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公开(公告)号：CN114114533B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111443769.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种三维光波导调制结构及其制备方法，其中，三维光波导调制结构包括：衬底；位于所述衬底中的光波导，所述光波导包括主传输光波导、过渡光波导和边缘光波导，所述过渡光波导连接所述主传输光波导和所述边缘光波导，所述主传输光波导和所述边缘光波导在所述衬底中的深度不同；位于所述衬底一侧表面的耦合波导，所述耦合波导与所述主传输光波导相对设置，所述耦合波导至所述主传输光波导的距离小于所述耦合波导至所述边缘光波导的距离；位于所述耦合波导背向所述衬底一侧的铌酸锂膜。所述三维光波导调制结构使光在光波导传输过程中损耗率降低。
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公开(公告)号：CN114280736A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111636382.3
申请日：2021-12-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 一种互联载板及封装结构，其中互联载板包括：光组件载板，所述光组件载板中具有若干个阵列排布的光通孔组，每个所述光通孔组包括若干个分立且贯穿所述光组件载板的光通孔；定位载板，所述定位载板中具有若干个贯穿所述定位载板的光纤组容置开口，所述定位载板与所述光组件载板的一侧表面贴合，所述光纤组容置开口和所述光通孔组一一对应连通；阵列光纤组件，所述阵列光纤组件包括若干个分立的光纤组，所述光纤组包括若干个分立的光纤，所述光纤组适于一一对应插入所述光纤组容置开口中，所述光纤适于与所述光通孔相对设置且一一对应。所述互联载板可实现一次对准实现超大容量光互连与简单快速光学耦合。
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公开(公告)号：CN114114533A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111443769.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种三维光波导调制结构及其制备方法，其中，三维光波导调制结构包括：衬底；位于所述衬底中的光波导，所述光波导包括主传输光波导、过渡光波导和边缘光波导，所述过渡光波导连接所述主传输光波导和所述边缘光波导，所述主传输光波导和所述边缘光波导在所述衬底中的深度不同；位于所述衬底一侧表面的耦合波导，所述耦合波导与所述主传输光波导相对设置，所述耦合波导至所述主传输光波导的距离小于所述耦合波导至所述边缘光波导的距离；位于所述耦合波导背向所述衬底一侧的铌酸锂膜。所述三维光波导调制结构使光在光波导传输过程中损耗率降低。
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公开(公告)号：CN110828407B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201911131566.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L25/16 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种SiP封装结构，包括：塑封层；第一芯片，所述第一芯片的背面和侧面被所述塑封层包覆；金属化凹槽，所述金属化凹槽的侧面被所述塑封层包覆；第二芯片，所述第二芯片设置在所述金属化凹槽内部；重新布局布线层，所述重新布局布线层设置在所述塑封层的底面，电连接所述第一芯片和所述第二芯片；以及外接焊球，所述外接焊球电连接所述重新布局布线层。
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公开(公告)号：CN108122835A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711333608.6
申请日：2017-12-12
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种转接板的制造方法及其所制造的转接板，其中所述方法包括：提供半导体基板；在所述半导体基板上形成至少一个贯穿第一表面和第二表面的通孔，所述第一表面和所述第二表面相对设置；在每个通孔的侧壁形成第一绝缘层；在每个通孔中填充金属材料，形成垂直互连结构；去除至少一个垂直互连结构周围包覆的半导体材料，形成凹陷区域；在所述凹陷区域内填充有机材料。上述制造方法所制造的转接板中，至少一个垂直互连结构周围的半导体材料被替换为有机材料，可以使得高频信号和低频在同一转接板上低损耗传输，高频信号和低频信号的总体传输质量高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106199860B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201610882232.3
申请日：2016-10-09
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种用于多模并行光互连的光耦合集成结构，其包括光纤体以及载片；还包括与光纤体呈同轴分布的透镜体、与所述透镜体正对准的光学器件以及与所述光学器件适配的光学驱动放大电路，所述透镜体邻近光纤体的端部，且透镜体位于光纤体与光学器件间；载片上设置相互垂直的水平互连金属线与垂直互连金属线，所述垂直互连金属线与水平互连金属线电连接；光学器件安装于载片的垂直互连金属线一侧，并与所述垂直互连金属线电连接，光学驱动放大电路通过电路互连金属线与水平互连金属线电连接，以使得光学器件与适配的光学驱动放大电路电连接。本发明能有效实现光学的转向，提高互连速度，增强光学器件与光纤的耦合效率，集成封装成本低。
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公开(公告)号：CN107300741A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710724571.3
申请日：2017-08-22
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种边耦合光器件与光纤的直接光耦合结构，包括：基板；设置于所述基板上的边耦合光器件；设置于所述基板上的具有一个或多个光纤通孔的硅载板，以及设置于所述硅载板的所述一个或多个光纤通孔内的一根或多根光纤。本发明公开的直接光耦合结构具有无源对准、结构简单、精度高等优点。
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公开(公告)号：CN103730446B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410011061.8
申请日：2014-01-09
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种基于刚柔结合印刷电路板三维封装结构的互连结构，包括一柔性印刷电路板，所述柔性印刷电路板弯折成U型结构，在U型结构的上下两个相对的平整部上各压合有至少一块刚性印刷电路板，多个元器件分别安装在上方和下方相对的刚性印刷电路板的内表层；在上方和下方相对的刚性印刷电路板上安装元器件部位的外围，安装有一个或多个起信号连接和固定作用的连接器，所述连接器包括连接器公头和连接器母头，分别安装在相对的两块刚性印刷电路板的内表层，且分别与相对的两块刚性印刷电路板上的传输走线电连接。本发明有利于缩短信号传输路径，降低损耗，降低组装难度。
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公开(公告)号：CN105158848A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510530375.3
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种玻璃基底的多模波导阵列耦合结构及其制作方法，所述多模波导阵列耦合结构包括：玻璃基底，制作有多模波导，所述多模波导间隔设置，所述玻璃基底的第一端面切割有45度的倾角，使得所述多模波导的端部被处理成45度的反射结构；波导盖片，盖设于所述多模波导的顶面。本申请通过将具有多模波导的玻璃基底切割有45度的倾角，使得所述多模波导的端部被处理成45度，由于玻璃基底切割以及研磨的工艺成熟，因此能够大规模生产、易于实现，解决了采用直接耦合时光纤研磨的质量和耦合效率很难控制的技术问题。
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公开(公告)号：CN103760635B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410040682.9
申请日：2014-01-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种玻璃基三维光电同传器件及其制作方法，其中光电同传器件玻璃基板，玻璃基板上依次设置有铜层、水平波导层以及上包层；玻璃基板上垂直设置有垂直光通孔和垂直玻璃通孔，铜层上布设有RDL图形，垂直光通孔中的芯层与水平波导层连为一体，水平波导层上设置有光电互连孔以及倒三角形反射镜，上包层上设置有开口；所述光电互连孔和开口电镀有金属。所述制作方法主要包括在玻璃基板上制作垂直玻璃通孔、垂直光通孔、蒸镀铜层、旋涂水平波导层、制作光电互连孔及反射镜、制作上包层的步骤。本发明能够在同一玻璃基板上实现光波导的水平光互连和垂直互连、垂直方向和水平方向的电互连以及光电之间相互传导的目的，制作工艺简单，成本低廉。
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