公开(公告)号：CN103698968B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201310666847.9

申请日：2013-12-10

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐成 ,  于大全 ,  李昭强

IPC: G03F1/68

Abstract: 本发明提供了一种光阻墙成型方法，其使用注塑技术成型一块平板，平板的正面具有相同高度的第一凸台和第二凸台，在第一凸台和第二凸台之间由凹槽分隔；将所述平板正面滚胶并与第一基板压合，再对平板背面进行碾磨减薄，直至第一凸台和第二凸台底部分离；并用紫外光照射去除第一基板上的粘性；采用一个转移基板将第一凸台从第一基板上分离出来，并将滚上胶的第一凸台背面与第二基板键合；最后解除第一凸台与转移基板间的临时键合，形成光阻墙结构。其优点是：由于光阻墙结构是单独成型，相比传统光刻胶光刻方法可大大减少在光阻墙成型过程中污染导致不合格器件产生的几率。注塑使用的材料提高光阻墙光罩结构强度，有效减少分层和脱离等可靠性问题。

公开(公告)号：CN103295893B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310209710.0

申请日：2013-05-29

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 姜峰 ,  于大全

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级微组装工艺，包括以下步骤：S1、采用临时键合胶将器件晶圆与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S2、对临时键合体上的器件晶圆进行减薄工艺；S3、对临时键合体中减薄后的器件晶圆切割，得到若干固定于载片晶圆上的芯片；S4、倒装设备上包括加热模块或光照模块，将器件晶圆在上方的临时键合体放置于倒装设备上，通过加热或特定光线照射融化全部临时键合胶；S5、在倒装设备上吸取芯片并对芯片进行微组装；S6、清洗微组装后的芯片表面残留的临时键合胶。本发明通过该器件晶圆级微组装工艺可以最大程度安全地实现超薄芯片的微组装工艺，保证了芯片在倒装前有很好的承载保护，有效地完成三维封装的互连结构。

公开(公告)号：CN103852376B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210511497.4

申请日：2012-12-04

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 孙晓峰 ,  于大全

IPC: G01N3/08 ,  G01N3/02 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明披露了一种用于硅通孔互连金属力学性能的测试方法，其属于微尺寸金属力学性能的测试方法，本测试方法包含：获得互连金属；在硅基片一上制作凹槽，将所述互连金属放置在所述凹槽里；以放置在所述凹槽里的互连金属和硅基片一为对象，采用MEMS加工工艺，制作出微拉伸结构；通过所述微拉伸结构对所述互连金属施加拉力，同时测出所述互连金属的位移，从而获得力与位移的关系。本发明提供的用于硅通孔互连金属力学性能的测试方法，解决了现有技术无法方便的将硅通孔互连金属夹持、轴向拉伸并且精确测量的问题。

公开(公告)号：CN103700644B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310719075.0

申请日：2013-12-23

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 薛恺 ,  于大全

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，其包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底掺杂区域内设有电容槽，电容槽穿过所述掺杂区域，且电容槽的槽口从第一主面指向第二主面的方向延伸，所述掺杂区域包裹在电容槽上部侧壁的周围；电容槽内设有电容介质体以及电容填充导体，所述电容填充导体通过电容介质体与电容槽的内壁相接触；衬底的第一主面上方设有第一电容连接电极及第二电容连接电极，第一电容连接电极与掺杂区域欧姆接触，第二电容连接电极与电容填充导体电连接。本发明结构紧凑，工艺步骤简便，能在转接板上制造高密度电容，工艺兼容性好，安全可靠。

公开(公告)号：CN103681458B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210321441.2

申请日：2012-09-03

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 张霞 ,  于大全 ,  张博

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/32145 ,  H01L2224/73253

Abstract: 本发明公开了一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，包括：选取带有单层金属层的柔性基板，对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成多个金属电极，并对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽；在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片；将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压，使该多个芯片被嵌入到该柔性介质层中；对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块；将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，实现多个芯片的堆叠；对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化；以及对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球。

公开(公告)号：CN102820268B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110156362.6

申请日：2011-06-10

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 于大全 ,  王惠娟

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例公开了一种键合结构及其制备方法。所述键合结构包括：其内具有连接孔的本体层；位于所述连接孔内的导电物质填充体；位于本体层正面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第一导电凸块；位于所述第一导电凸块上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一钎料层。本发明所提供的键合结构，在第一导电凸块与第一钎料层之间存在第一缓冲层，所述第一缓冲层在低温条件下可阻止第一钎料层向第一导电凸块内扩散，在高温条件下又可融入所述第一钎料层中，因此，本发明所提供的键合结构只需采用小剂量的钎料即可实现键合，且键合后键合界面的结合强度较高，可大大提高键合良率。

公开(公告)号：CN103760635B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410040682.9

申请日：2014-01-28

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 刘丰满 ,  戴风伟 ,  于大全

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种玻璃基三维光电同传器件及其制作方法，其中光电同传器件玻璃基板，玻璃基板上依次设置有铜层、水平波导层以及上包层；玻璃基板上垂直设置有垂直光通孔和垂直玻璃通孔，铜层上布设有RDL图形，垂直光通孔中的芯层与水平波导层连为一体，水平波导层上设置有光电互连孔以及倒三角形反射镜，上包层上设置有开口；所述光电互连孔和开口电镀有金属。所述制作方法主要包括在玻璃基板上制作垂直玻璃通孔、垂直光通孔、蒸镀铜层、旋涂水平波导层、制作光电互连孔及反射镜、制作上包层的步骤。本发明能够在同一玻璃基板上实现光波导的水平光互连和垂直互连、垂直方向和水平方向的电互连以及光电之间相互传导的目的，制作工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN103196724B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310093853.X

申请日：2013-03-22

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 于大全 ,  刘海燕

IPC: G01N1/28

Abstract: 本发明公开了一种用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位拉伸样品制备方法，所述原位拉伸样品包括TSV铜柱、铜柱两端的硅片和夹持端。首先将带有TSV通孔/盲孔结构的硅圆片进行切割和固定，然后对硅片进行光刻和刻蚀，暴露出TSV铜柱的中间部分，最后将TSV铜柱两端的硅片固定到夹持端，形成原位拉伸样品。本发明制备方法简单，可方便有效的进行原位TSV铜柱的拉伸性能测试，解决了块体及薄膜样品均不能反映该微小尺寸的TSV铜互连材料真实力学性能的问题，可为TSV的可靠性提供有效的数据支持。

公开(公告)号：CN103474394B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201310413914.6

申请日：2013-09-11

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 薛恺 ,  于大全

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种免金属CMP的TSV工艺方法，包括：提供晶圆作为衬底，在晶圆中形成盲孔，在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层；在晶圆上表面和盲孔内壁的绝缘层上制作阻挡层和种子层；在盲孔中填充第二金属材料；利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程中在晶圆表面的第二金属材料和所述种子层；对晶圆进行退火工艺；用湿法刻蚀工艺去除晶圆表面的阻挡层；利用电化学抛光技术对盲孔中填充的第二金属材料的顶部和晶圆表面之间的台阶进行修正；在晶圆表面均匀涂覆一层第一介质层；实现第一介质层的图形化，在盲孔顶部位置形成第一介质层通孔；在第一介质层上和第一介质层通孔中形成第一再布线结构。本方法能够大幅降低TSV工艺成本。

公开(公告)号：CN103943578A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410135780.0

申请日：2014-04-04

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 李昭强 ,  戴风伟 ,  于大全

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及方法，尤其是一种铜柱凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述铜柱凸点结构，包括基底及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层覆盖在绝缘层上，并覆盖在金属焊盘的外圈边缘；金属焊盘的正上方设有铜柱，所述铜柱的底部通过种子层与金属焊盘及介质层接触，且种子层覆盖铜柱的外侧壁；在铜柱的顶端设有焊料凸点。本发明采用在光刻胶上形成种子层的方法，避免了侧向钻蚀的现象，并且铜柱侧壁表面具有种子层，对铜柱形成保护作用，提高了微凸点加工制造的可靠性和良品率。