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公开(公告)号：CN104332542B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410551495.7
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的外延结构制作方法，包括以下步骤：一、在外延衬底表面由下自上依次形成缓冲层、衬底保护层、外延剥离层、外延保护层及外延发光结构；二、对外延剥离层进行氧化，形成氧化剥离层；三、在外延发光结构的第二型电流扩展层上蒸镀金属反射层；将金属反射层与基板键合；四、采用强碱腐蚀氧化剥离层，使用带旋转功能的腐蚀装置腐蚀氧化剥离层，直至外延发光结构与外延衬底剥离，得到可重复利用的外延衬底。本发明可以解决剥离二极管而导致外延层破损问题，且可重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN104167474B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410391579.9
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本发明解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。
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公开(公告)号：CN106098862A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610425239.2
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种具有阱区掺杂的发光二极管外延生长方法，提供衬底，在衬底上由下至上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层；在第一型导电层上生长前量子垒；在前量子垒上接着外延V型量子阱；在V型量子阱上继续外延后量子垒；在后量子垒上外延量子阱；重复步骤二至步骤五多个周期，外延生长构成有源区；在有源区上接着由下至上依次外延电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层。本发明可以减少整个有源区的阻值，降低工作电压，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN103715326B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410015583.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自上而下依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本发明使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN106025026A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557325.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/12 , H01L33/00 , H01L21/203
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/00 , H01L21/02414 , H01L33/0066 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，由AlN材料层和AlN材料掺氧层构成，在衬底上生长底层AlN材料掺氧层，在底层AlN材料掺氧层上依次交替循环生长AlN材料层和AlN材料掺氧层，顶层为AlN材料掺氧层；顶层AlN材料掺氧层上生长外延层。本发明还公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层制作方法。本发明形成高致密性的AlN缓冲层，有效释放缓冲层与衬底的应力，使得缓冲层的应力释放得更好，有利于改善生长于缓冲层上的氮化镓材料的晶体质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106025019A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610425763.X
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0066 , H01L33/12 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延结构，衬底上由下至上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、复合调节层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层；复合调节层为GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN中的一种。本发明解决衬底在外延生长过程由于生长不同功能的外延层时温度变化及内应力问题导致的外延片弯曲，以及由于外延片弯曲变大而引起的外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN105552191A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610071720.6
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本发明的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
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公开(公告)号：CN105514241A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610018937.0
申请日：2016-01-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14
Abstract: 一种具有高可靠性透明导电层的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明通过外延生长，设置一层具有和ITO透明导电层相同的电能和光学性能的高导电外延层，直接通过此高导电外延层形成有效的电流扩展。极大地提高P型电流扩展效果，减小发光二极管的串联电阻，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。由于高导电外延层是直接通过形成，减少芯片工序，有效降低芯片成本。
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公开(公告)号：CN104377288A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410551543.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0062 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开一种具有电极出光的发光二极管制作方法：在外延衬底上外延形成外延发光结构，在外延发光结构上形成透光通道制作层；采用掩膜、ICP蚀刻工艺在透光通道制作层的电极区域，形成若干规则的透光通道，且ICP蚀刻深度至露出外延发光结构表面；在裸露的外延发光结构表面蒸镀透光材料直至填满透光通道，形成透光柱体；腐蚀去除透光通道制作层，留下透光柱体，且露出外延发光结构；外延发光结构表面形成焊台电极，且厚度超过透光柱体高度；采用ICP蚀刻作为焊台电极的第一电极或第二电极表面直至露出透光柱体的上表面；在外延发光结构上形成背电极，裂片形成发光二极管芯片。本发明可以减少焊台电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN104332536A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410551209.7
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/305
Abstract: 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法：一，在衬底上分别依次形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层；二、在粗化层上外延第一型电流扩展层的第一层结构；三、在第一型电流扩展层第一层结构上外延生长第一组超晶格；四、在第一组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第二层结构；五、重复三、四的结构，直至在第n-1组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第n层结构；六、在第一型电流扩展层第n层结构上接着外延生长第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层。本发明制作的发光二极管外延结构可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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