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公开(公告)号：CN109037103B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810811135.4
申请日：2018-07-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种应用雾化法清洗晶圆表面的半导体设备，包括：储液杯，所述储液杯用于收集清洗废液；顶盖，所述顶盖包括颈部和开口部，所述颈部位于顶盖的上部，颈部直径小于开口部直径，所述开口部覆盖在储液杯上，顶盖和储液杯构成清洗腔室；雾化器，所述雾化器为中空圆柱体，所述雾化器的顶端密封，所述雾化器的底端与所述顶盖的颈部固定连通，所述中空圆柱体的侧面具有一个或多个第一通孔，清洗液通过第一通孔进入清洗腔室；以及储存供液系统，所述储存供液系统包含多个槽体，每个槽体存储用于不同湿法处理工艺的液体，每个槽体通过管道和多个三通阀连接到所述雾化器，根据具体湿法处理工艺的要求向所述雾化器供应液体。
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公开(公告)号：CN109037103A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810811135.4
申请日：2018-07-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种应用雾化法清洗晶圆表面的半导体设备，包括：储液杯，所述储液杯用于收集清洗废液；顶盖，所述顶盖包括颈部和开口部，所述颈部位于顶盖的上部，颈部直径小于开口部直径，所述开口部覆盖在储液杯上，顶盖和储液杯构成清洗腔室；雾化器，所述雾化器为中空圆柱体，所述雾化器的顶端密封，所述雾化器的底端与所述顶盖的颈部固定连通，所述中空圆柱体的侧面具有一个或多个第一通孔，清洗液通过第一通孔进入清洗腔室；以及储存供液系统，所述储存供液系统包含多个槽体，每个槽体存储用于不同湿法处理工艺的液体，每个槽体通过管道和多个三通阀连接到所述雾化器，根据具体湿法处理工艺的要求向所述雾化器供应液体。
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公开(公告)号：CN109037104B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810811141.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种通孔清洗方法，包括：将清洗液加热到预定温度；使清洗液与惰性气体混合进入清洗腔室；在雾化器中使清洗液雾化，喷洒在晶圆表面上并浸入通孔内壁和底部；关闭清洗液阀门。
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公开(公告)号：CN103390580A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310301502.3
申请日：2013-08-20
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种微电子加工工艺中的TSV结构的背面露头技术，在利用背面研磨工艺处理对TSV的晶圆衬底背面减薄至距离TSV铜柱底部1-10um范围之后，利用CMP工艺处理晶圆衬底背面，直到TSV铜柱从背面露出，然后对晶圆衬底背面露出的铜柱端面的铜进行化学置换处理，在晶圆衬底背面TSV的铜柱端面形成一层金属保护膜。之后利用刻蚀工艺对衬底材料刻蚀，使得TSV底部露出，并且在晶圆衬底背面制作钝化层。因为在TSV晶圆背面硅刻蚀前就将晶圆背面露出的铜保护起来，从而避免背面硅刻蚀过程中铜与硅直接接触引起的铜沾污，同时又保证了较低的工艺集成方案的复杂度，工艺成本低廉。
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公开(公告)号：CN109037104A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810811141.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种通孔清洗方法，包括：将清洗液加热到预定温度；使清洗液与惰性气体混合进入清洗腔室；在雾化器中使清洗液雾化，喷洒在晶圆表面上并浸入通孔内壁和底部；关闭清洗液阀门。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108906462A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810811703.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种液体雾化装置，包括：中空体，所述中空体的顶端密封，一个或多个第一通孔，所述第一通孔设置在所述中空体的侧面，液体通过所述第一通孔进入雾化装置，从所述中空体的底端输出雾化液体，其中所述第一通孔包括水平延伸的直通孔和水平延伸的斜通孔，所述直通孔与所述中空体的内壁相交点处的切线基本垂直，斜通孔与所述中空体的内壁相交点处的切线成非垂直的特定角度。
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公开(公告)号：CN108906462B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810811703.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种液体雾化装置，包括：中空体，所述中空体的顶端密封，一个或多个第一通孔，所述第一通孔设置在所述中空体的侧面，液体通过所述第一通孔进入雾化装置，从所述中空体的底端输出雾化液体，其中所述第一通孔包括水平延伸的直通孔和水平延伸的斜通孔，所述直通孔与所述中空体的内壁相交点处的切线基本垂直，斜通孔与所述中空体的内壁相交点处的切线成非垂直的特定角度。
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公开(公告)号：CN109037105B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810811637.7
申请日：2018-07-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体清洗设备，包括：储液杯，所述储液杯用于收集清洗废液；顶盖，所述顶盖包括颈部和开口部，所述颈部位于顶盖的上部，颈部直径小于开口部直径，所述开口部覆盖在储液杯上，顶盖和储液杯构成清洗腔室；以及雾化器，所述雾化器为中空结构，所述雾化器的顶端密封，所述雾化器的底端与所述顶盖的颈部固定连通，所述中空结构的侧面具有一个或多个第一通孔，清洗液通过第一通孔进入清洗腔室。
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公开(公告)号：CN109037105A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810811637.7
申请日：2018-07-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体清洗设备，包括：储液杯，所述储液杯用于收集清洗废液；顶盖，所述顶盖包括颈部和开口部，所述颈部位于顶盖的上部，颈部直径小于开口部直径，所述开口部覆盖在储液杯上，顶盖和储液杯构成清洗腔室；以及雾化器，所述雾化器为中空结构，所述雾化器的顶端密封，所述雾化器的底端与所述顶盖的颈部固定连通，所述中空结构的侧面具有一个或多个第一通孔，清洗液通过第一通孔进入清洗腔室。
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公开(公告)号：CN108911287A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810811132.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: C02F9/06
Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路制造的清洗液再生工艺方法与装置，再生处理系统介于清洗或湿法刻蚀腔室与新鲜原液槽之间。废液再生系统包括：第一级系统，所述第一级系统接收IC制造的晶圆清洗(或其他湿法处理)腔室排出的清洗废液，并将经第一级系统处理后的液体输送到第二级系统；第二级系统，所述第二级系统采用吸附处理方法，再次除去杂质得到清液，进入第三级系统；第三级系统，所述第三级系统接收经第二级系统处理后的液体，所述第三级系统采用电泳方法去除液体中的离子。
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