公开(公告)号：CN108163803A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711500197.5

申请日：2017-12-26

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 马铁英 ,  吴宝健

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开一种MEMS三维隧道结构，包括硅基底，二氧化硅氧化层和隧道结构层，所述二氧化硅氧化层在硅基底表面上，所述隧道结构层在二氧化硅氧化层上方，所述隧道结构层是由三块矩形二氧化硅薄膜组成。本发明还公开了一种MEMS三维隧道结构的制备方法。本发明的MEMS三维隧道结构制作简单，成本低廉，可用于制作微流体管道，其硅基底可使用普通的(100)硅片，便于优化器件性能。

公开(公告)号：CN107434239A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710613928.0

申请日：2017-07-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 尤政 ,  罗川 ,  徐雨辰

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  A61N1/36 ,  A61N1/05

CPC classification number: B81B7/02 ,  A61N1/0541 ,  B81B7/04 ,  B81B2201/06 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0147 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开了一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列与加工方法。包括：所述薄膜电极阵列采用直线型结构，薄膜平面内电极形状为圆形，垂直于平面方向电极具有凸起形状；薄膜电极阵列内电极的尺寸根据人工耳蜗激励电流要求与电极材料电荷密度安全值设计，其中，电极中心间距≥150μm，每个电极暴露面积直径≥70μm。本发明引入MEMS微加工技术，提升了电极阵列的电极密度，降低了手工加工的加工成本。

公开(公告)号：CN107265399A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710530493.3

申请日：2017-07-03

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 薛维佳 ,  陈倩 ,  孔祥明

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00365 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开了一种硅片密封腔体的制作方法，所述制作方法包括：S1、对第一硅片进行热氧化；S2、刻蚀第二硅片形成空腔；S3、将离子注入到所述第一硅片的氧化层，在离子的射程处形成离子注入层；S4、将所述第一硅片的注入面与所述第二硅片的腔体面相对，进行键合处理；S5、进行第一次热处理，增加键合强度；S6、进行第二次热处理，使所述第二硅片形成密封空腔；S7、进行第三次热处理，进一步增加所述键合强度，并使所述第二硅片的顶层硅的表面平坦化；S8、以所述顶层硅为外延种子层，生长外延层。

公开(公告)号：CN107265391A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710512425.4

申请日：2017-06-29

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 靖向萌 ,  陈峰 ,  戴风伟 ,  张文奇

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0032 ,  B81B7/0054 ,  B81B7/0058 ,  B81B7/007 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00325 ,  B81C2201/0174 ,  B81C2203/01

Abstract: 本发明公开了一种MEMS封装结构，包括：第一基底，在所述第一基底的第一表面上形成有一个或多个MEMS器件和一个或多个金属焊盘；与所述金属焊盘连接并延伸到所述第一基底的第二表面的通孔，所述第二表面与所述第一表面相对；设置在所述通孔侧壁以及所述第二表面上的多层结构；设置在所述多层结构以及所述金属焊盘上的重布线层；设置在所述重布线层上的焊球；以及在所述第一基底的器件上方形成的盖帽，从而在所述盖帽和所述第一基底之间形成封装腔体，其中所述盖帽上具有一个或多个开孔，使得所述封装腔体与所述外界连通。

公开(公告)号：CN106744660A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611217047.9

申请日：2016-12-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 林媛 ,  颜卓程 ,  潘泰松 ,  陈昌勇 ,  黄龙 ,  薛苗苗 ,  高敏 ,  袁瑛 ,  江家豪

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C2201/0174

Abstract: 一种可拉伸柔性电子器件的制作方法，属于柔性电子领域。首先在刚性基底上制作图形化的柔性介质/金属交替形成的多层结构，然后通过热释放胶带将多层结构从刚性基底上完全剥离，再将带多层结构的热释放胶带粘到可拉伸基底上，加热使热释放胶带失去黏性，即可在可拉伸基底上得到柔性电子器件。本发明提出的柔性电子器件的制作方法不仅简单易行，成本低，同时得到了质量好、厚度薄、性能优良的柔性电子器件，为实现柔性电子大规模工业化生产提供了一种有效的方法。

公开(公告)号：CN106548982A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610806026.4

申请日：2016-09-06

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 柳连俊 ,  大卫·蒙克

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/02 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/025 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00817 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L21/82 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00261 ,  B81C2201/0174 ,  H01L27/0207

Abstract: 在单个半导体装置中集成不同传感器。在一些实施例中，一种制造传感器系统的方法可包括：形成具有衬底层（28）和位于所述衬底层的第一侧上的第一传感器（30、32、34）的第一结构20）；在所述衬底层的所述第一侧上的所述第一传感器上方接合顶盖结构（24）；以及在所述顶盖结构上方沉积第一介电层（131）。在接合所述顶盖结构和沉积所述第一介电层之后，在所述第一介电层上制造第二传感器（124、126、128）。所述第二传感器包括在用于将所述顶盖结构接合到所述衬底层的所述第一侧的温度下将受不利影响的材料。

公开(公告)号：CN109148310A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810941470.6

申请日：2015-09-16

Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司

Inventor： R·科菲 ,  J·普吕沃

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L23/562 ,  B81B2207/098 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0174 ,  B81C2203/0771 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/315 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/564 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161

Abstract: 本公开的实施方式涉及一种用于制造电子器件的方法以及电子器件，其中第一和第二集成电路芯片(2，5)被面对地并且彼此相距一定距离堆叠，多个电连接柱(11)和至少一个保护性阻挡件(7，28，29，35)介于所述芯片之间，从而在所述芯片的相互相对的局部区域(9，10)之间界定自由空间(8)，并且包封块(12)在具有较小的安装面的芯片(2)周围以及在另一芯片(5)的安装面的外围之上延伸；并且其中所述电连接柱以及所述保护性阻挡件出于同步制造的目的而由至少一种相同的金属材料制成。

公开(公告)号：CN105633062B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201510591151.3

申请日：2015-09-16

Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司

Inventor： R·科菲 ,  J·普吕沃

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/562 ,  B81B2207/098 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0174 ,  B81C2203/0771 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/315 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/564 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161

Abstract: 本公开的实施方式涉及一种用于制造电子器件的方法以及电子器件，其中第一和第二集成电路芯片(2，5)被面对地并且彼此相距一定距离堆叠，多个电连接柱(11)和至少一个保护性阻挡件(7，28，29，35)介于所述芯片之间，从而在所述芯片的相互相对的局部区域(9，10)之间界定自由空间(8)，并且包封块(12)在具有较小的安装面的芯片(2)周围以及在另一芯片(5)的安装面的外围之上延伸；并且其中所述电连接柱以及所述保护性阻挡件出于同步制造的目的而由至少一种相同的金属材料制成。

公开(公告)号：CN107089635A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710238635.9

申请日：2017-04-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙洪波 ,  张永来 ,  王剑楠

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0035 ,  B81B3/0089 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00214 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明公开了一种气动调控浸润性的表面、制备方法及其在液滴收集方面的应用，属于智能表面技术领域，该表面从下到上依次为底层衬底层、气路结构层、盖层及外部气路；气路结构层是由一系列凹陷沟槽行成的多条气路及相邻气路间的凸起平台构成，盖层与气路结构层的凸起平台及气路结构层周围裸露的部分底层衬底层键合，键合后的上述区域形成贴合区，支路上方的盖层区域形成微气囊，通过充放气可控制盖层的微气囊充分上凸或下凹；将一系列周期性排布的隆起微气囊构成的气动响应结构植入表面，同时以纳米结构进行表面修饰获得微纳多级结构，并利用充放气控制气囊上凸或下凹，进而通过气动改变表面结构来实现对表面浸润性的智能调控。

公开(公告)号：CN106976836A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201611139549.4

申请日：2016-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仪贤 ,  郑创仁

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  H04R7/14 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  B81B3/0027 ,  B81B7/02 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0174

Abstract: 在本发明实施例中，一种半导体器件包括具有多个孔的板。半导体器件还包括与板相对设置并且包括多个波纹的膜、围绕并覆盖膜一个边缘的电介质和衬底。半导体器件还包括金属导体，金属导体包括延伸穿过电介质的第一部分和位于衬底上方的第二部分，其中，第二部分与第一部分接合。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。