- 专利标题: 信号线TSV和地线TSV工艺集成的结构及方法
- 专利标题(英): Structure and method for technologically integrating signal wire TSVs (through silicon via) and ground wire TSVs
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申请号: CN201310105620.7申请日: 2013-03-28
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公开(公告)号: CN103227158B公开(公告)日: 2015-07-08
- 发明人: 薛恺 , 于大全
- 申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 代理机构: 无锡市大为专利商标事务所
- 代理商 殷红梅
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L21/768
摘要:
本发明涉及一种信号线TSV和地线TSV工艺集成的结构及方法,其包括衬底;衬底内设有贯通衬底的信号线通孔及地线通孔,地线通孔内设置地线连接导体,所述地线连接导体与地线通孔形成地线TSV,且地线连接导体与衬底连接接触;信号线通孔内设置信号线连接导体,所述信号线连接导体与信号线通孔形成信号线TSV,且信号线连接导体通过设置在信号线通孔内壁的绝缘层与衬底绝缘隔离。本发明在衬底内设置第一沟槽及第二沟槽,通过第一沟槽形成信号线通孔,通过第二沟槽形成地线通孔,从而使得地线通孔内的地线连接导体与衬底直接接触连接,信号线通孔内的信号线连接导体通过绝缘层与衬底绝缘隔离,实现信号线TSV和地线TSV的集成,加工集成成本低,安全可靠。
公开/授权文献
- CN103227158A 信号线TSV和地线TSV工艺集成的结构及方法 公开/授权日:2013-07-31
IPC分类: