公开(公告)号：CN100448593C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN03805864.2

申请日：2003-03-12

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志

IPC: B23K26/38 ,  B28D5/00 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/033 ,  C03B33/07 ,  C03B33/074 ,  H01L2924/01015

Abstract: 本发明提供一种能高精度地切割具有各种积层构造的加工对象物(1)的激光加工方法。在具有基板及设置于该基板表面(3)的积层部的加工对象物(1)的至少基板内部，使聚光点(P)聚合并照射激光(L)，使得至少在基板内部形成由多光子吸收生成的调质领域(7)，利用该调质领域，形成切割起点领域(8)。而且，通过沿该切割起点领域(8)切割加工对象物，可高精度地切割加工对象物(1)。

公开(公告)号：CN100445014C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200380104719.X

申请日：2003-12-04

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  筬岛哲也

IPC: B23K26/04 ,  B28D5/00

CPC classification number: B28D1/221 ,  B23K26/066 ,  B23K26/1462 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 激光加工装置(20)中，在连接光束扩展器(34)和透镜保持件(29)的第一光通过孔(32)的激光(L1)的光路上，配置有具有和第一光通过孔(32)相同直径的第二光通过孔(39)的光阑部件(38)。由于光阑部件(38)从透镜保持件(29)分离开，即使光阑部件(38)被在第二光通过孔(39)的周围部分被截除的激光(L1)加热，也能防止从光阑部件(38)向透镜保持件(29)进行的热传导。所以，可将因透镜保持件(29)的加热造成的激光(L1)的聚光点(P1)的位置变动抑制得小。

公开(公告)号：CN100407377C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480026066.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福满宪志 ,  福世文嗣 ,  内山直己 ,  杉浦隆二 ,  渥美一弘

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/0884 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011

Abstract: 提供一种半导体基板的切断方法，可将表面形成有功能元件的半导体基板连同芯片粘贴树脂层一起有效率地切断。把表面(3)形成有功能元件(15)的晶片(11)的背面(17)作为激光入射面，汇聚聚光点(P)而对晶片(11)的内部照射激光，由此产生多光子吸收并沿着切断预定线(5)而在晶片(11)的内部形成由熔融处理区域(13)所产生的切断起点区域(8)。利用此、自然地或者以比较小的力而产生以切断起点区域(8)为起点的裂缝，并可使所述裂缝到达表面(3)和背面(17)。因此，在切断起点区域(8)形成后，在晶片(11)的背面(17)隔着芯片粘贴树脂层(23)贴附上扩张薄膜(21)，当使扩张薄膜(21)扩张时，可沿着切断预定线(5)将晶片(11)及芯片粘贴树脂层(23)切断。

公开(公告)号：CN101110392A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710147746.5

申请日：2001-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  山内直己 ,  和久田敏光

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B28D5/00 ,  C03B33/00 ,  C03B33/08 ,  C03B33/10

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K20/26 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/034 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/16 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/023 ,  C03B33/082 ,  C03B33/102 ,  C03C23/0025 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T83/0341

Abstract: 本发明涉及一种激光加工方法，向在表面侧上形成有多个电子器件的晶片状的加工对象的内部对准聚光点，并经过电子器件之间的区域照射激光，从而沿着经过电子器件之间并在第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个，在距加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成第1熔融处理区域；并沿着经过电子器件之间并在与第1方向相交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个，在距加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成第2熔融处理区域的工序；经由安装在加工对象物的背面侧的具有弹性的薄片向加工对象物施加应力，从而，以第1和第2熔融处理区域为切断的起点，沿着第1和第2切割预定线，对于每个电子器件将加工对象物分割为多个芯片的工序。

公开(公告)号：CN100355032C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200510085444.0

申请日：2003-03-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 藤井义磨郎 ,  福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0057 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B23K2203/50 ,  B28D5/00 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76894 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

Abstract: 本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面(3)形成功能元件(19)的半导体基板(1)的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板(1)的内部形成含由多光子吸收生成的溶融处理领域的调质领域，通过含该溶融处理领域的调质领域，形成切割起点领域的工序；以及在形成切割起点领域后，研磨半导体基板(1)的背面(21)使半导体基板(1)成为规定的厚度的工序。

公开(公告)号：CN1938827A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010860.2

申请日：2005-03-25

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  福满宪志

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，即使在形成有包括多个功能元件的叠层部的基板较厚的情况下，也可高精度地切断基板及叠层部。是通过将背面(21)作为激光射入面，使聚光点(P)对准于基板(4)的内部并照射激光(L)，在基板(4)的内部形成改质区域(71、72、73)。此时，在基板(4)的表面(3)及质量改质区域(71)的表面侧端部的距离为5μm～15μm的位置上，形成质量改质区域(71)。在上述位置形成质量改质区域(71)时，可使形成在基板(4)的表面(3)上的叠层部(16)(在此，为层间绝缘膜(17a、17b))与基板(4)一起沿着预定切断线精度良好地被切断。

公开(公告)号：CN1849699A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480026066.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福满宪志 ,  福世文嗣 ,  内山直己 ,  杉浦隆二 ,  渥美一弘

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/0884 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011

Abstract: 提供一种半导体基板的切断方法，可将表面形成有功能元件的半导体基板连同芯片粘贴树脂层一起有效率地切断。把表面(3)形成有功能元件(15)的晶片(11)的背面(17)作为激光入射面，汇聚聚光点(P)而对晶片(11)的内部照射激光，由此产生多光子吸收并沿着切断预定线(5)而在晶片(11)的内部形成由熔融处理区域(13)所产生的切断起点区域(8)。利用此、自然地或者以比较小的力而产生以切断起点区域(8)为起点的裂缝，并可使所述裂缝到达表面(3)和背面(17)。因此，在切断起点区域(8)形成后，在晶片(11)的背面(17)隔着芯片粘贴树脂层(23)贴附上扩张薄膜(21)，当使扩张薄膜(21)扩张时，可沿着切断预定线(5)将晶片(11)及芯片粘贴树脂层(23)切断。

公开(公告)号：CN1720116A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200380104719.X

申请日：2003-12-04

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  筬岛哲也

IPC: B23K26/04 ,  B28D5/00

CPC classification number: B28D1/221 ,  B23K26/066 ,  B23K26/1462 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 激光加工装置(20)中，在连接光束扩展器(34)和透镜保持件(29)的第一光通过孔(32)的激光(L1)的光路上，配置有具有和第一光通过孔(32)相同直径的第二光通过孔(39)的光阑部件(38)。由于光阑部件(38)从透镜保持件(29)分离开，即使光阑部件(38)被在第二光通过孔(39)的周围部分被截除的激光(L1)加热，也能防止从光阑部件(38)向透镜保持件(29)进行的热传导。所以，可将因透镜保持件(29)的加热造成的激光(L1)的聚光点(P1)的位置变动抑制得小。

公开(公告)号：CN1703770A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03825518.9

申请日：2003-09-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  内山直己 ,  杉浦隆二

IPC: H01L21/301 ,  B28D5/00 ,  B23K26/38 ,  B23K101

CPC classification number: H01L21/2633 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过发生多光子吸收在硅晶片(11)内部由熔融处理区域(13)形成预定切断部(9)后，使贴附在硅晶片(11)上的粘接薄片(20)扩张。因此，沿预定切断部(9)高精度地将硅晶片(11)切断成半导体芯片(25)。这时，因为邻接的半导体芯片(25、25)的相对向的切断面(25a、25a)从粘附的状态分离，所以芯片接合树脂层(23)也沿预定切断部(9)切断。因此，与不切断基材(21)地用刀片切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)的情形比较，可以效率远高得多地切断硅晶片(11)和芯片接合树脂层(23)。

公开(公告)号：CN1683106A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510072074.7

申请日：2001-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  福满宪志 ,  山内直己 ,  和久田敏光

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/38 ,  C03B33/023 ,  C03B33/08 ,  C03B33/10 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K20/26 ,  B23K26/03 ,  B23K26/032 ,  B23K26/034 ,  B23K26/046 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/16 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B65G2249/04 ,  C03B33/023 ,  C03B33/082 ,  C03B33/102 ,  C03C23/0025 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T83/0341

Abstract: 能够在加工对象物的表面上进行不发生熔融或者偏离切割预定线的分割的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物(1)的内部对准焦点(P)，在加工对象物(1)的表面(3)的切割预定线(5)上照射脉冲激光(L)，通过使焦点(P)沿着切割预定线(5)移动，沿着切割预定线(5)在加工对象物(1)的内部形成改质区，通过从改质区开始，沿着切割预定线(5)分割加工对象物(1)，能够用比较小的力切割加工对象物(1)，由于在加工对象物1的表面(3)上几乎不吸收照射的脉冲激光(L)，因此即使形成改质区也不会熔融表面(3)。