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公开(公告)号：CN116169947A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111414951.X
申请日：2021-11-25
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本申请公开一种能量转换组件以及具有该能量转换组件的能量转换系统。所述能量转换组件包括光辐射收集单元以及能量转换单元。所述光辐射收集单元被配置为收集入射其表面的光辐射，使得所述光辐射聚集在所述能量转换单元之上。所述能量转换单元被配置为将聚集的光辐射转换为电能。所述能量转换单元的面积与所述光辐射收集单元的光收集指数相关，所述聚集的光辐射在所述能量转换单元上的聚集位置随时间变化而变化。
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公开(公告)号：CN115799376B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310085775.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0216 , H10K30/50 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种叠层光伏电池中间互联层结构及其制备方法与应用，所述叠层光伏电池中间互联层结构包括作为隧穿结的重掺杂PIN结构；所述重掺杂PIN结构的材料包括微晶氧化硅。本发明采用重掺杂PIN结构有利于减少中间互联层的光学吸收，保证底层电池的光学利用，进一步提升了叠层光伏电池的开路电压和短路电流；同时，采用宽带隙材料，可以有利于提高透过率和低寄生吸收，并且调配光谱折射率，进一步提高了光学透明性，降低了光反射。
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公开(公告)号：CN115341274B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211271142.2
申请日：2022-10-18
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 材料科学姑苏实验室
IPC: C30B25/02 , C30B25/16 , H01L21/205 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种半导体制造设备及方法，该半导体制造设备包括真空反应腔体和控制器；真空反应腔体内设置有反应气体的喷淋组件、反应台和膜厚监测组件；控制器能获取膜厚监测组件测得反应台上外延衬底的生长膜厚分布信息，并控制喷淋组件调控反应气体在真空反应腔体内的分布；喷淋组件中，若干调气孔分散设于喷淋壳体面向反应台的一侧；调节组件包括安装板、阵列驱动电路和若干气体微控器件；安装板设有若干安装孔，气体微控器件设于安装孔处，气体微控器件能够被阵列驱动电路分别控制，调控安装孔的出气面积；安装孔连通喷淋腔与调气孔。上述设置有利于提高外延晶片厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN115621261B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211382386.8
申请日：2022-11-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种具有低物理结构敏感性的电容器件及电路结构，电容器件包括：基底，以及设置于所述基底上的第一电极和第二电极，所述基底上还设置有接地电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置，且所述接地电极位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述接地电极与所述第一电极和所述第二电极均相互绝缘，且所述接地电极接地。本发明可降低电容对器件物理结构的敏感性，实现超导电路电容器件的精准可控设计。
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公开(公告)号：CN115581115B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211366944.1
申请日：2022-11-03
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种指导芯片或其衬底开孔的方法、芯片组件及其应用，所述方法包括如下步骤：初始化通孔参数，通孔周期性分布于衬底或芯片之上等效为光子晶体结构，然后按照光子晶体能带理论求解能带图，从能带图中找到对应频段的禁带；判断禁带是否满足所需禁带要求，若满足，则输出初始化通孔参数，按照初始化通孔参数在芯片或其衬底上进行开孔；若不满足，改变初始化通孔参数，直至得到的禁带满足所需禁带要求；本发明所述方法具备普适性和指导意义，为超导量子芯片衬底开孔的通用方法，能够明显改变禁带区间，提升超导量子芯片的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692309A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110844292.7
申请日：2021-07-26
Applicant: 腾讯科技(深圳)有限公司 , 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本申请公开了一种硅通孔结构、硅通孔互连结构及制备方法、电子设备，属于半导体技术领域。该方法包括：在形成贯穿双抛硅基衬底的初始通孔后，先通过热氧化处理使得初始通孔的内壁形成氧化硅薄膜，再去除该氧化硅薄膜以得到具有硅通孔的硅通孔结构。因初始通孔的内壁经热氧化处理形成一定厚度的氧化硅薄膜后，会逐渐趋于平滑，故将氧化硅薄膜去除后形成的硅通孔结构的硅通孔的内壁较为平滑，进而不会影响后续生长于该硅通孔的内壁上的导电材料的质量。
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公开(公告)号：CN115497867A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211139323.X
申请日：2022-09-19
Applicant: 材料科学姑苏实验室 , 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种转载装置，属于晶圆制造技术领域。转载装置包括托盘、支撑件和升降机构；托盘包括托盘本体和托举盘，托盘本体的上表面开设有第一容置槽，托举盘容置于第一容置槽内，且托举盘的顶面平齐于或低于托盘本体的上表面；第一容置槽的槽底开设第一通孔；托举盘用于接合产品；支撑件用于支撑托盘本体；升降机构包括升降驱动件和设于升降驱动件输出端的升降柱，升降柱竖直向上贯穿第一通孔后，与托举盘接合。本发明能够解决现有托盘承载晶圆方式容易导致取放片失败或者晶圆破碎的问题。
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公开(公告)号：CN115241365B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211161671.7
申请日：2022-09-23
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种超导量子比特芯片及其制备方法与量子计算机，所述超导量子比特芯片包括电容和超导干涉器，所述超导干涉器包括约瑟夫森结；所述约瑟夫森结与电容的电容电极相连接，连接处的电容电极包括电极主干以及至少一个电极支干。本发明通过特定设计电容电极与约瑟夫森结连接处的形状，解决了倾斜蒸镀的膜层断裂问题，而且降低了制造难度，缩小了连接处的尺寸，降低了约瑟夫森结的曝光时间，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN115440647A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211138854.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 材料科学姑苏实验室 , 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开一种晶圆承载装置。其中晶圆承载装置包括托盘、防飞盘组件和驱动件，托盘上设置有用于容置晶圆的放置凹槽，托盘背离放置凹槽的一侧设置有环形凸台，环形凸台的内侧设置有沟槽；防飞盘组件设置于托盘背离放置凹槽的一侧，防飞盘组件内设置有流体通道，流体通道内活动设置有至少三个卡接件，至少三个卡接件均匀间隔设置于放置凹槽的周向；驱动件用于驱动防飞盘组件和托盘旋转；当防飞盘组件和托盘旋转时，卡接件能移动至流体通道的端部并与沟槽卡接。本发明的防飞盘组件能在旋转过程中，有效地避免托盘相对于防飞盘组件的脱出，同时保证托盘相对于防飞盘组件的同心度，对晶圆的承载更加可靠、精准。
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公开(公告)号：CN115132910B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211051919.4
申请日：2022-08-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种二能级缺陷表面分布的测量装置及其制备方法，所述测量装置包括电场发生装置以及表面缺陷测量结构；所述表面缺陷测量结构包括底片与顶片；所述顶片设置有电极；所述电极包括光栅电极或网格电极；所述底片设置有比特电路；所述底片与顶片通过微凸点倒装焊连接，形成电极在比特电路正上方的结构；所述电场发生装置连接电极，实现对二能级缺陷表面分布的电场调控。本发明通过在光栅电极或网格电极的不同区域施加电压，从而在比特电路表面的不同位置产生电场，从而实现对二能级缺陷表面分布的电场调控，实现二能级缺陷表面分布的测量。
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