公开(公告)号：CN102194634A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110050935.7

申请日：2011-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北岛次雄 ,  小林义之 ,  渡边淳 ,  冈田拓也

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/02 ,  H01J37/32 ,  C23F4/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明提供一种具有适合等离子体处理的膜厚的导热片的聚焦环。在等离子体处理装置(10)中，聚焦环(25)包围在具有制冷剂室(26)的基座(12)上载置的晶片W的外周，并具备与基座(12)接触的基座接触面(40)、和形成在该基座接触面(40)上的导热片(38)；导热片(38)的热传导率在0.5～5.0W/m·K的范围内，导热片(38)包含成分中含有硅的耐热性的粘合剂和橡胶，在该粘合剂和橡胶中以25～60容积％含有混入该粘合剂和橡胶的氧化物、氮化物或碳化物的陶瓷填充剂，导热片(38)的膜厚是40μm以上且不足100μm。