公开(公告)号：CN102347190A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010243070.1

申请日：2010-08-02

申请人： 北京中科信电子装备有限公司

发明人： 唐景庭 ,  伍三忠 ,  孙勇 ,  刘仁杰

IPC分类号： H01J37/04 ,  H01J37/02 ,  H01J37/32

摘要： 一种分体式离子源引出电极系统，包括：减速电极3、屏蔽筒2、绝缘子4、加速电极7、减速电极连接杆1、加速电极连接杆8、电极基座10，所述屏蔽筒2安装在减速电极3上面向加速电极7的一侧；所述绝缘子4安装加速电极上7面向减速电极3的一侧，靠近屏蔽筒2并与屏蔽筒2相对应，其特征在于，其中所述减速电极3通过所述减速电极连接杆1连接固定到基座10上；其中所述加速电极7通过所述加速电极连接杆8连接固定到基座10上，连接方式使得所述加速电极7在需要时能够通过所述加速电极连接杆8的前后移动而沿离子束流的方向精确地前后移动。本发明的离子源引出电极结构稳定可靠，在过热的情况下加速电极和减速电极之间不会产生应力应变，从而不会损失电极的精度，还具有许多其它优点。

公开(公告)号：CN102194634A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110050935.7

申请日：2011-03-01

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 北岛次雄 ,  小林义之 ,  渡边淳 ,  冈田拓也

IPC分类号： H01J37/21 ,  H01J37/02 ,  H01J37/32 ,  C23F4/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67103 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明提供一种具有适合等离子体处理的膜厚的导热片的聚焦环。在等离子体处理装置(10)中，聚焦环(25)包围在具有制冷剂室(26)的基座(12)上载置的晶片W的外周，并具备与基座(12)接触的基座接触面(40)、和形成在该基座接触面(40)上的导热片(38)；导热片(38)的热传导率在0.5～5.0W/m·K的范围内，导热片(38)包含成分中含有硅的耐热性的粘合剂和橡胶，在该粘合剂和橡胶中以25～60容积％含有混入该粘合剂和橡胶的氧化物、氮化物或碳化物的陶瓷填充剂，导热片(38)的膜厚是40μm以上且不足100μm。

公开(公告)号：CN1809910B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200480017294.3

申请日：2004-06-18

申请人： 艾克塞利斯技术公司

发明人： V·班威尼斯特 ,  W·迪佛吉利欧 ,  B·梵德伯格

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/02

CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/0041

摘要： 一种用于离子束的空间电荷中和的等离子体发生器被披露且置于可操作以产生离子束且沿射束线路径引导所述离子束的离子注入系统内。所述等离子体发生器包括可操作以在一部分所述射束线路径中产生电场的电场发生系统和可操作以在所述射束线路径的所述部分中产生磁场的磁场发生系统，其中所述磁场垂直于所述电场。所述等离子体发生器进一步包括可操作以将气体引入由所述电场和所述磁场占据的区域中的气体源。所述区域中的电子分别由于所述电场和所述磁场而在所述区域中移动，且至少一些所述电子与所述区域中的所述气体碰撞以使一部分所述气体离子化，由此在所述区域中产生等离子体。

公开(公告)号：CN101620972B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910151870.8

申请日：2009-07-01

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 田中诚治 ,  里吉务

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够防止排气气流集中于形成在处理室中的多个排气口，能够使处理室内的排气气流均匀。该等离子体处理装置设置有将处理室(200)内的等离子体生成区域和对处理室进行排气的排气通路隔开的隔挡部(350)，挡板部由以包围载置台(300)的周围的方式隔开距离配置的上游侧挡板和下游侧挡板构成，在各挡板中分别形成有连通等离子体生成区域和排气通路的多个开口，下游侧挡板(360)的开口为越远离各排气口(208)宽度越大的缝隙状开口(364)。

公开(公告)号：CN101140847B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200710136246.1

申请日：2007-07-12

申请人： 应用材料有限公司

发明人： R·D·戈德堡

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/0475 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/31705

摘要： 本发明涉及一种用于离子注入机中的离子束，其位于注入机中与半导体晶片相邻近的位置。这种导管用来约束在注入过程中晶片中和所使用的带电粒子。根据本发明，一种导管包括一个轴，沿着所述轴接收离子束的开口端，与所述轴基本平行的导管壁，和穿过所述导管壁的至少一个开口，所述导管壁从所述导管内到外形成气体流通通道，所述通道具有与所述导管轴成锐角排列的长度，及横向于所述长度的最小尺寸，以便垂直于所述导管轴的通过通道的视线被充分阻挡。

公开(公告)号：CN101625952B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910139870.6

申请日：2009-07-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 舆水地盐 ,  岩田学 ,  松土龙夫

IPC分类号： H01J37/02 ,  G05D23/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32642 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623

摘要： 本发明提供等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法、腔室内部件和基板载置台、以及具备它的等离子体处理装置。其将等离子体处理中使用的各种部件的温度从等离子体处理开始的阶段控制为最佳温度。其为对被处理基板实行等离子体处理的等离子体处理装置内使用的腔室内部件的温度控制方法，在上述腔室内部件设置多个供电部，通过上述供电部供给电力并加热，并且测定上述腔室内部件的电阻值或者电阻率，基于由上述电阻值或者电阻率推测的上述腔室内部件的温度控制上述电力。

公开(公告)号：CN101604609B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200910088045.8

申请日：2009-06-30

申请人： 北京中科科仪技术发展有限责任公司

发明人： 刘亚琪 ,  孙占峰

IPC分类号： H01J37/02 ,  F16K3/18 ,  F16K3/316 ,  F16K31/124 ,  H01J37/26

摘要： 一种真空隔断阀，包括驱动杆，驱动杆前端滑动地设置在阀体内腔中；密封板，具有设有密封介质的密封面，设置在阀体内腔中，能够与在阀体内腔中的真空通道内端成型的端口周围内壁结合或脱离，以封闭或导通真空通道；驱动机构，设置在驱动杆与密封板之间，用于驱动密封板靠近或远离所述端口；还包括移动方向限制机构，设置在阀体与密封板之间，用于引导密封板在靠近端口周围内壁的移动部分，沿垂直于所述端口周围内壁的方向运动，限制密封面与端口周围内壁之间的相对滑动。采用移动方向限制机构，有效避免隔断或打开时密封部件间的磨擦位移，减少磨损，杜绝划伤，驱动杆强度高不弯曲持久耐用，有效降低维护维修成本，保障电镜性能与安全。

公开(公告)号：CN101924006A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010243822.4

申请日：2004-06-22

申请人： 应用材料公司

发明人： 龚则敬 ,  唐先民 ,  约翰·福斯特 ,  丁培军 ,  马克·施韦策 ,  基斯·A·米勒 ,  伊利娅·拉维斯凯

IPC分类号： H01J37/34 ,  H01J37/02

CPC分类号： H01J37/3402 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3457 ,  C23C14/358 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3441 ,  H01J2237/3327 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明涉及用于溅射反应器中的护罩。本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在RF线圈的径向外部，该RF线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性。当线圈由与主靶相同材料制成时，线圈被用作第二磁体时，磁场还充当磁体。本发明的另一方面包括从靶延伸到支座的单片内护罩，该内护罩具有光滑内表面并在护罩中间部分由环形法兰支撑。该护罩可以被用于支撑RF线圈。

公开(公告)号：CN101853763A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010132226.9

申请日：2010-03-16

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小口元树 ,  森崎昭生 ,  花田幸纪

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32183

摘要： 本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法，与以往相比，能够谋求等离子体的稳定化，能够进行稳定的等离子处理，并且能够谋求延长构成匹配器的可变电容器的寿命。该等离子处理装置具有功率调制部件和匹配器，该功率调制部件进行以恒定的周期将来自高频电源的高频电力以脉冲状切换为第1功率和高于该第1功率的第2功率的功率调制，该匹配器用于对来自高频电源的高频电力进行阻抗匹配并施加该高频电力，该匹配器在由功率调制部件进行功率调制时、以及在施加第1功率时和自施加第2功率开始规定期间内，能停止匹配动作。

公开(公告)号：CN101834109A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010128802.2

申请日：2010-03-08

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山口天和 ,  白子贤治 ,  平松宏朗

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02 ,  H01J37/04

CPC分类号： H01J37/32357 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32779

摘要： 本发明提供一种能够使反应室内的等离子体密度均匀的半导体制造装置，该半导体制造装置具有处理衬底的处理室(52)、设在该处理室(52)内用于生成等离子体的等离子体室(76)、设在处理室(52)外侧的多个高频天线(84)、以及隔开规定间隔地配置在由等离子体室(76)和多个高频天线(84)夹持的位置上并将由高频天线(84)产生的电场屏蔽的屏蔽罩(90)，越趋向多个高频天线(84)的接近部(位置P)，屏蔽罩(90)的间隔越窄。