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公开(公告)号：CN115621261A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211382386.8
申请日：2022-11-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种具有低物理结构敏感性的电容器件及电路结构，电容器件包括：基底，以及设置于所述基底上的第一电极和第二电极，所述基底上还设置有接地电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置，且所述接地电极位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述接地电极与所述第一电极和所述第二电极均相互绝缘，且所述接地电极接地。本发明可降低电容对器件物理结构的敏感性，实现超导电路电容器件的精准可控设计。
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公开(公告)号：CN113887732A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111123713.3
申请日：2021-09-24
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06N10/00
Abstract: 本发明公开了一种量子芯片及抑制量子芯片中信号串扰的方法，包括：第一芯片，设置有第一信号线路；第二芯片，设置有第二信号线路，所述第二芯片与所述第一芯片之间通过倒装架构连接，所述第二信号线路与所述第一信号线路在量子芯片的俯视投影面上存在重叠区域；其中，所述第一芯片和所述第二芯片之间设置有空气桥，所述空气桥覆盖所述重叠区域。本发明有效抑制量子芯片上下层信号线信号串扰。
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公开(公告)号：CN118510376B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410962958.2
申请日：2024-07-18
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种具有约瑟夫森结的超导芯片及制备方法，超导芯片包括衬底基板、下电极层、氧化层和上电极层；下电极层位于衬底基板的一侧表面上，下电极层包括一体连接的第一本体部和第一凸起部；氧化层位于第一凸起部远离衬底基板的一侧表面上；上电极层位于氧化层远离衬底基板的一侧表面上，上电极层包括一体连接的第二本体部和第二凸起部，且第二凸起部与氧化层在衬底基板上的正投影至少部分交叠，约瑟夫森结为第一凸起部、氧化层与第二凸起部依次层叠设置的结构。第一凸起部和第二凸起部为梯形形状，通过梯形结构设计，避免常规的窄条带结构，该超导芯片将辐射限制于约瑟夫森结中，减少微波辐射损耗，降低二能级缺陷浓度和缺陷灵敏度。
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公开(公告)号：CN118510376A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410962958.2
申请日：2024-07-18
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种具有约瑟夫森结的超导芯片及制备方法，超导芯片包括衬底基板、下电极层、氧化层和上电极层；下电极层位于衬底基板的一侧表面上，下电极层包括一体连接的第一本体部和第一凸起部；氧化层位于第一凸起部远离衬底基板的一侧表面上；上电极层位于氧化层远离衬底基板的一侧表面上，上电极层包括一体连接的第二本体部和第二凸起部，且第二凸起部与氧化层在衬底基板上的正投影至少部分交叠，约瑟夫森结为第一凸起部、氧化层与第二凸起部依次层叠设置的结构。第一凸起部和第二凸起部为梯形形状，通过梯形结构设计，避免常规的窄条带结构，该超导芯片将辐射限制于约瑟夫森结中，减少微波辐射损耗，降低二能级缺陷浓度和缺陷灵敏度。
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公开(公告)号：CN115621261B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211382386.8
申请日：2022-11-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种具有低物理结构敏感性的电容器件及电路结构，电容器件包括：基底，以及设置于所述基底上的第一电极和第二电极，所述基底上还设置有接地电极；所述第一电极和所述第二电极相对设置，且所述接地电极位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述接地电极与所述第一电极和所述第二电极均相互绝缘，且所述接地电极接地。本发明可降低电容对器件物理结构的敏感性，实现超导电路电容器件的精准可控设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115186621A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202211091465.3
申请日：2022-09-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398 , G06N10/20 , G06N10/40
Abstract: 本发明公开了一种超导量子电路的通孔结构的设计方法及结构，包括：确定第一通孔结构的等效阻抗，其中，第一通孔结构包括信号通孔和接地通孔；第一通孔结构的等效阻抗和目标阻抗的大小关系异常，在信号通孔和接地通孔之间增设绝缘通孔，并通过改变绝缘通孔的布局来增大超导量子电路的通孔结构的等效阻抗，超导量子电路的通孔结构的分布电感不改变，分布电容发生改变；其中，信号通孔、接地通孔和绝缘通孔构成第二通孔结构，绝缘通孔内填充有相对介电常数小于通孔所在基板的相对介电常数的绝缘介质。本发明提供的技术方案在不增加超导量子电路尺寸的情况下，提高了超导量子电路的等效阻抗与预设标准的匹配度。
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公开(公告)号：CN118900621A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410999406.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导量子芯片的封装方法及封装超导量子芯片，封装方法包括提供第一衬底和第二衬底；在第一衬底一侧表面依次制备第一超导金属图案和约瑟夫森结，形成超导量子芯片；其中，第一超导金属图案包括第一传输线路、第一焊盘、第一电极和第二电极；约瑟夫森结位于第一电极和第二电极之间，且与第一电极和第二电极电连接，以形成量子比特；在第二衬底一侧表面制备第二超导金属图案，形成封装衬底；采用倒装焊工艺将第一焊盘和第二焊盘对准焊接，以利用封装衬底对超导量子芯片进行封装。利用上述方法，通过超导封装衬底实现对超导量子芯片的封装，降低了能量耗散，提高了超导量子芯片的性能和导热性，易集成且成本低。
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公开(公告)号：CN115630702A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211659834.4
申请日：2022-12-23
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种多层超导量子芯片。所述多层超导量子芯片由多层堆叠的芯片构成；多层超导量子芯片沿XY方向包括多个比特单元，任意两个所述比特单元具有相同的外围尺寸；单元内部具有定义完整和清晰的组件布局；多层超导量子芯片的Z方向上，比特单元包括叠置的多个功能层，多个功能层包括逻辑层、控制层、读取层、过渡层、滤波层及端口层；各功能层分布于多个不同的芯片上，功能层之间通过通孔或者铟柱实现电连接，以及通过耦合结构实现电磁场的耦合连接。基于完整设计的比特单元和耦合单元模块，本发明实施例构建具有量子比特阵列的多层超导量子芯片，实现大规模超导量子电路的可扩展设计。
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公开(公告)号：CN114335318B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202111619244.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种超导电路芯片及其磁通偏置线布局结构。所述磁通偏置线包括传输线和连接于传输线端部的耦合部件，所述耦合部件包括偶数个环；并且，当向所述磁通偏置线内输入电流时，其中相邻环的磁矩方向相反，使得总磁矩为0。本发明实施例提供的一种超导电路芯片的磁通偏置线布局结构，能够使磁通偏置线的耦合部件与目标超导量子干涉器件具有更合适的耦合强度，且能够有效抑制空间弥散磁场的分布，降低磁场对邻近量子比特的干扰。
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公开(公告)号：CN115630703B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211629160.3
申请日：2022-12-19
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明实施例公开了一种超导量子计算芯片及其制备方法，该计算芯片具体包括：衬底；设置于衬底一侧的超导膜层，超导膜层包括共面波导结构的信号传输馈线以及至少两个不同频率的λ/4谐振腔，λ/4谐振腔的一端与信号传输馈线连接，λ/4谐振腔的另一端开路。本发明实施例的技术方案，通过在信号传输馈线上连接至少两个不同频率的λ/4谐振腔，形成能够通过读取谐振腔频率信号传输，抑制比特频率信号传输的带通滤波器，在降低量子比特与外界耦合即不影响量子比特相干时间的情况下，实现量子比特的快速读取。
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