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公开(公告)号：CN103926430B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201410167044.3
申请日：2014-04-23
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 靖向萌
IPC分类号： G01R1/04
摘要： 本发明提供了一种硅通孔转接板测试方法，可以简单、方便地对硅通孔转接板进行电测试，有效地防止了测试中对硅通孔转接板产生划痕和损伤，保证了硅通孔转接板的电测试效率和测试效果，而且保证了后续芯片的封装质量，其特征在于：其包括以下步骤：（1）、测试转接板制备，在测试转接板上制备好压焊点（pad），用探针引线将焊盘引出测试转接板另外一面；（2）、采用临时焊接的方法，将硅通孔转接板上的凸点（焊球）物理连接到所述测试转接板上。
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公开(公告)号：CN103426808A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310401500.1
申请日：2013-09-05
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , B32B43/00
摘要： 本发明提供一种用于临时键合的载片结构，包括一载片晶圆，在载片晶圆上表面开有凹槽，所述凹槽的内壁以及所述凹槽四周的载片晶圆外圈上表面经过去粘性处理；填充胶填充在所述凹槽内并被固化；器件晶圆通过临时键合胶与固化后的填充胶上表面和载片晶圆外圈上表面键合，形成临时键合体。本发明还提供了该载片结构的键合与拆键合方法。本发明解决了现有载片晶圆制作工艺繁琐和成本昂贵等相关问题，很大程度实现了低成本的临时键合工艺，同时保证了拆键合的可靠性，降低碎片的风险。
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公开(公告)号：CN103400798A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310332952.9
申请日：2013-08-02
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种硅通孔内通过热氧化形成超厚绝缘层的方法，其针对的问题是在热氧化方法生成二氧化硅绝缘层的过程中，氧化层厚度超过1微米后，氧化速度降低很多，难以形成更加厚的氧化硅绝缘层。本发明通过在衬底(10)内，形成孔(101)以及环形硅区域(20)，该环形硅区域(20)环绕孔(101)同心圆状分布；通过深刻蚀工艺，在硅通孔侧壁刻蚀成环形，然后将环形的硅氧化获得氧化硅绝缘层。考虑到硅通过形成氧化硅的体积变化比例，以一定的间隔比例，通过深刻蚀形成周期性的圆环结构，再采用热氧化的方式，将硅圆环氧化，得到所需氧化层的厚度。通过这种方法可以获得厚度不受限制的、可以控制的致密氧化硅绝缘层。
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公开(公告)号：CN105185798B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510412091.4
申请日：2015-07-14
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构，它包括以下步骤：在CIS晶圆的正面键合负载晶圆，以负载晶圆为支撑减薄CIS晶圆，并在CIS晶圆的背面添加滤光镜和微透镜；在CIS晶圆的背面用透光胶进行覆盖，通过透光胶对滤光镜和微透镜进行保护；以透光胶为支撑减薄负载晶圆；在负载晶圆的背面做出引线；把透光胶进行减薄，减薄后切割得到单一芯片，封装方法结束。本发明直接用一层透光胶覆盖在感光区域做保护封盖，并以此做支撑来做后续的引线工艺，通过研磨和抛光把透光胶磨平，最后切割晶圆成单一的芯片，本发明降低了工艺难度和成本，同时降低了芯片的厚度。
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公开(公告)号：CN107285271A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710512422.0
申请日：2017-06-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B7/007 , B81C1/00301
摘要： 本发明公开了一种MEMS封装结构，包括：第一基底，在所述第一基底的第一表面上形成有一个或多个MEMS器件和一个或多个金属焊盘；与所述金属焊盘连接并延伸到所述第一基底的第二表面的通孔，所述第二表面与所述第一表面相对；设置在所述通孔侧壁以及所述第二表面上的多层结构；设置在所述多层结构以及所述金属焊盘上的重布线层；设置在所述重布线层上的焊球；以及在所述第一基底的器件上方形成的盖帽。
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公开(公告)号：CN105390475A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510684784.9
申请日：2015-10-20
申请人： 北京大学 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L21/76879 , H01L2221/1068
摘要： 本发明涉及一种衬底内部的电容集成结构，包括衬底，该衬底上设有TSV盲孔，该TSV盲孔从侧壁表面向外依次为隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层，在该衬底表面设有第一电极层、第二电极层的引出电极。其中，衬底为Si衬底或者SOI衬底，TSV盲孔的数量为1个、2个或者多个，隔离层、第一电极层、介质层、第二电极层采用ALD技术沉积。本发明通过衬底内部横向空腔结构，利用ALD工艺技术实现该结构内侧壁表面薄膜的沉积，进而在衬底内部集成电容，能够增加衬底表面可利用面积，提高集成度。
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公开(公告)号：CN104409374A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410799300.0
申请日：2014-12-18
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L2224/83009
摘要： 本发明涉及一种永久性晶圆键合互连的方法。所要解决的技术问题是传统晶圆键合工艺中存在成本高、工艺步骤复杂、技术不成熟等缺点。本发明利用相变合金PCA具有在一定的条件下可以在导体与绝缘体两种状态下快速切换的特性，在晶圆的互连区域覆盖一层PCA，对需要导通的区域进行相变处理，使其转换成导电体，其他区域仍然维持绝缘状态，然后将两片经过上述处理的两片晶圆进行面对面键合。技术工艺具有简单可靠、成本低、容易实现的优点。
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公开(公告)号：CN104617072B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201510046270.0
申请日：2015-01-30
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 靖向萌
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/535 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2924/15311
摘要： 本发明提供了一种改进的三维芯片集成结构，其结构简单，制造工艺要求低，进一步减小了芯片的封装体积，同时减少了TSV制造工艺步骤，较好地降低了工艺成本，本发明同时还提供了一种三维芯片集成结构加工工艺，其包括基板，其特征在于：转接板通过焊球或者凸点连接所述基板，上方芯片通过第一金属焊盘或者第一凸点连接所述转接板，所述上方芯片通过第二金属焊盘或第二凸点与下方芯片互连，所述基板上设置有金属柱结构，所述上方芯片通过第三金属焊盘或者第三凸点连接所述金属柱结构，本发明同时提供了一种改进的三维芯片集成结构加工工艺。
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公开(公告)号：CN104992955B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201510413571.2
申请日：2015-07-14
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种背照式图像传感器的晶圆级封装工艺及其封装结构，它包括以下步骤：在CIS晶圆的正面键合上负载晶圆，以负载晶圆做支撑将CIS晶圆的背面减薄，在已经减薄的CIS晶圆的背面做上滤光镜和微透镜；在CIS晶圆的背面的边缘位置用第一粘结胶进行覆盖，在该封闭环形内用第二粘结胶进行涂布，在第二粘结胶和第一粘结胶的背面键合上封盖；以封盖做支撑将负载晶圆减薄，并在已经减薄的负载晶圆内做出导电柱，在导电柱的上端部沉积出导电层；去除第一粘结胶的粘性，使CIS晶圆和封盖分离，清洗CIS晶圆和封盖以除去第二粘结胶，最后进行切割，得到背照式图像传感器的晶圆级封装结构。本发明减小了封装片的厚度并可以使封盖重复利用。
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公开(公告)号：CN106409758A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610882231.9
申请日：2016-10-09
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/76877
摘要： 本发明提供一种玻璃通孔金属化制作方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一玻璃衬底，采用激光照射的方法，使得需要制作玻璃通孔区域的玻璃变性，形成TGV变性区；在玻璃衬底的正面制作正面再布线层；在正面再布线层上覆盖正面绝缘介质层；将玻璃衬底的正面再布线层一侧与载片通过临时键合胶进行临时键合；采用腐蚀溶液去除玻璃衬底TGV变性区中变性后的玻璃，形成玻璃通孔；以盲孔金属化形式对玻璃通孔进行TGV金属柱制作；对玻璃衬底背面进行平坦化工艺；然后制作背面再布线层，在背面再布线层上覆盖背面绝缘介质层；最后去除临时键合的载片。该方法工艺步骤简单，制作成本低廉。
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