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公开(公告)号：CN105006245B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201410247047.8
申请日：2014-06-05
Applicant: 力晶科技股份有限公司
IPC: G11C11/34
CPC classification number: H01L29/7404 , G11C11/39 , H01L27/226 , H01L29/747 , H01L43/08
Abstract: 本发明提出一种存储器结构及其操作方法。存储器结构包括双向三极管与记忆胞。记忆胞电性连接于双向三极管。
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公开(公告)号：CN106030718A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010678.0
申请日：2015-09-25
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
IPC: G11C11/34
CPC classification number: H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
Abstract: 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了操作该阵列以读取、写入、保持和刷新其中存储的数据的方法。
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公开(公告)号：CN105097808A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510240836.3
申请日：2015-05-13
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC: H01L27/102 , H01L21/8229
CPC classification number: H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L29/66363 , H01L29/74 , H01L21/8229
Abstract: 本发明涉及晶闸管随机存取内存，其中，提出数种用以形成装置的装置及方法。该装置包括：有具第一极性类型之井区的衬底，以及基于晶闸管之记忆单元。该基于晶闸管之记忆单元包括：邻近该井区具第二极性类型之至少一第一区；设置于该衬底上用作为第二字线的栅极；具该第一极性类型之至少一第一层，其系设置成邻近具该第二极性类型之该第一区且邻近该栅极；以及具该第二极性类型之至少一重掺杂第一层，其系设置于具该第一极性类型之该第一层上且邻近该栅极。至少具该第二极性类型之该重掺杂第一层与该栅极的侧面自我对齐。
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公开(公告)号：CN1981344A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200580022557.4
申请日：2005-04-28
Applicant: 微米技术有限公司
Inventor： A·巴塔查里亚
IPC: G11C11/00 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C16/349 , H01L21/28273 , H01L27/1203 , H01L29/66825 , H01L29/7436 , H01L29/749 , H01L29/87
Abstract: 本文公开的是一种改进的基于晶闸管的存储单元。在一个实施例中，使用硅绝缘体(SOI)技术将该单元形成在浮动衬底中。该单元优选包括完全形成在浮动衬底中的横向晶闸管，该晶闸管由第二字线选通。晶闸管的阴极还包括存取晶体管的源极，其漏极连接到器件的位线，该晶体管由第一字线选通。俘获层构建到浮动衬底中，并在写入单元时，加脉冲，对于逻辑状态"1"使空穴俘获在俘获层上，而对于逻辑状态"0"使电子俘获在俘获层上。在俘获层上俘获电荷对存储的数据状态增加了额外容限，防止它们降级并使单元成非易失性。
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公开(公告)号：CN106062878A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011001.9
申请日：2015-09-25
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
IPC: G11C11/00 , G11C11/411 , G11C11/419 , G11C11/34 , G11C7/12
CPC classification number: G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/416 , G11C11/418 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1027 , H01L27/1104
Abstract: 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同操作方法。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105006245A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410247047.8
申请日：2014-06-05
Applicant: 力晶科技股份有限公司
IPC: G11C11/34
CPC classification number: H01L29/7404 , G11C11/39 , H01L27/226 , H01L29/747 , H01L43/08
Abstract: 本发明提出一种存储器结构及其操作方法。存储器结构包括双向三极管与记忆胞。记忆胞电性连接于双向三极管。
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公开(公告)号：CN102037515B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200980118151.4
申请日：2009-04-30
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 钱德拉·穆利
IPC: G11C8/08
CPC classification number: H01L27/2418 , G11C5/02 , G11C11/34 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/003 , G11C2013/009 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , G11C2216/08 , H01L29/6609 , H01L45/00 , H01L45/141 , H01L45/145 , H01L45/16
Abstract: 一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成三个或三个以上不同电阻状态中的一者；及二极管，其经配置以响应于正跨越所述字线与所述位线施加的电压而允许电流从所述字线穿过所述存储器元件流动到所述位线且无论所述电压增加还是减小均使所述电流减小。一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成两个或两个以上不同电阻状态中的一者；第一二极管，其经配置以响应于第一电压而抑制第一电流从所述位线流动到所述字线；及第二二极管，其包括电介质材料且经配置以响应于第二电压而允许第二电流从所述字线流动到所述位线。
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公开(公告)号：CN102089881B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980119832.2
申请日：2009-05-28
Applicant: 格罗方德半导体公司
Inventor： H-J·曹
IPC: H01L27/102 , G11C11/39 , H01L21/332 , H01L29/74 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L27/0817
Abstract: 提供一种用以制造基于栅控横向晶闸管存储器装置(gltram)的方法。设置半导体层(406)，该半导体层(406)中包含第一导电性类型的第一、第二、第三和第四阱区(463、471、486、493)。第一栅极结构(465/408)覆盖该第一阱区(463)，第二栅极结构(475/408)覆盖该第二阱区(471)，第三栅极结构(485/408)覆盖该第三阱区(486)且与该第二栅极结构(475/408)成为一体，且第四栅极结构(495/408)覆盖该第四阱区(493)。形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一侧壁(414)与相邻于第二到第四栅极结构(475/408、485/408、495/408)的侧壁(412、413、416、417、418、419)的侧壁间隔件(467)。此外，形成覆盖该第一阱区(463)的一部分(468)与该第一栅极结构(465/408)的一部分的绝缘间隔块(469)。该绝缘间隔块(469)相邻于该第一栅极结构(465/408)的第二侧壁(415)。形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一源极区(472)，形成在该第一和第二栅极结构(465/408、475/408)之间的公共漏极/阴极区(474/464)，形成相邻于该第三栅极结构(485/408)的第二源极区(482)，形成在该第三和第四栅极结构(485/408、495/408)之间的公共漏极/源极区(484/492)，并形成相邻于该第四栅极结构(495/408)的漏极区(494)。形成延伸至相邻于在该第一栅极结构(465/408)的该绝缘间隔块(467)之下的该第一阱区(463)中的第一基极区(468)，并形成延伸至相邻于该第一基极区(468)的该第一阱区(463)中的该第一阱区(463)中的阳极区(466)。
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公开(公告)号：CN105097808B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510240836.3
申请日：2015-05-13
Applicant: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC: H01L27/102 , H01L21/8229
CPC classification number: H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L29/66363 , H01L29/74
Abstract: 本发明涉及晶闸管随机存取内存，其中，提出数种用以形成装置的装置及方法。该装置包括：有具第一极性类型之井区的衬底，以及基于晶闸管之记忆单元。该基于晶闸管之记忆单元包括：邻近该井区具第二极性类型之至少一第一区；设置于该衬底上用作为第二字线的栅极；具该第一极性类型之至少一第一层，其系设置成邻近具该第二极性类型之该第一区且邻近该栅极；以及具该第二极性类型之至少一重掺杂第一层，其系设置于具该第一极性类型之该第一层上且邻近该栅极。至少具该第二极性类型之该重掺杂第一层与该栅极的侧面自我对齐。
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公开(公告)号：CN106030715A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010761.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
CPC classification number: H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
Abstract: 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了制造该阵列的方法。
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