。等离子体鞘调制器被装配以控制边界的形状，上述边界位于等离子体与接近萃取孔隙的等离子体鞘之间。等离子体鞘调制器可包括一对绝缘体，此对绝缘体安置于电弧室中且藉由安置于接近萃取孔隙的间隙来隔开。具有高电流密度的聚焦良好的离子束可藉由离子源产生。高电流密度离子束可改善相关制程的产出。离子束的发射率也可被控制。
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公开(公告)号：CN102428542A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021679.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 , 罗素·J·洛 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01J2237/303 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
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公开(公告)号：CN102422389A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020274.7
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , C23C16/045 , C23C16/50 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/3344 , H01J2237/3345
Abstract: 使用等离子体处理工具在工件上沉积材料。举例而言，揭示一种用于材料的保形沉积的方法。在此实施例中，等离子体鞘形状经修改以允许材料以某一范围的入射角冲击所述工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可在上面沉积多种不同特征。在另一实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。在此实施例中，等离子体鞘形状经更改以允许离子以某一范围的入射角冲击工件。藉由随时间过去而改变此入射角范围，可形成多种不同形状的特征。
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公开(公告)号：CN101681782B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200880015524.0
申请日：2008-03-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 阿塔尔·古普塔
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/00 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L27/00
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022
Abstract: 本发明揭示具有气体混合的离子源(202a)的效能改良与生命期延长的技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可实现为离子注入机中的离子源的效能改良与生命期延长的方法。所述方法可包含将预定量的掺杂气体导入离子源腔室(206)内。所述掺杂气体可包含掺杂物质。所述方法亦可包含将预定量的稀释气体导入离子源腔室内。所述稀释气体可稀释掺杂气体以改良离子源的效能并延长离子源的生命期。所述稀释气体可进一步包含与掺杂物质相同的协同物质。
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公开(公告)号：CN101641764B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200880008577.X
申请日：2008-02-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/223 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/32706
Abstract: 一种多阶等离子体掺杂基板的方法包括点燃来自处理气体的等离子体。建立第一等离子体状态来执行第一等离子体掺杂步骤。给基板加偏压，使得具有第一等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第一剂量。第一等离子体状态过渡到第二等离子体状态。给基板加偏压，使得具有第二等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第二剂量。选定第一和第二等离子体状态使得第一和第二剂量相结合，以实现在基板的至少一部分上的预定剂量分配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102257606A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151424.5
申请日：2009-12-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 提摩太·J·米勒 , 杰·T·舒尔 , 克里斯多夫·J·里维特
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: G01T1/00
Abstract: 本发明提供了一种非法拉第离子剂量测量装置，此非法拉第离子剂量测量装置位于等离子处理室中以及包括位于室中的工件上面的感测器。感测器经配置为侦测从曝露于等离子植入制程的工件的表面发射出的次级电子的数量。此感测器输出与已侦测的次级电子的数量成比例的电流信号。电流电路将施加到室中的工件的偏压电流减去从感测器所生成的已侦测的次级电流。这些电流之间的差异提供了在离子植入制程期间，对在原位置所计算出的离子剂量电流进行测量。
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公开(公告)号：CN102150283A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135584.0
申请日：2009-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B28/06 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/52 , C30B29/64 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明揭示一种用于形成板的方法及设备。将熔化物冷却，且在所述熔化物上形成板。此板具有第一厚度。随后使用例如加热器或熔化物使所述板自第一厚度变薄至第二厚度。所述冷却可经配置以允许溶质被截留于板的一区中，且可使此特定板变薄且移除溶质。所述熔化物可为例如硅、硅锗、镓或氮化镓。
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公开(公告)号：CN101578682B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880001671.2
申请日：2008-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 詹姆士·S·贝福 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/141 , H01J37/153
CPC classification number: H01J37/141 , H01J37/153 , H01J37/3171 , H01J2237/1501 , H01J2237/1526 , H01J2237/24528
Abstract: 一种在注入位置降低磁场的技术。在一实施例中，此技术可为在注入位置降低磁场的装置及方法。此装置及方法可包括：校正条总成(400)，其包括一组磁芯构件(402)；沿此组磁芯构件分布的多个线圈(408a、b、c)；以及将此组磁芯构件的末端彼此连接以形成矩形校正条结构的连接元件(404)。校正条总成可位于磁偏转器(101、509)的出口区域以改良具有从磁偏转器输出的多个细光束的带状光束(10)的均匀性，而且矩形校正条结构可提供所需的磁场夹紧作用。
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公开(公告)号：CN102047390A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980115537.X
申请日：2009-03-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 保罗·J·墨菲 , 保罗·沙利文 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L21/265 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/18 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/0827 , H01J2237/202 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 可在不需要中介(intervening)热循环的情况下进行连续的离子植入，而简化太阳能电池的制造并减少成本。除了缩短制程时间，连锁离子植入的使用也可改善太阳能电池的性能。而另一实施例中，在没有破真空的情况下，连续的植入两种不同种类的掺质。又一实施例中，衬底被植入接着被翻转(flipped)，而使其在退火之前可在其两面进行植入。于又一实施例中，在不破真空的情况下，使用一或多个不同掩膜进行连续的植入，因而缩短制程时间。
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公开(公告)号：CN102017178A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114977.3
申请日：2009-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042
Abstract: 一种片材制造装置，包括一容器，其定义出一通道以容纳一熔体。熔体会从通道的一第一位置流至一第二位置。一冷却板邻近熔体，用以在熔体上形成一片材。一溢流道配置于通道的第二位置。溢流道用以将片材从熔体分离。
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