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公开(公告)号：CN104241237B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410265987.X
申请日：2014-06-13
申请人： 田中电子工业株式会社
摘要： 本发明提供即使变更镀覆铜丝的镀覆材料或者芯材种类和线径也可以不单独设定键合条件就稳定地进行超声波键合、且超声波键合时的工艺窗口范围广的超声波键合用镀覆铜丝结构。本发明的结构的特征在于，其表面形态为该芯材表面成型有沿该键合丝长度方向的多条卷云状槽，该芯材上镀覆了由抗氧化性比芯材好的贵金属或合金(以下称“贵金属等”)构成的镀覆材料。
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公开(公告)号：CN103715111A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310271669.X
申请日：2013-07-01
申请人： 田中电子工业株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/607
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024 , H01L24/43 , H01L24/45
摘要： 本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线，使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜，并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量％以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量％的铑(Rh)的金属基体中，溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O)，随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用，因此控制其动态强度，并且与溶解的氧协同作用，铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。
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公开(公告)号：CN105390463B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
申请人： 田中电子工业株式会社
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
摘要： 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN105390463A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410419908.6
申请日：2014-08-22
申请人： 田中电子工业株式会社
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01204 , H01L2924/01052 , H01L2924/01012
摘要： 本发明涉及半导体装置接合用铜稀薄镍合金线的构造。本发明的半导体装置用铜合金接合线由表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层构成，且铜稀薄镍合金的合金如下组成：将0.1～1.5质量％的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量％以上的高纯度铜(Cu)母材；内部氧化层由使镍氧化物粒子朝向表层的铜氧化物层正下方内部均匀地微细分散的金属不足型氧化铜母材形成；使自由的氧快速移动，以使从表层入侵的氧向内扩散，进而抑制表层正下方的铜氧化物层的不规则的半球状成长，并提升第二接合性。通过使内部氧化层的厚度为该表层氧化物层的60倍以上，确保氧的移动所产生的效果。
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公开(公告)号：CN104241237A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410265987.X
申请日：2014-06-13
申请人： 田中电子工业株式会社
摘要： 本发明提供即使变更镀覆铜丝的镀覆材料或者芯材种类和线径也可以不单独设定键合条件就稳定地进行超声波键合、且超声波键合时的工艺窗口范围广的超声波键合用镀覆铜丝结构。本发明的结构的特征在于，其表面形态为该芯材表面成型有沿该键合丝长度方向的多条卷云状槽，该芯材上镀覆了由抗氧化性比芯材好的贵金属或合金(以下称“贵金属等”)构成的镀覆材料。
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公开(公告)号：CN103295993A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
申请人： 田中电子工业株式会社
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
摘要： 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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公开(公告)号：CN105321917A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510438069.7
申请日：2015-07-23
申请人： 田中电子工业株式会社
IPC分类号： H01L23/49
CPC分类号： H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/00011 , H01L2924/01046 , H01L2924/01204 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01058 , H01L2924/01032 , H01L2924/01205 , H01L2924/20751 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049
摘要： 本发明涉及表面改质银钯合金线的结构。本发明的表面改质银钯合金线的结构为由芯材和表面改质层构成的表面改质银钯合金线的结构，所述芯材由纯度99.99质量％以上的银(Ag)及金(Au)及纯度99.9质量％以上的钯(Pd)所得的Ag-1～5质量％Pd合金或Ag-1～5质量％Pd-0.05～10质量％(Au或Pt)合金构成，所述表面改质层由纯度99.99质量％以上的金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)或其合金构成，所述表面改质银钯合金线的结构的特征在于，该线表面为与该芯材的晶界一同在该线的长边方向以二十～三十μm宽度的间隔形成交叉的深色环并且在该芯材的大小的纵长沟内埋设有该表面改质层的表面形态。
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公开(公告)号：CN105405828B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410468025.4
申请日：2014-09-15
申请人： 田中电子工业株式会社
摘要： 本发明涉及超声波接合用纯铜合金线的剖面构造，其中提供一种线材，即使是纯铜合金连接线，在因大气中的氧而使线材表面的铜氧化物层为未饱和铜氧化物时，也可通过形成厚度为不使该氧化物层还原程度的有机碳层，使得超声波接合的制程容许度变得广泛。线材的成分包括，钛、锆、锌及锡中的至少1种贱金属，含量为40质量ppm以上且小于100质量ppm，剩余部分为纯度99.990～99.996质量％的铜；线材表面为通过金刚石拉延模缩径的拉延加工面，其整个面上形成总有机碳量为50～3000μg/m2的有机碳层，线材剖面最外层形成由未饱和铜氧化物构成的厚度为2～20纳米的铜氧化物层，该层内侧存在的贱金属呈未被内部氧化的状态。
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公开(公告)号：CN103715111B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310271669.X
申请日：2013-07-01
申请人： 田中电子工业株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/607
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01204 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01045 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004 , H01L2924/01041 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/0105 , H01L2924/01033 , H01L2924/01024
摘要： 本发明提供用于连接半导体装置的铜-铑合金线。[目的]改良铜合金球焊线，使得限制在超声波接合时的铝飞溅和倾斜，并改善在二次接合时的接合性的品质。[解决问题的手段]在包含纯度为99.995质量％以上的初始铜(Cu)和量为0.1-1.5质量％的铑(Rh)的金属基体中，溶解非金属元素的量为1.0-10质量ppm的硫(S)和量为10-150质量ppm的氧(O)，随后也可以溶解量为1-10质量ppm的磷(P)。在金属中的铑起到限制硫在球表面偏析的作用，因此控制其动态强度，并且与溶解的氧协同作用，铑限制了S的活性并因此改善了在倾斜和二次接合性方面的线品质。
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公开(公告)号：CN103295993B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310223610.3
申请日：2013-06-06
申请人： 田中电子工业株式会社
CPC分类号： H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2224/45147 , H01L2924/01078 , H01L2924/01016 , H01L2924/01008 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004
摘要： 本发明涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中，改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量％的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中，不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成，并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线，均匀的氧化物膜改善了二次接合性，且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度，由此防止了铝飞溅，并且保持了不导致倾斜的静态强度。
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