-
公开(公告)号：CN103700643B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310718949.0
申请日：2013-12-23
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，属于半导体封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于TSV工艺的转接板深槽电容，包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底的掺杂区域内设有电容槽，电容槽的槽底位于所述掺杂区域内；电容槽内设有电容介质体以及电容填充导体，所述电容填充导体通过电容介质体与电容槽的内壁相接触；衬底的第一主面上方设有第一电容连接电极及第二电容连接电极，第一电容连接电极与掺杂区域欧姆接触，第二电容连接电极与电容填充导体电连接。本发明结构紧凑，工艺步骤简便，能在转接板上制造高密度电容，工艺兼容性好，安全可靠。
-
公开(公告)号：CN103227158B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310105620.7
申请日：2013-03-28
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种信号线TSV和地线TSV工艺集成的结构及方法，其包括衬底；衬底内设有贯通衬底的信号线通孔及地线通孔，地线通孔内设置地线连接导体，所述地线连接导体与地线通孔形成地线TSV，且地线连接导体与衬底连接接触；信号线通孔内设置信号线连接导体，所述信号线连接导体与信号线通孔形成信号线TSV，且信号线连接导体通过设置在信号线通孔内壁的绝缘层与衬底绝缘隔离。本发明在衬底内设置第一沟槽及第二沟槽，通过第一沟槽形成信号线通孔，通过第二沟槽形成地线通孔，从而使得地线通孔内的地线连接导体与衬底直接接触连接，信号线通孔内的信号线连接导体通过绝缘层与衬底绝缘隔离，实现信号线TSV和地线TSV的集成，加工集成成本低，安全可靠。
-
公开(公告)号：CN104637870A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510090226.X
申请日：2015-02-27
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺，包括下述步骤：S1.提供一完成正面工艺的器件晶圆；器件晶圆包括衬底和衬底中的TSV盲孔；S2.提供一载片晶圆，利用临时键合工艺将器件晶圆正面与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S3.对器件晶圆的衬底背面进行机械研磨，从而进行减薄；S4.对衬底背面进行刻蚀，使得TSV盲孔露出衬底背面；S5.在器件晶圆的衬底背面涂覆背面介质层，完全覆盖步骤S4中TSV盲孔露出部分；S6.利用机械研磨工艺处理背面介质层，使得TSV盲孔从背面介质层中露出。本发明避免了硅通孔背面露头过程中的CMP工艺，使工艺成本大幅降低，产出效率得到显著提高，同时具有背面介质层过孔的自对准效果。
-
公开(公告)号：CN103700644A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310719075.0
申请日：2013-12-23
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，其包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底掺杂区域内设有电容槽，电容槽穿过所述掺杂区域，且电容槽的槽口从第一主面指向第二主面的方向延伸，所述掺杂区域包裹在电容槽上部侧壁的周围；电容槽内设有电容介质体以及电容填充导体，所述电容填充导体通过电容介质体与电容槽的内壁相接触；衬底的第一主面上方设有第一电容连接电极及第二电容连接电极，第一电容连接电极与掺杂区域欧姆接触，第二电容连接电极与电容填充导体电连接。本发明结构紧凑，工艺步骤简便，能在转接板上制造高密度电容，工艺兼容性好，安全可靠。
-
公开(公告)号：CN103346121A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310305865.4
申请日：2013-07-22
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种微电子加工工艺中的一种细节距高深宽比TSV种子层制作方法，其针对的问题是在TSV孔径接近甚至小于1um时，PVD工艺的靶材将很容易将TSV口部封住，使靶材无法进入TSV孔内。本发明中，在利用PVD完成种子层淀积后，将晶圆置于真空或低气压环境下加热回流，使铜种子层流动性增加，同时辅以等离子体轰击，促进铜种子层向TSV中下部流动，同时TSV口部的种子层也会被反溅，使TSV口部被打开。继续淀积铜种子层工艺，然后重复上述回流和等离子处理过程，使得铜种子层在TSV内部的连续性得到改善，因此有利于后续电镀工艺的进行，保证TSV的填充效果。
-
公开(公告)号：CN105140252B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510410477.1
申请日：2015-07-14
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品，它包括以下步骤：将图像传感器芯片的上表面和信号处理芯片的下表面键合在一起；对图像传感器芯片的下表面进行减薄抛光，减薄抛光后在图像传感器芯片上添加彩色滤光片和微透镜，然后移除掉图像传感器芯片的切割道部分，露出信号处理芯片的切割道；取透明基板，透明基板与信号处理芯片通过支撑墙键合在一起，支撑墙位于信号处理芯片的切割道里；对信号处理芯片的上表面进行减薄抛光，减薄抛光后在信号处理芯片上做出引线和焊球；沿着信号处理芯片的切割道位置进行划片，得到可直接进行贴装的单一芯片。本发明不用任何临时键合做辅助，简化了流程。
-
公开(公告)号：CN103887231B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410131113.5
申请日：2014-04-02
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺，包括下述步骤：提供已经完成TSV盲孔结构制造的衬底；对衬底进行背面减薄，并利用刻蚀工艺使得TSV背面端头突出于衬底背部表面；在衬底背面涂覆一层背面介质层，覆盖衬底背面和突出衬底背部表面的TSV背面端头；利用CMP工艺对背面介质层进行平坦化处理并使TSV露出；利用刻蚀工艺处理露出的TSV，形成TSV和背面介质层的台阶；在衬底背面淀积粘附层和种子层；利用TSV和介质层的台阶进行微凸点或RDL光刻对准，完成制作微凸点或RDL工艺。本发明可避免金属对硅衬底的沾污，能够保证制作微凸点或RDL时的光刻精度。
-
公开(公告)号：CN103762197B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310721130.X
申请日：2013-12-24
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种新型大马士革铜铜键合结构的制作方法，有效降低了铜柱表面粗糙度，提高了微凸点的表面平整度，保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致，满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求，在后续的微组装工艺中不用做底填工艺，在降低工艺复杂度的同时，提高键合结构的可靠性，其特征在于：（1）在晶圆表面制作粘附层和种子层；（2）在晶圆表面淀积铜层；（3）对铜层进行图形化；（4）去除微凸点位置以外的铜形成微凸点结构；（5）去除微凸点区域以外的粘附层形成电隔离的微凸点结构；（6）去除光刻胶得到微凸点结构；（7）在微凸点结构间填充涂覆介质层；（8）对晶圆表面进行处理得到高度均匀，表面平坦光滑的介质层和外露的微凸点结构。
-
公开(公告)号：CN105140252A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510410477.1
申请日：2015-07-14
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品，它包括以下步骤：将图像传感器芯片的上表面和信号处理芯片的下表面键合在一起；对图像传感器芯片的下表面进行减薄抛光，减薄抛光后在图像传感器芯片上添加彩色滤光片和微透镜，然后移除掉图像传感器芯片的切割道部分，露出信号处理芯片的切割道；取透明基板，透明基板与信号处理芯片通过支撑墙键合在一起，支撑墙位于信号处理芯片的切割道里；对信号处理芯片的上表面进行减薄抛光，减薄抛光后在信号处理芯片上做出引线和焊球；沿着信号处理芯片的切割道位置进行划片，得到可直接进行贴装的单一芯片。本发明不用任何临时键合做辅助，简化了流程。
-
公开(公告)号：CN103700643A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310718949.0
申请日：2013-12-23
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，属于半导体封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于TSV工艺的转接板深槽电容，包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底的掺杂区域内设有电容槽，电容槽的槽底位于所述掺杂区域内；电容槽内设有电容介质体以及电容填充导体，所述电容填充导体通过电容介质体与电容槽的内壁相接触；衬底的第一主面上方设有第一电容连接电极及第二电容连接电极，第一电容连接电极与掺杂区域欧姆接触，第二电容连接电极与电容填充导体电连接。本发明结构紧凑，工艺步骤简便，能在转接板上制造高密度电容，工艺兼容性好，安全可靠。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
26 条记录 (耗时 0.047 秒)
